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Groups > de.sci.electronics > #217067 > unrolled thread
| Started by | Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> |
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| First post | 2016-11-19 12:43 +0100 |
| Last post | 2016-11-20 19:41 +0100 |
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Kleiner, bedrahteter Fototransistor Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> - 2016-11-19 12:43 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Tilmann Reh <usenet2007nospam@autometer.de> - 2016-11-19 12:49 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> - 2016-11-19 16:50 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Olaf Kaluza <olaf@criseis.ruhr.de> - 2016-11-19 12:50 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Frank Scheffski <usenet@alles-moppelkotze.de> - 2016-11-19 15:51 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Arno Welzel <usenet@arnowelzel.de> - 2016-11-21 19:00 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> - 2016-11-19 13:55 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-19 07:50 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-11-19 21:28 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-19 13:02 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-11-21 00:40 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-21 07:31 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-11-21 19:54 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-22 10:10 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Lutz Schulze <lschulze@netzwerkseite.de> - 2016-11-22 19:30 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-22 12:36 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2016-11-21 20:41 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-22 10:13 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-11-24 04:25 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> - 2016-11-24 10:26 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-24 07:38 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Matthias Weingart <mwnews@pentax.boerde.de> - 2016-11-24 16:14 +0000
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> - 2016-11-24 18:27 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2016-12-04 22:56 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> - 2016-11-20 08:33 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> - 2016-11-20 18:24 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Frank Scheffski <usenet@alles-moppelkotze.de> - 2016-11-20 18:50 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> - 2016-11-20 20:02 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> - 2016-11-21 19:32 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> - 2016-11-20 18:50 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Frank Scheffski <usenet@alles-moppelkotze.de> - 2016-11-20 19:41 +0100
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| From | Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-19 12:43 +0100 |
| Subject | Kleiner, bedrahteter Fototransistor |
| Message-ID | <e9as6jFgdm5U1@mid.individual.net> |
Hallo, Ich bin auf der Suche nach einem Tageslicht-empfindlichen, bedrahtetem Fototransistor. Gehäuse kleiner 3mm und zur Montage eben kein SMD, sondern zwei Drähte. Kennt da jemand noch einen aktuellen (Nicht abgekündigten) Typ? Gruss, Michael
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| From | Tilmann Reh <usenet2007nospam@autometer.de> |
|---|---|
| Date | 2016-11-19 12:49 +0100 |
| Message-ID | <o0pe82$9hb$1@dont-email.me> |
| In reply to | #217067 |
Michael Reinck schrieb: > Ich bin auf der Suche nach einem Tageslicht-empfindlichen, bedrahtetem > Fototransistor. Gehäuse kleiner 3mm und zur Montage eben kein SMD, > sondern zwei Drähte. > > Kennt da jemand noch einen aktuellen (Nicht abgekündigten) Typ? Schau doch mal hier: <http://www.vishay.com/photo-detectors/phototransistor/> Wenn das 3 mm LED-Gehäuse (BPW85) noch zu groß ist, gibt's weiter unten in der Liste noch deutlich kleinere - zumindest in der einen Richtung... - bedrahtete Dinger (BPW16/17). Tilmann
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| From | Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-19 16:50 +0100 |
| Message-ID | <e9bal3FjsfeU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217068 |
