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Groups > de.sci.electronics > #189422 > unrolled thread
| Started by | Uwe Bonnes <bon@hertz.ikp.physik.tu-darmstadt.de> |
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| First post | 2015-07-14 19:03 +0000 |
| Last post | 2015-07-14 22:06 +0200 |
| Articles | 15 — 8 participants |
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Re: Warum brennen diese FETs durch? Uwe Bonnes <bon@hertz.ikp.physik.tu-darmstadt.de> - 2015-07-14 19:03 +0000
Re: Warum brennen diese FETs durch? Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> - 2015-07-14 21:09 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> - 2015-07-15 11:17 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? "Ralph A. Schmid, dk5ras" <ralph@schmid.xxx> - 2015-07-15 11:53 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> - 2015-07-15 12:30 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> - 2015-07-15 13:42 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> - 2015-07-15 20:39 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> - 2015-08-03 17:02 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Michael S <michaely@bigfoot.de> - 2015-08-03 17:12 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> - 2015-08-04 07:59 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Michael S <michaely@bigfoot.de> - 2015-08-04 08:08 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> - 2015-08-04 10:58 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Matthias Dingeldein <matthias.dingeldein@rwth-aachen.de> - 2015-08-04 21:39 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Klaus Butzmann <k.butzmann.usenet@online.de> - 2015-08-04 23:32 +0200
Re: Warum brennen diese FETs durch? Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> - 2015-07-14 22:06 +0200
| From | Uwe Bonnes <bon@hertz.ikp.physik.tu-darmstadt.de> |
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| Date | 2015-07-14 19:03 +0000 |
| Subject | Re: Warum brennen diese FETs durch? |
| Message-ID | <mo3me8$elv$1@lnx107.hrz.tu-darmstadt.de> |
Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> wrote: > Ich habe ein Problem mit folgender Schaltung: > http://www.edzeg.net/grafik/ausgang_strom.png > Es handelt sich um die Ausgangsschaltung einer 12A-Stromquelle und der Strombegrenzung mit NPN an jedem MOSFET: An Beispiel von Q1: - Emitter an die Sammelleitung der FETs ( Fusspunkt R26) - Basis an Verbindung Source Q1 / R26 - Collector an Gate Q1/R14 Mit der 0.7 Volt Transistor Annahme zieht der NPN das Gate ab etwa 7 Ampere herunter und gewinnt gegenueber der Treiberstrom aus U9/R14. Hope this helps. -- Uwe Bonnes bon@elektron.ikp.physik.tu-darmstadt.de Institut fuer Kernphysik Schlossgartenstrasse 9 64289 Darmstadt --------- Tel. 06151 162516 -------- Fax. 06151 164321 ----------
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| From | Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> |
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| Date | 2015-07-14 21:09 +0200 |
| Message-ID | <mo3mpj$a9d$1@gwaiyur.mb-net.net> |
| In reply to | #189422 |
Uwe Bonnes schrieb: > Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> wrote: >> Ich habe ein Problem mit folgender Schaltung: > >> http://www.edzeg.net/grafik/ausgang_strom.png > >> Es handelt sich um die Ausgangsschaltung einer 12A-Stromquelle und der > > Strombegrenzung mit NPN an jedem MOSFET: > An Beispiel von Q1: > - Emitter an die Sammelleitung der FETs ( Fusspunkt R26) > - Basis an Verbindung Source Q1 / R26 > - Collector an Gate Q1/R14 > > Mit der 0.7 Volt Transistor Annahme zieht der NPN das Gate ab etwa 7 Ampere > herunter und gewinnt gegenueber der Treiberstrom aus U9/R14. > > Hope this helps. Hah, das ist genial! Schneller geht nicht! Da werde ich morgen den Lötkolben anwerfen und dann mal rumbrazzeln!
