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Toleranzen von Leistungstransistoren

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  Toleranzen von Leistungstransistoren Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> - 2018-03-04 11:51 +0100
    Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Bernd Mayer <beam.bam.boom@knuut.de> - 2018-03-04 12:42 +0100
      Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> - 2018-03-04 15:16 +0100
        Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Bernd Mayer <beam.bam.boom@knuut.de> - 2018-03-05 00:36 +0100
          Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> - 2018-03-05 07:30 +0100
            Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Bernd Mayer <beam.bam.boom@knuut.de> - 2018-03-05 09:39 +0100
            Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Bernd Mayer <beam.bam.boom@knuut.de> - 2018-03-05 09:40 +0100
              Re: Toleranzen von Leistungstransistoren "horst.d.winzler" <horst.d.winzler@web.de> - 2018-03-05 12:56 +0100
                Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> - 2018-03-05 22:44 +0100
                  Re: Toleranzen von Leistungstransistoren "Ralph A. Schmid, dk5ras" <ralph@schmid.xxx> - 2018-03-06 08:48 +0100
    Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> - 2018-03-04 14:24 +0100
      Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2018-03-05 10:33 +0100
    Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Marte Schwarz <marte.schwarz@gmx.de> - 2018-03-04 15:19 +0100
      Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Marcel Mueller <news.5.maazl@spamgourmet.org> - 2018-03-04 16:26 +0100
        Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Marte Schwarz <marte.schwarz@gmx.de> - 2018-03-04 22:31 +0100
      Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Gregor Szaktilla <spam0.sz@ktilla.de> - 2018-03-04 18:25 +0100
      Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Hanno Foest <hurga-news2@tigress.com> - 2018-03-04 23:56 +0100
      Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Martin Klaiber <usenet.martinkl@gmx.de> - 2018-03-06 13:47 +0100
        Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Eric Bruecklmeier <usenet@nerdcraft.de> - 2018-03-07 10:16 +0100
          Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Marte Schwarz <marte.schwarz@gmx.de> - 2018-03-07 18:58 +0100
            Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Eric Bruecklmeier <usenet@nerdcraft.de> - 2018-03-08 08:29 +0100
        Re: Toleranzen von Leistungstransistoren Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2018-04-22 22:39 +0200

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#241742

Am 07.03.2018 um 18:58 schrieb Marte Schwarz:
> Hi Eric,
> 
>>> Woher rühren eigentlich die erhöhten Toleranzen der Transistoren
>>> zwischen den Chargen, bzw. was hält die Toleranzen innerhalb einer
>>> Charge geringer als zwischen Chargen?
>>
>> Das kann man so pauschal nicht beantworten. Es können z.B. 
>> Inhomogenitäten im Ofen, in Sputter- oder VD-Anlagen, in Plasmaätzern 
>> aber auch beim Implant sein. Je nach Prozess wird Naßchemie auch noch 
>> mit Stoppuhr von Hand durchgeführt.
> 
> Manchmal, gerade bei den einfachen und anspruchslosen Teilen weiss man 
> noch nicht einmal, was die tatsächlich können, sie müssen ja nur die 
> Minimalspecs garantieren. Was man dafür dann verbaut, ist nicht immer 
> aus der gleichen Fertigung, sondern kann aus ganz anderen Produktionen 
> stammen, wo noch Platz auf den Wavern war oder eben Transistoren, die 
> deutlich besser hättens ein sollen, aber die Specs knapp reissen. Statt 
> die als Ausschuß wegzuwerfen, kann man die auch in ein Billiglabel 
> stecken und so wenigstens noch was einnehmen.
> 
> Marte

Das und dann kommt dazu noch, daß auch viele Markenhersteller einfache 
Bauelemente zukaufen, weil sich die Herstellung kaum noch lohnt. Da ist 
dann ebenfalls unklar, was man eigentlich bekommt.

Was ich oben schrieb gilt natürlich nur, wenn alle Transistoren ganz 
klassisch aus einer Linie kommen und den selben Prozess durchlaufen haben...

-- 
Ich muss nicht kultiviert *aussehen* - ich bin es.

Profiklaus in d.r.f.

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#243159

Martin Klaiber schrieb:
> Marte Schwarz <marte.schwarz@gmx.de> wrote:
> 
>> Klingt nach Reparatur. Hier gilt schon immer: Paralell geschaltete
>> Halbleiter nur aus einer Charge verwenden. Im Reparaturfall bitte beide
>> wechseln.
> 
> Woher rühren eigentlich die erhöhten Toleranzen der Transistoren
> zwischen den Chargen, bzw. was hält die Toleranzen innerhalb einer
> Charge geringer als zwischen Chargen? Hat es mit den Wafern zu tun
> oder mit Toleranzen in den Maschinen?
> 
> Oder generell gefragt: Was zählt alles zu einer Charge? Alles was
> vom gleichen Wafer stammt? Alles was vom gleichen Kristall stammt?
> Alles, was am gleichen Tag gefertigt wurde? Alles, was mit einer
> Maschineneinrichtung gefertigt wurde? Etwas ganz anderes?

Da hier auch "historische" Transistoren diskutiert werden, ist das
schwer zu sagen. Man darf auch nicht vergessen, dass JEDEC-Bezeichnungen
da was anderes bedeuten als die Pro-Electron-Bezeichnungen. Bei
JEDEC kann sich sogar der Herstellungsprozess an sich ändern.
Älteste 2N3055 waren noch einfachdiffundiert/hometaxial, später
Mesa/Epitaxial und wahrscheinlich irgendwann mal mehrfachdiffundierte
Planartransistoren. Dazwischen können sich Parameter um Grössenordnungen
ändern. Bei Pro-Electron, AFAIK, ist der Prozess vorgeschrieben und
Charge/Batch kriegt eher einen Sinn. Und wenn Fernost Spar-Versionen
nachschiebt, kann man das auch schon wieder vergessen.

-- 
mfg Rolf Bombach

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