Hallo, Am 19.11.2016 um 12:49 schrieb Tilmann Reh: > Wenn das 3 mm LED-Gehäuse (BPW85) noch zu groß ist, gibt's weiter unten > in der Liste noch deutlich kleinere - zumindest in der einen Richtung... > - bedrahtete Dinger (BPW16/17). Muss ich mal ausprobieren, danke für den Tipp. Ich muss im rechten Winkel ca. 10mm von der Leiterplatte weg (Die danach vergossen wird), klar wäre eine kleine Flexplatine denkbar aber bei ca. 5000 Geräten sind da auch schnell ein paar k€ investiert... Gruss, Michael
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| From | Olaf Kaluza <olaf@criseis.ruhr.de> |
|---|---|
| Date | 2016-11-19 12:50 +0100 |
| Message-ID | <0uq5gd-ac4.ln1@criseis.ruhr.de> |
| In reply to | #217067 |
Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> wrote: >Fototransistor. Gehäuse kleiner 3mm und zur Montage eben kein SMD, >sondern zwei Drähte. Wie soll das gehen? Das Gehaeuse einer 3mm LED (z.B SFH229) scheint mir das kleinste zu sein was bedrahtet sinnvoll ist. Olaf
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| From | Frank Scheffski <usenet@alles-moppelkotze.de> |
|---|---|
| Date | 2016-11-19 15:51 +0100 |
| Message-ID | <rep03c5jiuduq4fho5ql06l16bfimbgkn8@4ax.com> |
| In reply to | #217069 |
Olaf Kaluza schrieb: >Wie soll das gehen? Das Gehaeuse einer 3mm LED (z.B SFH229) scheint >mir das kleinste zu sein was bedrahtet sinnvoll ist. In alten Lochstreifenlesern gab es 1,8mm-Fototransistoren. Entweder als DIL-Zeile oder aus einzelnen aneinandergereiht. TIL621-4 z.B. HTH Frank
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| From | Arno Welzel <usenet@arnowelzel.de> |
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| Date | 2016-11-21 19:00 +0100 |
| Message-ID | <a198992a-5feb-c49d-9ac2-ec7c1ad783c3@arnowelzel.de> |
| In reply to | #217069 |
Olaf Kaluza schrieb: > Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> wrote: > > >Fototransistor. Gehäuse kleiner 3mm und zur Montage eben kein SMD, > >sondern zwei Drähte. > > Wie soll das gehen? Das Gehaeuse einer 3mm LED (z.B SFH229) scheint > mir das kleinste zu sein was bedrahtet sinnvoll ist. Das geht schon - je nach dem, was man als "bedrahtet" ansieht: <https://www.conrad.de/de/fototransistor-sonderform-1100-nm-16-osram-sfh-305-23-153857.html> <https://www.conrad.de/de/fototransistor-sonderform-1100-nm-18-osram-bpx-81-153175.html> <https://www.conrad.de/de/fototransistor-2-mm-fairchild-semiconductor-qsb363-1266057.html> -- Arno Welzel https://arnowelzel.de https://de-rec-fahrrad.de http://fahrradzukunft.de
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| From | Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> |
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| Date | 2016-11-19 13:55 +0100 |
| Message-ID | <o0pi3m$lao$1@dont-email.me> |
| In reply to | #217067 |
Alle anderen Varianten durchgespielt ? Z.B.: SMD-Fototransistor auf Leiterplatte. Lightpipe ( kann ein kleingeschnippselter Acryl-Stab oder echter Plastik-LWL sein ) zur Frontplatte. MfG JRD
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| From | Joerg <news@analogconsultants.com> |
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| Date | 2016-11-19 07:50 -0800 |
| Message-ID | <e9bakuFjsekU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217067 |
On 2016-11-19 03:43, Michael Reinck wrote: > Hallo, > > Ich bin auf der Suche nach einem Tageslicht-empfindlichen, bedrahtetem > Fototransistor. Gehäuse kleiner 3mm und zur Montage eben kein SMD, > sondern zwei Drähte. > > Kennt da jemand noch einen aktuellen (Nicht abgekündigten) Typ? > Da koennte Honeywell passen und Du bekommst sie z.B. bei Digikey: http://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Honeywell%20Sensing%20&%20Control%20PDFs/SD1440.pdf Wenn nur die Spitze kleiner als 3mm sein soll, der Rest ist 3.3mm: http://www.vishay.com/docs/81515/bpw16n.pdf LiteOn hat auch welche, aber m.W. nur bis 3mm herunter: http://optoelectronics.liteon.com/upload/download/DS-50-92-0073/S_110_R4206E.pdf -- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
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| From | Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> |
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| Date | 2016-11-19 21:28 +0100 |
| Message-ID | <e9br3lFnrjsU3@mid.individual.net> |
| In reply to | #217067 |
