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Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik

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  Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> - 2016-03-31 11:55 +0200
    Re: Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik Eric Brücklmeier <usenet@nerdcraft.de> - 2016-03-31 12:40 +0200
    Re: Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik Joerg Niggemeyer <joerg.niggemeyer@nucon.de> - 2016-03-31 13:18 +0200
      Re: Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik Bernd Mayer <beam.bam.boom@knuut.de> - 2016-03-31 14:01 +0200
        Re: Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik Joerg Niggemeyer <joerg.niggemeyer@nucon.de> - 2016-03-31 17:21 +0200
    Re: Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2016-04-01 23:14 +0200
      Re: Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik Uwe Bonnes <bon@hertz.ikp.physik.tu-darmstadt.de> - 2016-04-02 11:36 +0000
        Re: Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> - 2016-04-02 14:26 +0200

#205767 — Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik

Moin, moin,

mir fällt auf, dass Leistungstransistoren mit gleichen oder ähnlichen 
Daten bei älteren Exemplaren im allgemeinen deutlich größere Dies haben 
als neuere Exemplare. Und ich spreche hier durchaus von einem Faktor 2 
Unterschied.
Auch bei gleicher Typenbezeichnung gibt es diesen Unterschied. Besonders 
gut kann man das bei TO-3 oder Sanyo Hybridverstärkern (STK) sehen, die 
sich leicht öffnen lassen.

Ist das jetzt schlicht der technische Fortschritt bei der Herstellung 
oder wird heute einfach nur Schund verkauft?

Und welche Auswirkung hat die Die-Größe auf die SOA? Die müsste bei 
kleineren Dies doch sogar besser werden, wegen des schnelleren 
thermischen Ausgleichs, oder?


Marcel

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#205771

Am 31.03.2016 um 11:55 schrieb Marcel Mueller:
> Moin, moin,
>
> mir fällt auf, dass Leistungstransistoren mit gleichen oder ähnlichen
> Daten bei älteren Exemplaren im allgemeinen deutlich größere Dies haben
> als neuere Exemplare. Und ich spreche hier durchaus von einem Faktor 2
> Unterschied.
> Auch bei gleicher Typenbezeichnung gibt es diesen Unterschied. Besonders
> gut kann man das bei TO-3 oder Sanyo Hybridverstärkern (STK) sehen, die
> sich leicht öffnen lassen.
>
> Ist das jetzt schlicht der technische Fortschritt bei der Herstellung
> oder wird heute einfach nur Schund verkauft?

Sowohl als auch: Die Technologien wurden leistungsfähiger, man plant 
weniger Sicherheiten ein (insb. z.B. bei Abständen und Sägerändern) und 
manche Hersteller verkaufen nachweisbar Schrott, der die eigenen Specs 
nicht erfüllt...


-- 
www.headless-brewing.com

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#205775

In message <ndis5q$8j0$1@gwaiyur.mb-net.net>
          Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> wrote:



> Ist das jetzt schlicht der technische Fortschritt bei der Herstellung
> oder wird heute einfach nur Schund verkauft?

Ich hatte vor einiger Zeit für Zetex FZT951 SOT223 60V -5A
einen NXP PBSS5560PA verwendet SOT1061 60V -5A
Beide haben einen effektiven aequivalenten RDS-On von 55mR.
Die Hersteller können offensichtlich kleinere chips
effektiver in neueren, kleineren Gehäusen verbauen.

Schund ist das also nicht, sondern auf die Größe bezogen 
wirtschaftlicher.

> Und welche Auswirkung hat die Die-Größe auf die SOA? Die müsste bei
> kleineren Dies doch sogar besser werden, wegen des schnelleren
> thermischen Ausgleichs, oder?

Eigentlich wohl eher nicht, da der thermische Widerstand junction nach 
aussen sich wohl verschlechtert (auf das ganze Bauteil bezogen).

Der FZT951 hat peak -15A
und der PBSS5560PA nur noch -6A

mit den kleineren Bauteilen muss man also etwas mehr aufpassen,
was Spitzen angeht.

Leider fehlt im Datenblatt des FZT der thermische Widerstand.



> Marcel


-- 

WEB: http://www.nucon.de    http://www.led-temperature-protection.com
Geschäftsführer: Joerg.Niggemeyer@nucon.de
Steinbecker Muehlenweg 95, 21244 Buchholz idN,  Germany
UST-IDNR.: DE 231373311, phone: +49 4181 290913, fax: +49 4181 350504



--- news://freenews.netfront.net/ - complaints: news@netfront.net ---

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#205781

Am 31.03.2016 um 13:18 schrieb Joerg Niggemeyer:
> Der FZT951 hat peak -15A
> und der PBSS5560PA nur noch -6A
>
> mit den kleineren Bauteilen muss man also etwas mehr aufpassen,
> was Spitzen angeht.
>
> Leider fehlt im Datenblatt des FZT der thermische Widerstand.