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| From | Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> |
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| Date | 2015-07-15 11:17 +0200 |
| Message-ID | <mo59oo$fjb$1@news4.open-news-network.org> |
| In reply to | #189424 |
Edzard Egberts wrote: > Uwe Bonnes schrieb: >> Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> wrote: >>> Ich habe ein Problem mit folgender Schaltung: >> >>> http://www.edzeg.net/grafik/ausgang_strom.png >> >>> Es handelt sich um die Ausgangsschaltung einer 12A-Stromquelle und der >> >> Strombegrenzung mit NPN an jedem MOSFET: >> An Beispiel von Q1: >> - Emitter an die Sammelleitung der FETs ( Fusspunkt R26) >> - Basis an Verbindung Source Q1 / R26 >> - Collector an Gate Q1/R14 >> >> Mit der 0.7 Volt Transistor Annahme zieht der NPN das Gate ab etwa 7 Ampere >> herunter und gewinnt gegenueber der Treiberstrom aus U9/R14. > dann mal rumbrazzeln! Bin begeistert, nicht mehr kaputt zu kriegen! Läßt sich auch einfach nachrüsten und ist schon im Layout für die nächste Serie drinnen, die sollte in Kürze bestellt werden. :o)
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| From | "Ralph A. Schmid, dk5ras" <ralph@schmid.xxx> |
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| Date | 2015-07-15 11:53 +0200 |
| Message-ID | <labcqadvc1rc44r64m2es9jctudkgo2v0n@4ax.com> |
| In reply to | #189460 |
Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> wrote: >Bin begeistert, nicht mehr kaputt zu kriegen! Läßt sich auch einfach >nachrüsten und ist schon im Layout für die nächste Serie drinnen, die >sollte in Kürze bestellt werden. :o) Prima, einfach, billig, relativ elegant, erfüllt offenbar den Zweck, und das bisherige bewährte Regelverhalten ist unangetastet. Was will man mehr?! :) -ras -- Ralph A. Schmid http://www.schmid.xxx/ http://www.db0fue.de/ http://www.bclog.de/ http://www.kabuliyan.de/
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| From | Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> |
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| Date | 2015-07-15 12:30 +0200 |
| Message-ID | <mo5cjg$68f$1@speranza.aioe.org> |
| In reply to | #189464 |
Am 15.07.2015 11:53, schrieb Ralph A. Schmid, dk5ras: > Edzard Egberts<ed_09@tantec.de> wrote: > >> Bin begeistert, nicht mehr kaputt zu kriegen! Läßt sich auch einfach >> nachrüsten und ist schon im Layout für die nächste Serie drinnen, die >> sollte in Kürze bestellt werden. :o) > > Prima, einfach, billig, relativ elegant, erfüllt offenbar den Zweck, > und das bisherige bewährte Regelverhalten ist unangetastet. Was will > man mehr?! :) Durch Messung feststellen, dass man innerhalb der SOA bleibt. Gruß Dieter
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| From | Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> |
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| Date | 2015-07-15 13:42 +0200 |
| Message-ID | <mo5i91$3ot$1@news4.open-news-network.org> |
| In reply to | #189465 |
Dieter Wiedmann wrote: > Am 15.07.2015 11:53, schrieb Ralph A. Schmid, dk5ras: >> Edzard Egberts<ed_09@tantec.de> wrote: >> >>> Bin begeistert, nicht mehr kaputt zu kriegen! Läßt sich auch einfach >>> nachrüsten und ist schon im Layout für die nächste Serie drinnen, die >>> sollte in Kürze bestellt werden. :o) >> >> Prima, einfach, billig, relativ elegant, erfüllt offenbar den Zweck, >> und das bisherige bewährte Regelverhalten ist unangetastet. Was will >> man mehr?! :) > > Durch Messung feststellen, dass man innerhalb der SOA bleibt. Im Moment ist das arg auf Kante genäht, deshalb habe ich in der nächsten Serie für R26 bis R29 noch eine Erhöhung von 0.1 R auf 0.15 R vorgesehen (die haben übrigens 3 W, nicht 2 W). Für die bestehenden Geräte muss das so aber reichen, schließlich geht es hier nicht um einen wiederholten Betriebszustand, sondern um das Abfangen von "Unfällen", wie Kurzschluß oder Wackelkontakt im Versuchsaufbau. Das war jetzt in zwei Jahren der erste Rückläufer von etwa 20 Geräten... Gestern hat mich noch ein Kunde für felsenfest stabil laufende Software gelobt, da möchte ich mir doch keine ausfallenden Schaltungen nachsagen lassen. ;o)
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| From | Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> |
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| Date | 2015-07-15 20:39 +0200 |
| Message-ID | <mo69e9$v79$1@gwaiyur.mb-net.net> |
| In reply to | #189469 |
Wolfgang Schmidt schrieb: > Ich hätte aber noch ne Idee, warum es überhaupt auftritt. > > Mit welcher Spannung steuerst du das Gate an? Wenn die zu niedrig ist, > landest du bei hohem Strom im linearen Bereich und das mögen manche > MOSFets nicht so gerne. Die Schaltung sollte ausschließlich im linearen Bereich arbeiten. Der OpAmp kann bis zu 12 V draufgeben, aber der Arbeitspunkt lag weit darunter (mir fallen 6 V ein, ist aber schon länger her).