Michael Reinck schrieb: > Hallo, > > Ich bin auf der Suche nach einem Tageslicht-empfindlichen, bedrahtetem > Fototransistor. Gehäuse kleiner 3mm und zur Montage eben kein SMD, > sondern zwei Drähte. Sowas habe ich mir früher aus Transistoren wie BC107 gebastelt (Gehäuse aufsägen). Für kleinere Durchmesser müßte man das Gehäuse noch weiter abfeilen, und irgendwas (engeres Röhrchen...) als mechanischen Schutz aufsetzen. DoDi
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| From | Joerg <news@analogconsultants.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-19 13:02 -0800 |
| Message-ID | <e9bsunFo8fpU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217080 |
On 2016-11-19 12:28, Hans-Peter Diettrich wrote: > Michael Reinck schrieb: >> Hallo, >> >> Ich bin auf der Suche nach einem Tageslicht-empfindlichen, bedrahtetem >> Fototransistor. Gehäuse kleiner 3mm und zur Montage eben kein SMD, >> sondern zwei Drähte. > > Sowas habe ich mir früher aus Transistoren wie BC107 gebastelt (Gehäuse > aufsägen). Für kleinere Durchmesser müßte man das Gehäuse noch weiter > abfeilen, und irgendwas (engeres Röhrchen...) als mechanischen Schutz > aufsetzen. > Ganz frueher haben wir bei Transistoren der OC Serien nur den schwarzen Lack vom Glasgehaeuse kratzen muessen. http://www.pigdogpedals.com/wp-content/uploads/2013/11/IMG_8561-e1384886428970.jpg -- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
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| From | Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-21 00:40 +0100 |
| Message-ID | <e9evb7FgdmiU4@mid.individual.net> |
| In reply to | #217081 |
Joerg schrieb: > On 2016-11-19 12:28, Hans-Peter Diettrich wrote: >> Sowas habe ich mir früher aus Transistoren wie BC107 gebastelt (Gehäuse >> aufsägen). Für kleinere Durchmesser müßte man das Gehäuse noch weiter >> abfeilen, und irgendwas (engeres Röhrchen...) als mechanischen Schutz >> aufsetzen. >> > > Ganz frueher haben wir bei Transistoren der OC Serien nur den schwarzen > Lack vom Glasgehaeuse kratzen muessen. Die lassen sich aber noch schlechter auf unter 3mm zurechtstutzen :-( Meine Versuche, Transistoren selbst aus Ge-Kristallen herzustellen, waren leider nicht von Erfolg gekrönt, sonst wäre das noch eine Möglichkeit gewesen. Ansonsten sollten LED oder Photo-Dioden eher kleinformatig erhältlich sein, meine erste (IR) LED hatte nur gefühlte 2mm Durchmesser. Bei Transistoren macht der dritte Draht Probleme, andererseits kann man bei Phototransistoren auf die Basis verzichten. DoDi
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| From | Joerg <news@analogconsultants.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-21 07:31 -0800 |
| Message-ID | <e9gi9uFs017U1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217136 |
On 2016-11-20 15:40, Hans-Peter Diettrich wrote: > Joerg schrieb: >> On 2016-11-19 12:28, Hans-Peter Diettrich wrote: > >>> Sowas habe ich mir früher aus Transistoren wie BC107 gebastelt (Gehäuse >>> aufsägen). Für kleinere Durchmesser müßte man das Gehäuse noch weiter >>> abfeilen, und irgendwas (engeres Röhrchen...) als mechanischen Schutz >>> aufsetzen. >>> >> >> Ganz frueher haben wir bei Transistoren der OC Serien nur den >> schwarzen Lack vom Glasgehaeuse kratzen muessen. > > Die lassen sich aber noch schlechter auf unter 3mm zurechtstutzen :-( > > Meine Versuche, Transistoren selbst aus Ge-Kristallen herzustellen, > waren leider nicht von Erfolg gekrönt, sonst wäre das noch eine > Möglichkeit gewesen. Ansonsten sollten LED oder Photo-Dioden eher > kleinformatig erhältlich sein, meine erste (IR) LED hatte nur gefühlte > 2mm Durchmesser. Bei Transistoren macht der dritte Draht Probleme, > andererseits kann man bei Phototransistoren auf die Basis verzichten. > Warum sollte der dritte Draht ein Problem sein? Ich habe noch winzige Ge-Transistoren aus den 60ern, die fuer Hoergereaete entwickelt worden waren. Den dritten Draht sollte man besonders in EMV-kritischen Geraeten beschalten. Diese Winztransistoren waren jedoch schon damals in Metalltoepfchen und man haette keine Photoanwendung damit machen koennen. -- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
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| From | Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-21 19:54 +0100 |
| Message-ID | <e9ikgeFclqgU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217156 |
