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Groups > de.sci.electronics > #217067 > unrolled thread
| Started by | Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> |
|---|---|
| First post | 2016-11-19 12:43 +0100 |
| Last post | 2016-11-20 19:41 +0100 |
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Kleiner, bedrahteter Fototransistor Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> - 2016-11-19 12:43 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Tilmann Reh <usenet2007nospam@autometer.de> - 2016-11-19 12:49 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> - 2016-11-19 16:50 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Olaf Kaluza <olaf@criseis.ruhr.de> - 2016-11-19 12:50 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Frank Scheffski <usenet@alles-moppelkotze.de> - 2016-11-19 15:51 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Arno Welzel <usenet@arnowelzel.de> - 2016-11-21 19:00 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> - 2016-11-19 13:55 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-19 07:50 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-11-19 21:28 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-19 13:02 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-11-21 00:40 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-21 07:31 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-11-21 19:54 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-22 10:10 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Lutz Schulze <lschulze@netzwerkseite.de> - 2016-11-22 19:30 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-22 12:36 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2016-11-21 20:41 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-22 10:13 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-11-24 04:25 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> - 2016-11-24 10:26 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-11-24 07:38 -0800
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Matthias Weingart <mwnews@pentax.boerde.de> - 2016-11-24 16:14 +0000
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> - 2016-11-24 18:27 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2016-12-04 22:56 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> - 2016-11-20 08:33 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> - 2016-11-20 18:24 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Frank Scheffski <usenet@alles-moppelkotze.de> - 2016-11-20 18:50 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> - 2016-11-20 20:02 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> - 2016-11-21 19:32 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> - 2016-11-20 18:50 +0100
Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Frank Scheffski <usenet@alles-moppelkotze.de> - 2016-11-20 19:41 +0100
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| From | Joerg <news@analogconsultants.com> |
|---|---|
| Date | 2016-11-24 07:38 -0800 |
| Message-ID | <e9ofrlFpl5cU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217277 |
On 2016-11-23 19:25, Hans-Peter Diettrich wrote: > Joerg schrieb: > >> Ge-Transistoren haben einige weitere Vorteile wie Betrieb mit sehr >> niedrigen Spannungen. Ok, geht auch mit manchen JFETs, aber ich weiss >> nicht, warum Ge-Transistoren so gut wie komplett vom Markt >> verschwunden sind. Ge-Dioden gibt (gab?) es ja zumindest noch aus Asien. > > Vermutlich ist die Fertigung deutlich aufwendiger. Integration wie bei > Si ist mit Ge nicht möglich, vielleicht wegen instabiler Oxidschicht. > Die alten OC hatten einen Träger mit dem Basis-Anschluß, und links und > recths einen kleinen und einen großen Knubbel für E und C. Kein > Vergleich mit Si, mit quasi gedruckten Zonen und Metallisierung. > Das lag grossenteils an den damaligen Fertigungsmethoden. Mesa-Transistoren wie AF139 und dessen Nachfolger wurden nicht mehr so gebaut. Ein Problem bei Germanium-Halbleitern sind ein eingeschraenkterer Temperaturbereich und Leckstroeme. Die Oxydschicht ist in der Tat auch nicht ganz einfach, aber prozessmaessig machbar. -- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