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| From | Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> |
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| Date | 2015-08-03 17:02 +0200 |
| Message-ID | <mpo17k$dnj$1@news4.open-news-network.org> |
| In reply to | #189460 |
Edzard Egberts wrote: > Ich habe da einen BC547B genommen, mit hFE= 200, Base Emitter On Voltage > 0.55 bis 0.70 (Typical Saturation Voltage 0.9 V) und Maximum Base > Current Peak von 200 mA. Die Annahme, dass der schon durchsteuert und > den FET dicht macht (weniger leiten), bevor es eng wird, ist zu > optimistisch? Inzwischen konnte ich mir die Schaltung mit dem Oszi noch etwas genauer ansehen: Beim Aufschalten einer Spannung (5 V auf 47000 µF, dahinter ein 5A-Netzteil) steigt die Spannung am Shunt innerhalb von 5µs auf 0.8 V (entspricht 8A) und schwingt dann innerhalb von 10 - 15 µs auf 0.7 V (7 A) ein. Einige 100ms später sieht man, wie sich der Kondensator entlädt und sich die 5A des Netzteils einstellen. Das sieht also sehr gut aus, innerhalb von maximal 20 µs stabil und mit maximal 8 A liegt das sehr gut innerhalb der SOA. Mit einer "typical Saturation Voltage" von 0.9 V bei 5 mA schien der 0.8 V-Peak auch gut innerhalb der BC547-Spezifikation zu liegen, aber das wollte ich mir genauer ansehen, also einen 1 Ohm-Widerstand vor die Basis und den zweiten Kanal angeworfen. Da konnte ich dann im Nanosekundenbereich vor dem Widerstand Schwingungen sehen (Kontaktprellen) und das sah nicht so gut aus: Während die Spannung an der Basis sich nur langsam änderte, lagen über dem Widerstand Schwingungen mit 200 mV Amplitude, einmal habe ich sogar bis 600 mV gesehen - das entspricht also Basis-Stromimpulsen von bis zu 600 mA und ist deutlich über der Toleranz. Also letztendlich doch noch einen Basisvorwiderstand von 56 Ohm eingebaut. Der hat weder an den Schwingungen, noch an der Schaltzeit etwas geändert, begrenzt den maximal möglichen Basisstrom aber auf ca. 10 mA und damit ist die gesamte Schaltung weit im sicheren Bereich. Um für ganz kurze Peaks sicher zu gehen, ist der Vorwiderstand also nötig, auch wenn ich den ganzen Nachmittag herumgebrazzelt habe, ohne dass ein Bauteil kaputt gegangen wäre.