Joerg schrieb: > On 2016-11-20 15:40, Hans-Peter Diettrich wrote: > Warum sollte der dritte Draht ein Problem sein? Ich habe noch winzige > Ge-Transistoren aus den 60ern, die fuer Hoergereaete entwickelt worden > waren. Den dritten Draht sollte man besonders in EMV-kritischen Geraeten > beschalten. Davon hatte ich eine ganze Tüte von einem Modellbauer, allerdings im Teerbatzen, also ungeeignet für Photo. > Diese Winztransistoren waren jedoch schon damals in Metalltoepfchen und > man haette keine Photoanwendung damit machen koennen. Hmm, vielleicht habe ich die mal im russischen Mikro Radio gesehen. Ein Fenster ins Gehäuse feilen/schleifen sollte trotzdem möglich sein. DoDi
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| From | Joerg <news@analogconsultants.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-22 10:10 -0800 |
| Message-ID | <e9jg0iFjagnU2@mid.individual.net> |
| In reply to | #217212 |
On 2016-11-21 10:54, Hans-Peter Diettrich wrote: > Joerg schrieb: >> On 2016-11-20 15:40, Hans-Peter Diettrich wrote: > >> Warum sollte der dritte Draht ein Problem sein? Ich habe noch winzige >> Ge-Transistoren aus den 60ern, die fuer Hoergereaete entwickelt worden >> waren. Den dritten Draht sollte man besonders in EMV-kritischen >> Geraeten beschalten. > > Davon hatte ich eine ganze Tüte von einem Modellbauer, allerdings im > Teerbatzen, also ungeeignet für Photo. > >> Diese Winztransistoren waren jedoch schon damals in Metalltoepfchen >> und man haette keine Photoanwendung damit machen koennen. > > Hmm, vielleicht habe ich die mal im russischen Mikro Radio gesehen. Ein > Fenster ins Gehäuse feilen/schleifen sollte trotzdem möglich sein. > Es sei denn, die sind in ins Toepfchen gefuelltes Epoxydharz gedrueckt. -- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
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| From | Lutz Schulze <lschulze@netzwerkseite.de> |
|---|---|
| Date | 2016-11-22 19:30 +0100 |
| Message-ID | <1rs41ysd22sz7$.1twqd677ij2oy$.dlg@40tude.net> |
| In reply to | #217225 |
Am Tue, 22 Nov 2016 10:10:48 -0800 schrieb Joerg: >>> Warum sollte der dritte Draht ein Problem sein? Ich habe noch winzige >>> Ge-Transistoren aus den 60ern, die fuer Hoergereaete entwickelt worden >>> waren. Den dritten Draht sollte man besonders in EMV-kritischen >>> Geraeten beschalten. >> >> Davon hatte ich eine ganze Tüte von einem Modellbauer, allerdings im >> Teerbatzen, also ungeeignet für Photo. >> >>> Diese Winztransistoren waren jedoch schon damals in Metalltoepfchen >>> und man haette keine Photoanwendung damit machen koennen. >> >> Hmm, vielleicht habe ich die mal im russischen Mikro Radio gesehen. Ein >> Fenster ins Gehäuse feilen/schleifen sollte trotzdem möglich sein. >> > > Es sei denn, die sind in ins Toepfchen gefuelltes Epoxydharz gedrueckt. Habe das damals mit einigen Exemplaren so praktiziert. Selbst mit Leistungstransistoren funktionierte das, z.B. P241. Kupfergehäuse aufgesägt, Taschenlampe direkt auf den Chip richten und der kleine Motor lief. Dann mit durchsichtigem Kleber (Duosan) vergossen damit der Halbleiter keinen Schaden nimmt ;-) Lutz -- Mit unseren Sensoren ist der Administrator informiert, bevor es Probleme im Serverraum gibt: preiswerte Monitoring Hard- und Software-kostenloses Plugin auch für Nagios - Nachricht per e-mail,SMS und SNMP: http://www.messpc.de Messwerte nachträgliche Wärmedämmung http://www.messpc.de/waermedaemmung.php
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| From | Joerg <news@analogconsultants.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-22 12:36 -0800 |
| Message-ID | <e9joi2Flg70U1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217229 |
On 2016-11-22 10:30, Lutz Schulze wrote: > Am Tue, 22 Nov 2016 10:10:48 -0800 schrieb Joerg: > >>>> Warum sollte der dritte Draht ein Problem sein? Ich habe noch winzige >>>> Ge-Transistoren aus den 60ern, die fuer Hoergereaete entwickelt worden >>>> waren. Den dritten Draht sollte man besonders in EMV-kritischen >>>> Geraeten beschalten. >>> >>> Davon hatte ich eine ganze Tüte von einem Modellbauer, allerdings im >>> Teerbatzen, also ungeeignet für Photo. >>> >>>> Diese Winztransistoren waren jedoch schon damals in Metalltoepfchen >>>> und man haette keine Photoanwendung damit machen koennen. >>> >>> Hmm, vielleicht habe ich die mal im russischen Mikro Radio gesehen. Ein >>> Fenster ins Gehäuse feilen/schleifen sollte trotzdem möglich sein. >>> >> >> Es sei denn, die sind in ins Toepfchen gefuelltes