Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren

From	Helmut Schellong <rip@schellong.biz>
Newsgroups	de.sci.electronics
Subject	Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren
Date	2020-12-16 14:41 +0100
Message-ID	<rrd2pb$d7$1@solani.org> (permalink)
References	(10 earlier) <rr8klm$hrt$1@solani.org> <rrahna$v3h$1@solani.org> <50cd4edf58.assel@nuconverter.de> <rrb7fp$jm3$1@solani.org> <964aaedf58.assel@nuconverter.de>

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On 12/16/2020 10:10, Joerg Niggemeyer wrote:
> In message <rrb7fp$jm3$1@solani.org>
>            Helmut Schellong <rip@schellong.biz> wrote:
> 
> 
>> Eher gut 2W, nach 300ns etwa 0,88W, nach 3us etwa 0,14W.
>> Da mußte schon eine RMS-Messung machen.
>> Ich schätze, das kann noch knapp mit SMDminimelf erledigt werden.
> 
> Ich habe so den Eindruck, als ob du nicht in der Lage bist
> SPICE richtig zu bedienen, wenn Du die Verluste in einem Transistor
> hast, dann gehören die Verluste durch den Basisstrom mit dazu.
> Keine Ahnung ob LT-Spice eine W-Probe hat, oder du einfach nur zu unfähig
> bist, eine Verlustleistung eines Transistors zu plotten ?!?!?

Ich bin erstaunt, zu welchen irrigen Erkenntnissen Du hier kommst.
LTspice hat natürlich eine W-Probe.
Verlustleistung Transistor?! Hää? Es geht doch um Leistung R7!

> http://www.nucon.de/infos/rmszupeak.png
> 
> Funktion  RMS ist auch mit dargestellt.

http://www.schellong.de/htm/schaltungen.htm#schalten

.meas TRAN p139 RMS V(O139)*Ic(Q1)+V(B1)*Ib(Q1)
.meas TRAN p441 RMS V(O441)*Ic(Q2)+V(B2)*Ib(Q2)
.meas TRAN pfet RMS V(Ofet)*Ix(M1:D)+V(N001)*Ix(M1:G)

Vorstehende RMS-Messungen (.measure) habe ich doch aus
Leistungsgraphen (W-Probe) gewonnen.

>> Ich schreibe mich fusselig, daß es um Vce(sat) geht.
> 
> Vce sat ist ein Auswahlkriterium von Mehreren. Wenn man eine Schaltung
> dimensioniert ist das Erste die geeigneten Bauteile auszuwählen.
> Danach muss man sicherstellen, dass unter allen Betriebsbedingungen
> die Limits nicht überschritten werden.   RMS ist dazu gerade weniger
> geeignet...........

Unsinn.
Wenn es um Leistungsaufnahme von Widerständen geht, und es geht hier um
die Leistungsaufnahme von R7 (Kontext), ist einzig RMS sinnvoll, um
herauszufinden, ob ein Widerstand überlastet wird.
Du hast diese Frage ja hier aufgebracht!
Leistungs-Peaks sind hier ungeeignet.

Ein Minimelf (0,25W) kann 100µs lang 60 Watt vertragen!
Hier geht es aber eher um 0,01µs und 2,2 Watt.
Die 1N4148 kann 6A vertragen, für 1µs.
Diese Physik kenne ich seit etwa 1972 - muß man mir heute nicht erklären.

Und es geht hier im äußeren Rahmen/Kontext um Vce(sat).
Also Schalten mit minimaler Sättigungsspannung und minimalen Flankenzeiten.
Wie bei einem Schaltnetzteil.
Da ist die Sättigungsspannung (absolut) entscheidend!
Es geht darum, ob ein Produzent mit der Konkurrenz
mithalten kann, in Sachen Wirkungsgrad!

-- 
Mit freundlichen Grüßen
Helmut Schellong   var@schellong.biz
www.schellong.de   www.schellong.com   www.schellong.biz
http://www.schellong.de/c.htm
http://www.schellong.de/htm/audio_proj.htm
http://www.schellong.de/htm/audio_unsinn.htm

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        Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren Helmut Schellong <rip@schellong.biz> - 2020-12-11 17:01 +0100
          Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren Joerg Niggemeyer <joerg.niggemeyer@nucon.de> - 2020-12-11 18:33 +0200
            Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren Helmut Schellong <rip@schellong.biz> - 2020-12-11 19:24 +0100
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                Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren Helmut Schellong <rip@schellong.biz> - 2020-12-16 20:27 +0100
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                Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren Joerg Niggemeyer <joerg.niggemeyer@nucon.de> - 2020-12-17 15:16 +0200
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      Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren Helmut Schellong <rip@schellong.biz> - 2020-12-12 20:58 +0100
  Re: Untersuchung: Schalten mit drei verschiedenen Transistoren Bernd Mayer <beam.bam.boom@knuut.de> - 2020-12-12 22:03 +0100
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