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| From | Matthias Weingart <mwnews@pentax.boerde.de> |
|---|---|
| Date | 2016-11-24 16:14 +0000 |
| Message-ID | <XnsA6CAAF5366BEFAlwLookOnTBrightSide@penthouse.boerde.de> |
| In reply to | #217299 |
Joerg <news@analogconsultants.com>: > On 2016-11-23 19:25, Hans-Peter Diettrich wrote: >> Joerg schrieb: >> >>> Ge-Transistoren haben einige weitere Vorteile wie Betrieb mit sehr >>> niedrigen Spannungen. Ok, geht auch mit manchen JFETs, aber ich weiss >>> nicht, warum Ge-Transistoren so gut wie komplett vom Markt >>> verschwunden sind. Ge-Dioden gibt (gab?) es ja zumindest noch aus Asien. >> >> Vermutlich ist die Fertigung deutlich aufwendiger. Integration wie bei >> Si ist mit Ge nicht möglich, vielleicht wegen instabiler Oxidschicht. >> Die alten OC hatten einen Träger mit dem Basis-Anschluß, und links und >> recths einen kleinen und einen großen Knubbel für E und C. Kein >> Vergleich mit Si, mit quasi gedruckten Zonen und Metallisierung. >> > > Das lag grossenteils an den damaligen Fertigungsmethoden. > Mesa-Transistoren wie AF139 und dessen Nachfolger wurden nicht mehr so > gebaut. > > Ein Problem bei Germanium-Halbleitern sind ein eingeschraenkterer > Temperaturbereich und Leckstroeme. Die Oxydschicht ist in der Tat auch > nicht ganz einfach, aber prozessmaessig machbar. Wieso, Germanium wird doch aktuell in HF Chips eingesetzt, da kommt noch nicht mal GaAs ran! https://de.wikipedia.org/wiki/Siliciumgermanium M. --
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| From | Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> |
|---|---|
| Date | 2016-11-24 18:27 +0100 |
| Message-ID | <o177so$rg5$1@gioia.aioe.org> |
| In reply to | #217302 |
Am 24.11.2016 um 17:14 schrieb Matthias Weingart: > Wieso, Germanium wird doch aktuell in HF Chips eingesetzt, da kommt noch > nicht mal GaAs ran! > https://de.wikipedia.org/wiki/Siliciumgermanium Das hat aber mit den ollen Germaniumtransistoren nichts zu tun. Gruß Dieter
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| From | Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> |
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| Date | 2016-12-04 22:56 +0100 |
| Message-ID | <o223b3$gd$1@dont-email.me> |
| In reply to | #217226 |
Joerg schrieb: > On 2016-11-21 11:41, Rolf Bombach wrote: >> Joerg schrieb: >>> >>> Ganz frueher haben wir bei Transistoren der OC Serien nur den >>> schwarzen Lack vom Glasgehaeuse kratzen muessen. >>> >>> http://www.pigdogpedals.com/wp-content/uploads/2013/11/IMG_8561-e1384886428970.jpg >>> >> >> Nicht nur ganz früher. Die Geranien gingen weiter ins IR als die >> Sizilianer. >> > > Ge-Transistoren haben einige weitere Vorteile wie Betrieb mit sehr niedrigen Spannungen. Ok, geht auch mit manchen JFETs, aber ich weiss nicht, warum > Ge-Transistoren so gut wie komplett vom Markt verschwunden sind. Ge-Dioden gibt (gab?) es ja zumindest noch aus Asien. Für Digitaltechnik ist halt günstig, dass die CE-Restpannung viel tiefer ist als die Basisspannung für Ansteuerung. Davon profitieren auch viele Leistungs- und Schaltstufen für hohe Ströme, Pegelwandler usw. Die typischen TTL-Schaltungen würden mit Ge nicht gehen. Ausserdem geht Ge nicht für den militärischen Temperaturbereich. -- mfg Rolf Bombach
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| From | Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> |
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| Date | 2016-11-20 08:33 +0100 |
| Message-ID | <o0rjjh$mpq$1@dont-email.me> |
| In reply to | #217080 |
> Sowas habe ich mir früher aus Transistoren wie BC107 gebastelt Wenns nur um Einzelgeräte / Hobby geht: Modelleisenbahner haben ehedem gerne pill package genommen. Der ist DDR: http://www.ebay.de/itm/2x-Phototransistor-SP211C-/112194994035?hash=item1a1f57bf73:g:s1cAAOxyx0JThdf6 Siemens war CQY57 (LED); BPX62 ( PT ). Telefunken BPW15 (PT). TI war TIL23, TIL24 (IR-LEDs); TIL601 ... TIL 614 (PT). Motorola hatte sie auch. War für Lochstreifen/kartenleser gedacht und wurde direkt in Loch in Leiterplatte gesteckt, deshalb unbedrahtet. Weil Glas/Metall/Keramik robust, so daß man Drähte problemlos anbringen kann. Sind typisch IR, weil für Lichtschranke. Die Empfänger sind ohne schwarzes Filter, was Nachteil gegen Plastiktypen wäre. Chip liegt aber tief und hat nur schmalen Öffnungswinkel, so daß das selten Problem ist. Die Glas-"linsen" schielen aber gerne. Optek, Honeywell stellen die Bauform immer noch her vgl Digikey. Sind aber teuer. Andererseits hat man bei hermetisch dichten Miniaturtypen kaum Auswahl. MfG JRD