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| From | Michael S <michaely@bigfoot.de> |
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| Date | 2015-08-03 17:12 +0200 |
| Message-ID | <d29em7FlpktU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #190431 |
Am 03.08.2015 um 17:02 schrieb Edzard Egberts: > Edzard Egberts wrote: >> Ich habe da einen BC547B genommen, mit hFE= 200, Base Emitter On Voltage >> 0.55 bis 0.70 (Typical Saturation Voltage 0.9 V) und Maximum Base >> Current Peak von 200 mA. Die Annahme, dass der schon durchsteuert und >> den FET dicht macht (weniger leiten), bevor es eng wird, ist zu >> optimistisch? > > Inzwischen konnte ich mir die Schaltung mit dem Oszi noch etwas genauer > ansehen: > > Beim Aufschalten einer Spannung (5 V auf 47000 µF, dahinter ein > 5A-Netzteil) steigt die Spannung am Shunt innerhalb von 5µs auf 0.8 V > (entspricht 8A) und schwingt dann innerhalb von 10 - 15 µs auf 0.7 V (7 > A) ein. Einige 100ms später sieht man, wie sich der Kondensator entlädt > und sich die 5A des Netzteils einstellen. Das sieht also sehr gut aus, > innerhalb von maximal 20 µs stabil und mit maximal 8 A liegt das sehr > gut innerhalb der SOA. > > Mit einer "typical Saturation Voltage" von 0.9 V bei 5 mA schien der 0.8 > V-Peak auch gut innerhalb der BC547-Spezifikation zu liegen, aber das > wollte ich mir genauer ansehen, also einen 1 Ohm-Widerstand vor die > Basis und den zweiten Kanal angeworfen. Da konnte ich dann im > Nanosekundenbereich vor dem Widerstand Schwingungen sehen Messfehler. Widerstände haben auch eine Induktivität, daher Rühren die Spannungsspitzen. Tastkopfmasse über Masseschwanz oder ganz kurz angebunden? Mit Masseschwanz werden Messungen unter 100ns zu schlechten Schätzungen und unter 10ns misst man damit völligen Käse. -- Michael
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| From | Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> |
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| Date | 2015-08-04 07:59 +0200 |
| Message-ID | <mpplp0$8d7$1@news4.open-news-network.org> |
| In reply to | #190432 |
Michael S wrote: > Am 03.08.2015 um 17:02 schrieb Edzard Egberts: >> Mit einer "typical Saturation Voltage" von 0.9 V bei 5 mA schien der 0.8 >> V-Peak auch gut innerhalb der BC547-Spezifikation zu liegen, aber das >> wollte ich mir genauer ansehen, also einen 1 Ohm-Widerstand vor die >> Basis und den zweiten Kanal angeworfen. Da konnte ich dann im >> Nanosekundenbereich vor dem Widerstand Schwingungen sehen > > Messfehler. > Widerstände haben auch eine Induktivität, daher Rühren die > Spannungsspitzen. An einen Messfehler habe ich auch gedacht, mich wundert nur, dass ich die Schwingungen über dem 0.1 Ohm-Widerstand sehe, aber nicht mehr an der Basis vom Transistor. > Tastkopfmasse über Masseschwanz oder ganz kurz angebunden? Tastkopf mit Masseklemme direkt am 0.1 Ohm-Widerstand. Ich müsste aber noch irgendwo einen defekten Tastkopf herumfliegen haben, damit könnte ich das Kabel direkt anlöten. Sonst irgendwelche Vorschläge, den Aufbau kann ich noch etwas stehen lassen.
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| From | Michael S <michaely@bigfoot.de> |
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| Date | 2015-08-04 08:08 +0200 |
| Message-ID | <d2b36uF3l1nU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #190495 |