Hallo,

hier gibt es Angaben dazu bei den technischen Daten und auch die 
Diagramme "Derating Curve":

http://www.diodes.com/_files/datasheets/FZT951.pdf
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/PBSS5560PA.pdf


Bernd Mayer

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#205794

In message <ndj3iq$qu9$1@gwaiyur.mb-net.net>
          Bernd Mayer <beam.bam.boom@knuut.de> wrote:


> http://www.diodes.com/_files/datasheets/FZT951.pdf
Stimmt neueres und besseres Datenblatt als das
alte von Zetex, was ich noch auf dem Laufwerk hatte ;-(
Wieso lade ich eigentlich den PDF-Krams überhaupt runter und speichere
es ab...


VG J Ni



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#205836

Marcel Mueller schrieb:
>
> mir fällt auf, dass Leistungstransistoren mit gleichen oder ähnlichen Daten bei älteren Exemplaren im allgemeinen deutlich größere Dies haben als neuere
> Exemplare. Und ich spreche hier durchaus von einem Faktor 2 Unterschied.
> Auch bei gleicher Typenbezeichnung gibt es diesen Unterschied. Besonders gut kann man das bei TO-3 oder Sanyo Hybridverstärkern (STK) sehen, die sich leicht
> öffnen lassen.
>
> Ist das jetzt schlicht der technische Fortschritt bei der Herstellung oder wird heute einfach nur Schund verkauft?
>
> Und welche Auswirkung hat die Die-Größe auf die SOA? Die müsste bei kleineren Dies doch sogar besser werden, wegen des schnelleren thermischen Ausgleichs, oder?

Wieviel mal wurde das hier schon detailliert durchdiskutiert?
Reichen da einstellige Zahlen?

Es gibt Bezeichnungen, die sind eben keine Typbezeichnung wie die
Pro Electron Bezeichnungen a la BC107 oder so, sondern eher Bezeichnungen
eines Pflichtenhefts, etwa 2N3055, siehe JEDEC.

Letzteres erlaubt "Fortschritte" unter gleichem Namen weiter zu verkaufen,
unabhängig davon, ob das nun gut oder schlecht ist und ob für den
Kunden oder den Hersteller. Wobei gewisse Kombinationen von obigem
eher häufiger sind.

Einfach diffundierte Transistoren waren relativ unkaputtbar und man
hatte damals nicht mal Freilaufdioden an induktiven Lasten.
Es erfolgte die Entwicklung der Mesa/Epitaxial und schliesslich
der mehrfachdiffundierten Planartransistoren.

Letztere sind dann x (10 oder so) mal schneller; "alte" NF-Transistoren
werden heute von Funkamateuren bis ins UHF verwendet. Die sind
allerdings auch schneller kaputt und machen Ärger in alten Schaltungen
von Netzgeräten bis NF-Endstufen.

Und nein, SOA eher enger mit den Winz-teilen. In RAPs Troubleshooting
Guide ist ein ganzes Kapitel dem Problem gewidmet.

-- 
mfg Rolf Bombach

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#205845

Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> wrote:
...
> Und nein, SOA eher enger mit den Winz-teilen. In RAPs Troubleshooting
> Guide ist ein ganzes Kapitel dem Problem gewidmet.

Ein Link auf den guide waere nett!
-- 
Uwe Bonnes                bon@elektron.ikp.physik.tu-darmstadt.de

Institut fuer Kernphysik  Schlossgartenstrasse 9  64289 Darmstadt
--------- Tel. 06151 1623569 ------- Fax. 06151 1623305 ---------

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#205846

>> In RAPs Troubleshooting
>> Guide ist ein ganzes Kapitel dem Problem gewidmet.
>
> Ein Link auf den guide waere nett!
>

Das Buch ist wohl nicht im www:
http://www.amazon.com/Troubleshooting-Analog-Circuits-Design-Engineers/dp/0750694998

Die Zeitschriftenartikel als "A Tribute to Bob Pease"
eher schon:
"Bob Pease Lab Notes Part 1.pdf"
...
"Bob Pease Lab Notes Part 9.pdf"

Zudem:
http://www.ti.com/ww/en/bobpease/
http://www.ti.com/ww/en/bobpease/assets/www-national-com_rap.pdf

Hat halt kein Inhaltsverzeichnis und etwas desorgansiert.
Aber absehbar substantieller und mehr on topic
als die hiesige newsgroup.

MfG  JRD

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