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| From | Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> |
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| Date | 2016-11-20 18:24 +0100 |
| Message-ID | <e9e4hdFa01hU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217083 |
Hallo, Am 20.11.2016 um 08:33 schrieb Rafael Deliano: > Siemens war CQY57 (LED); BPX62 ( PT ). Telefunken BPW15 (PT). > TI war TIL23, TIL24 (IR-LEDs); TIL601 ... TIL 614 (PT). > Motorola hatte sie auch. Danke, die sind aber alle obsolet und für ein Serienprodukt (ca. 5k Stück) keine Alternative. Gruss, Michael
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| From | Frank Scheffski <usenet@alles-moppelkotze.de> |
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| Date | 2016-11-20 18:50 +0100 |
| Message-ID | <7io33ch6eflm2979d138c5rtsfmsc1dfsj@4ax.com> |
| In reply to | #217114 |
Michael Reinck schrieb: >Danke, die sind aber alle obsolet und für ein Serienprodukt (ca. 5k >Stück) keine Alternative. SMD und dazu ein fertiger 90°-Lichtleiter von Mentor? MfG Frank
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| From | Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> |
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| Date | 2016-11-20 20:02 +0100 |
| Message-ID | <o0srut$3il$1@dont-email.me> |
| In reply to | #217116 |
> SMD und dazu ein fertiger 90°-Lichtleiter von Mentor? Wäre mir auch zeigemäß vorgekommen, aber er will es auch noch vergießen. Da wird die Pampe zwischen Lichtleiter und Optobauteil reinkriechen. Der Lichtleiter hätte einen sicher durch ESD-Test gebracht. MfG JRD
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| From | Michael Reinck <mrreinck@googlemail.com> |
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| Date | 2016-11-21 19:32 +0100 |
| Message-ID | <e9gstcF58tU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #217125 |
Hallo, Am 20.11.2016 um 20:02 schrieb Rafael Deliano: >> SMD und dazu ein fertiger 90°-Lichtleiter von Mentor? > Wäre mir auch zeigemäß vorgekommen, aber er will es > auch noch vergießen. Da wird die Pampe zwischen > Lichtleiter und Optobauteil reinkriechen. Das wäre noch relativ einfach zu lösen (Ein Klecks transparenter Kleber zwischen LWL und Opto), aber diese fertigen Lichtwellenleiter-Elemente wie z.B. diese hier: http://de.rs-online.com/largeimages/R8796083-01.jpg basieren alle auf der Brechung Plastik/Luft. Mit PU-Masse vergossen (Ob Transparent oder nicht) kommt nur noch ein Bruchteil des Lichts hinten raus. Gruss, Michael
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| From | Dieter Wiedmann <dieter.wiedmann@t-online.de> |
|---|---|
| Date | 2016-11-20 18:50 +0100 |
| Message-ID | <o0snpl$kpt$1@gioia.aioe.org> |
| In reply to | #217067 |
Am 19.11.2016 um 12:43 schrieb Michael Reinck: > Hallo, > > Ich bin auf der Suche nach einem Tageslicht-empfindlichen, bedrahtetem > Fototransistor. Gehäuse kleiner 3mm und zur Montage eben kein SMD, > sondern zwei Drähte. > > Kennt da jemand noch einen aktuellen (Nicht abgekündigten) Typ? Honeywell SD1440-004L, wenns etwas wertiger sein soll. ;-) Gruß Dieter
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| From | Frank Scheffski <usenet@alles-moppelkotze.de> |
|---|---|
| Date | 2016-11-20 19:41 +0100 |
| Message-ID | <dfr33c5s52omnp8cigin49qofghn0e6l1g@4ax.com> |
| In reply to | #217117 |
Dieter Wiedmann schrieb: >Honeywell SD1440-004L, wenns etwas wertiger sein soll. ;-) Irgendwo liegt hier eine klitzekleine Gabellichtschranke, in der so ein Teil sitzt. Habe ich aber auf die Schnelle nicht wiedergefunden. Aber dafür haben wir ja Dich ;-) MfG Frank
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