Am 04.08.2015 um 07:59 schrieb Edzard Egberts: > Michael S wrote: >> Am 03.08.2015 um 17:02 schrieb Edzard Egberts: >>> Mit einer "typical Saturation Voltage" von 0.9 V bei 5 mA schien der 0.8 >>> V-Peak auch gut innerhalb der BC547-Spezifikation zu liegen, aber das >>> wollte ich mir genauer ansehen, also einen 1 Ohm-Widerstand vor die >>> Basis und den zweiten Kanal angeworfen. Da konnte ich dann im >>> Nanosekundenbereich vor dem Widerstand Schwingungen sehen >> >> Messfehler. >> Widerstände haben auch eine Induktivität, daher Rühren die >> Spannungsspitzen. > > An einen Messfehler habe ich auch gedacht, mich wundert nur, dass ich > die Schwingungen über dem 0.1 Ohm-Widerstand sehe, aber nicht mehr an > der Basis vom Transistor. > >> Tastkopfmasse über Masseschwanz oder ganz kurz angebunden? > > Tastkopf mit Masseklemme direkt am 0.1 Ohm-Widerstand. Ich müsste aber > noch irgendwo einen defekten Tastkopf herumfliegen haben, Man macht das in der Regel so: http://i.stack.imgur.com/PSo3N.jpg Kann man sich auch mit Silberdraht selbst wickeln und dadurch auf der Platine festlöten. Der Tastkopf wird dann wie ein Stecker einfach nur noch eingesteckt. Aber auch dann wirst Du wohl Mist messen, denn Du koppelst die komplette Oszi-Masse mit dem Basis-Potential des Transistors. Die Oszi-Masse hängt aber am PE und somit hängt plötzlich die ganze Erde an der Basis. Hier wirds dann mit konventionellen Tastköpfen echt schwierig. Ich mach dann häufig mit Feldsonden weiter, aber die hat man im Privatbereich eher nicht bzw. muss sie sich selbst basteln. http://www.langer-emv.de/produkt/e/rf-30-mhz-3-ghz/ Gescheite Differenztastköpfe (sowas bräuchtest Du hier) sind sehr teuer. Aber auch das gibts Bastelvorschläge im Internet. -- Michael
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| From | Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> |
|---|---|
| Date | 2015-08-04 10:58 +0200 |
| Message-ID | <mpq08r$1bk$1@news4.open-news-network.org> |
| In reply to | #190497 |
Michael S wrote: > Am 04.08.2015 um 07:59 schrieb Edzard Egberts: >> Michael S wrote: >>> Am 03.08.2015 um 17:02 schrieb Edzard Egberts: >>>> Mit einer "typical Saturation Voltage" von 0.9 V bei 5 mA schien der >>>> 0.8 >>>> V-Peak auch gut innerhalb der BC547-Spezifikation zu liegen, aber das >>>> wollte ich mir genauer ansehen, also einen 1 Ohm-Widerstand vor die >>>> Basis und den zweiten Kanal angeworfen. Da konnte ich dann im >>>> Nanosekundenbereich vor dem Widerstand Schwingungen sehen >>> >>> Messfehler. >>> Widerstände haben auch eine Induktivität, daher Rühren die >>> Spannungsspitzen. >> >> An einen Messfehler habe ich auch gedacht, mich wundert nur, dass ich >> die Schwingungen über dem 0.1 Ohm-Widerstand sehe, aber nicht mehr an >> der Basis vom Transistor. >> >>> Tastkopfmasse über Masseschwanz oder ganz kurz angebunden? >> >> Tastkopf mit Masseklemme direkt am 0.1 Ohm-Widerstand. Ich müsste aber >> noch irgendwo einen defekten Tastkopf herumfliegen haben, > > Man macht das in der Regel so: > http://i.stack.imgur.com/PSo3N.jpg Hmpf - das habe ich komplett vergessen, kommt davon, wenn man im Abstand von Jahren mal wieder an Elektronik gesetzt wird. Du hattest jedenfalls Recht und damit gibt es schöne klare Bilder: Mit 56 Ohm kann man sehen, dass die Spannungen vor und nach dem Basiswiderstand linear ansteigen und bei 0.7 V vor dem Widerstand und 0.3 V nach dem Widerstand ungefähr 7 mA fließen, wenn die Schaltung nach 7 µs mit dem Abregeln anfängt. Mit 1 Ohm Basiswiderstand fängt es nach 7 µs und bei 0.75 V mit dem Abregeln an, aber die Basisspannung liegt jetzt bei fast 0,4 V (was bei höherem Basisstrom zu erwarten war). Das ist schlecht, denn daraus folgen ca. 350 mA Peak-Basistrom. Die Peaks werden dann zwar schnell kleiner, aber auch eingeschwungen bleiben 80 mV Differenzspannung, also 80 mA Basisstrom und die sind eindeutig zu viel. > Gescheite Differenztastköpfe (sowas bräuchtest Du hier) sind sehr teuer. Der Drahtwickel hat es schon gebracht - kein "Gekritzel" mehr über der Kurve und alles passt plausibel zusammen. Dass im eingeschwungenen Zustand noch so viel über die Basis geht, hat mich aber überrascht, da hätte ich mit einer stärkeren "Abregelung" gerechnet. Der Basiswiderstand ist also in jedem Fall sinnvoll, da müssen nicht einmal richtig schnelle Peaks kommen.
