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Re: ECC-RAM

From Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com>
Newsgroups de.rec.fotografie, de.sci.electronics
Subject Re: ECC-RAM
Date 2017-10-11 13:14 +0200
Message-ID <f46cpoFf8icU1@mid.individual.net> (permalink)
References (8 earlier) <061017.144654.572#23@m-id.net.gr.vu> <f3pha7FffumU2@mid.individual.net> <orj45g$fvv$1@Gaia.teknon.de> <f458mlF7fr2U1@mid.individual.net> <ork2cc$njf$1@Gaia.teknon.de>

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Am 11.10.2017 um 05:15 schrieb Volker Borchert:
> In de.rec.fotografie, Gerhard Hoffmann wrote:
>> Am 10.10.2017 um 20:39 schrieb Volker Borchert:
>>
>>> Ich hoffe trotzdem, daß Avionik, Medizintechnik und Kernkraftwerke
>>> _kein_ ECC-DRAM verwenden sondern SRAM ;-)
>>
>> SRAM ist keinen Deut besser. Eine Zelle, die getroffen wird, vergisst
>> ihren Inhalt. Sie enthält mehr Transistoren, also gibt sie ein noch
>> größeres Ziel ab.
> 
> Ist der kontinuierliche Stromfluß einer SRAM Zelle wirklich genauso
> empfindlich gegen vorbeiknallende Strahlung wie die wenigen hundert
> (Aussage des Dozenten 1987 - heute vermutlich noch deutlich weniger)
> Elektronen eines DRAM-Kondensators?

IMO kommt es da auf die Einschlagstelle an. Ein Flipflop aus mehrern 
Transistoren mußte eigentlich wegen der Rückkopplung unempfindlicher 
sein, wenn nur 1 Transistor getroffen wird.

Wirkt sich Strahlung auf alle Speicherzellen gleich aus, oder nur auf 
die mit dem "falschen" (empfindlichen...) Zustand? Kippt die Strahlung 
das getroffene Bit, oder versetzt sie es in nur in einen 
konstruktionsspezifischen Default (T/F) Zustand?

DoDi

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Re: ECC-RAM v_borchert@despammed.com (Volker Borchert) - 2017-10-10 18:39 +0000
  Re: ECC-RAM Gerrit Heitsch <gerrit@laosinh.s.bawue.de> - 2017-10-10 21:37 +0200
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      Re: ECC-RAM Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> - 2017-10-11 18:32 +0200
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      Re: ECC-RAM Michael Schwingen <news-1457978346@discworld.dascon.de> - 2017-10-14 18:14 +0000
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