Epoxydharz gedrueckt. > > Habe das damals mit einigen Exemplaren so praktiziert. Selbst mit > Leistungstransistoren funktionierte das, z.B. P241. Kupfergehäuse aufgesägt, > Taschenlampe direkt auf den Chip richten und der kleine Motor lief. > Stimmt, jetzt wo Du es sagst. Bei TO3 Transistoren konnte man den Deckel abflexen und darunter erschien der nackte Chip. Kleinere waren jedoch oft vergossen, zumindest die aus dem Westen. Daran wollte ich damals mein Schuelermikroskop ausprobieren, sehen wie Epitaxialtransistoren von ganz nah aussehen, wurde aber nichts. > Dann mit durchsichtigem Kleber (Duosan) vergossen damit der Halbleiter > keinen Schaden nimmt ;-) > Oder klaren Fugenkitt nehmen. -- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
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| From | Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> |
|---|---|
| Date | 2016-11-21 20:41 +0100 |
| Message-ID | <o0vikr$ou6$2@dont-email.me> |
| In reply to | #217081 |
Joerg schrieb: > > Ganz frueher haben wir bei Transistoren der OC Serien nur den schwarzen Lack vom Glasgehaeuse kratzen muessen. > > http://www.pigdogpedals.com/wp-content/uploads/2013/11/IMG_8561-e1384886428970.jpg Nicht nur ganz früher. Die Geranien gingen weiter ins IR als die Sizilianer. -- mfg Rolf Bombach
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| From | Joerg <news@analogconsultants.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-22 10:13 -0800 |
| Message-ID | <e9jg54FjagnU3@mid.individual.net> |
| In reply to | #217185 |
On 2016-11-21 11:41, Rolf Bombach wrote: > Joerg schrieb: >> >> Ganz frueher haben wir bei Transistoren der OC Serien nur den >> schwarzen Lack vom Glasgehaeuse kratzen muessen. >> >> http://www.pigdogpedals.com/wp-content/uploads/2013/11/IMG_8561-e1384886428970.jpg >> > > Nicht nur ganz früher. Die Geranien gingen weiter ins IR als die > Sizilianer. > Ge-Transistoren haben einige weitere Vorteile wie Betrieb mit sehr niedrigen Spannungen. Ok, geht auch mit manchen JFETs, aber ich weiss nicht, warum Ge-Transistoren so gut wie komplett vom Markt verschwunden sind. Ge-Dioden gibt (gab?) es ja zumindest noch aus Asien. -- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
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| From | Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-24 04:25 +0100 |
| Message-ID | <e9n5daFfsikU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217226 |
Joerg schrieb: > Ge-Transistoren haben einige weitere Vorteile wie Betrieb mit sehr > niedrigen Spannungen. Ok, geht auch mit manchen JFETs, aber ich weiss > nicht, warum Ge-Transistoren so gut wie komplett vom Markt verschwunden > sind. Ge-Dioden gibt (gab?) es ja zumindest noch aus Asien. Vermutlich ist die Fertigung deutlich aufwendiger. Integration wie bei Si ist mit Ge nicht möglich, vielleicht wegen instabiler Oxidschicht. Die alten OC hatten einen Träger mit dem Basis-Anschluß, und links und recths einen kleinen und einen großen Knubbel für E und C. Kein Vergleich mit Si, mit quasi gedruckten Zonen und Metallisierung. DoDi
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| From | Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> |
|---|---|
| Date | 2016-11-24 10:26 +0100 |
| Message-ID | <o16bo9$1afg$1@gioia.aioe.org> |
| In reply to | #217277 |
Am 24.11.2016 um 04:25 schrieb Hans-Peter Diettrich: > Joerg schrieb: > >> Ge-Transistoren haben einige weitere Vorteile wie Betrieb mit sehr >> niedrigen Spannungen. Ok, geht auch mit manchen JFETs, aber ich weiss >> nicht, warum Ge-Transistoren so gut wie komplett vom Markt >> verschwunden sind. Ge-Dioden gibt (gab?) es ja zumindest noch aus Asien. Schon mal was von Marktwirtschaft gehört? > Vermutlich ist die Fertigung deutlich aufwendiger. Integration wie bei > Si ist mit Ge nicht möglich, vielleicht wegen instabiler Oxidschicht. Das Problem ist, dass die Dotieratome schon bei sehr mäßiger Temperatur stark diffundieren. Das macht vor allem die Inonenimplantation praktisch unmöglich. > Die alten OC hatten einen Träger mit dem Basis-Anschluß, und links und > recths einen kleinen und einen großen Knubbel für E und C. Deshalb waren diese Legierungstransistoren auch so teuer. > Kein > Vergleich mit Si, mit quasi gedruckten Zonen und Metallisierung. Einfache Planartechnik geht auch mit Germanium. Gruß Dieter
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