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| From | Matthias Dingeldein <matthias.dingeldein@rwth-aachen.de> |
|---|---|
| Date | 2015-08-04 21:39 +0200 |
| Message-ID | <10h79c-073.ln1@ID-232218.user.uni-berlin.de> |
| In reply to | #190497 |
Michael S wrote: > Am 04.08.2015 um 07:59 schrieb Edzard Egberts: >> Tastkopf mit Masseklemme direkt am 0.1 Ohm-Widerstand. Ich müsste aber >> noch irgendwo einen defekten Tastkopf herumfliegen haben, > > Man macht das in der Regel so: > http://i.stack.imgur.com/PSo3N.jpg Ein Bekannter nimmt Feinsicherungsclips*), denen er ueberschuessige Haltenasen abknipst, und in die man die Tastkoepfe reinstecken kann. Die werden dann so auf die Platine geloetet, dass die Tastkopfspitze das Signal abgreifen, das man sehen will (also quasi ein Advanced-Testpad). Gruss, Matthias Dingeldein *) z.B. http://www.schurter.ch/var/schurter/storage/ilcatalogue/files/alias/product_wsc/large/231828.jpg -- ... und immer ne Handbreit Schiene unter den Raedern!
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| From | Klaus Butzmann <k.butzmann.usenet@online.de> |
|---|---|
| Date | 2015-08-04 23:32 +0200 |
| Message-ID | <mprb21$sso$1@news.albasani.net> |
| In reply to | #190534 |
Am 04.08.2015 um 21:39 schrieb Matthias Dingeldein: > Ein Bekannter nimmt Feinsicherungsclips*), denen er ueberschuessige > Haltenasen abknipst, und in die man die Tastkoepfe reinstecken kann. Super Idee, Danke! Butzo
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| From | Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> |
|---|---|
| Date | 2015-07-14 22:06 +0200 |
| Message-ID | <mo3q4m$ibp$1@gwaiyur.mb-net.net> |
| In reply to | #189422 |
On 14.07.15 21.03, Uwe Bonnes wrote: > Edzard Egberts <ed_09@tantec.de> wrote: >> Ich habe ein Problem mit folgender Schaltung: > >> http://www.edzeg.net/grafik/ausgang_strom.png > >> Es handelt sich um die Ausgangsschaltung einer 12A-Stromquelle und der > > Strombegrenzung mit NPN an jedem MOSFET: > An Beispiel von Q1: > - Emitter an die Sammelleitung der FETs ( Fusspunkt R26) > - Basis an Verbindung Source Q1 / R26 > - Collector an Gate Q1/R14 Das ist auf jeden Fall eine gute Idee. Evtl. würde eine gemeinsame Ansteuerung der FETs die Sache bei Transienten auch noch etwas beruhigen. Das verschlechtert allerdings Balance im stationären Betrieb, aber zusammen mit der Strombegrenzung klappt das ggf. trotzdem. Zumindest die 10nF in der Gegenkopplung sind brutal viel. Da würde vmtl. auch ein Gang weniger reichen. Allerdings ist die Gegenkopplung über R26 & Co sowieso mehr als problematisch, da das Bezugspotential bei Transienten alles andere als konstant ist. Die Serieninduktivitäten der Verbindungen können einem da ganz schön in die Suppe spucken. Falls wirklich nur Niederfequentes geregelt werden soll, könnte man sich gefährliche Transienten auch mit einer Serieninduktivität an Strom-+ vom Hals Schaffen. Dann aber bitte mit einer Freilaufdiode. > Mit der 0.7 Volt Transistor Annahme zieht der NPN das Gate ab etwa 7 Ampere > herunter und gewinnt gegenueber der Treiberstrom aus U9/R14. Realistisch betrachtet machen die Biester in der Anwendung eher bei 0,65V auf. Des weiteren könnte sich eine Si-Diode parallel zu BE und dem Shunt positiv auf die Lebenserwartung des Transistors auswirken. Andernfalls könnte es nämlich bei kurzen Überströmen hässlich große Ibe geben. Ja, die Si-Dioden machen erst ein wenig später auf als Ube. Alternativ geht aber auch ein Basiswiderstand, der so bemessen wird, dass er den Kollektorstrom nicht nennenswert mindert. Pi mal Daumen 10 Ohm. Mit einem zusätzlichen Widerstand zwischen BE kann man dann ggf. auch Feinjustage bzgl. des Abregelstroms betreiben, falls die ~6,5A nicht reichen. Marcel
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