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Groups > de.sci.electronics > #208510 > unrolled thread

Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern

Started byManuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de>
First post2016-05-25 16:51 +0200
Last post2016-05-26 08:26 -0700
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  Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Manuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de> - 2016-05-25 16:51 +0200
    Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Gerd Kluger <gerd.kluger@yahoo.de> - 2016-05-25 17:47 +0200
      Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-05-25 09:08 -0700
        Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Manuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de> - 2016-05-25 20:05 +0200
          Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-05-25 11:59 -0700
            Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Stefan <df9bi@arcor.de> - 2016-05-26 14:00 +0200
              Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-05-26 08:21 -0700
                Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Stefan <df9bi@arcor.de> - 2016-05-26 20:58 +0200
                  Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-05-26 12:04 -0700
      Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Eric Brücklmeier <usenet@nerdcraft.de> - 2016-05-25 18:32 +0200
      Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Manuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de> - 2016-05-25 20:06 +0200
        Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-05-25 12:08 -0700
    Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Gernot Fink <g.fink@gmx.net> - 2016-05-25 19:25 +0200
      Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Rafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de> - 2016-05-25 19:49 +0200
      Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Manuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de> - 2016-05-25 19:56 +0200
        Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Gernot Fink <g.fink@gmx.net> - 2016-05-25 22:11 +0200
        Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-05-26 12:44 +0200
    Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Kai-Martin <kmk@lilalaser.de> - 2016-05-26 04:26 +0200
      Re: Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern Joerg <news@analogconsultants.com> - 2016-05-26 08:26 -0700

#208510 — Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern

FromManuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de>
Date2016-05-25 16:51 +0200
SubjectBitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern
Message-ID<ni4e4r$i52$1@news.albasani.net>
Hallo,

ich möchte nach ein bestehendes N-Kanal-Mosfet ein weiteres 
nachschalten. Ich dachte an folgende Schaltung:


                                           ____  15A
              ,----------------------o----|----|---,
              |                      |     ‾‾‾‾    |
              |                      o             |
            |<                     Last            o +
   ,--------|  BC 558C               o            12V
   |        |\                       |             o -
  ,-,         |                 | |--'             |
  | | 15K     |       ____      | |<-, IRLB3813PBF |
  | |         o------|____|-----' |--|             |
  '-'         |       10R            |             |
   |         ,-,                     |             |
   |         | | 100K                |             |
\           | |                     |             |
  \          '-'                     |             |
   |          |                      |             |
   '----------o----------------------o-------------'


An Stelle des Tasters schaltet das vorhandene Mosfet. Der Transistor 
soll das N-Kanal-Mosfet gegen Positiv schalten. Ich hoffe ich habe mich 
nicht beim grundlegenden Aufbau vertan.

Kann bitte jemand über die Bauteilewerte schauen? Ich habe keine 
Erfahrung mit der Dimensionierung von solchen Schaltungen. Ich habe 
jetzt einfach mal ein paar Werte reingeschrieben, die ich dahabe.

Transistoren brauchen keinen Pullup-Widerstand, richtig?

Danke im Voraus

Gruß

Manuel

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#208517

FromGerd Kluger <gerd.kluger@yahoo.de>
Date2016-05-25 17:47 +0200
Message-ID<ni4hev$j2v$1@news.sap-ag.de>
In reply to#208510
Am 25.05.2016 um 16:51 schrieb Manuel Reimer:
> Hallo,
>
> ich möchte nach ein bestehendes N-Kanal-Mosfet ein weiteres
> nachschalten. Ich dachte an folgende Schaltung:
>
>
>                                            ____  15A
>               ,----------------------o----|----|---,
>               |                      |     ‾‾‾‾    |
>               |                      o             |
>             |<                     Last            o +
>    ,--------|  BC 558C               o            12V
>    |        |\                       |             o -
>   ,-,         |                 | |--'             |
>   | | 15K     |       ____      | |<-, IRLB3813PBF |
>   | |         o------|____|-----' |--|             |
>   '-'         |       10R            |             |
>    |         ,-,                     |             |
>    |         | | 100K                |             |
> \           | |                     |             |
>   \          '-'                     |             |
>    |          |                      |             |
>    '----------o----------------------o-------------'
>
>
> An Stelle des Tasters schaltet das vorhandene Mosfet. Der Transistor
> soll das N-Kanal-Mosfet gegen Positiv schalten. Ich hoffe ich habe mich
> nicht beim grundlegenden Aufbau vertan.
>
> Kann bitte jemand über die Bauteilewerte schauen? Ich habe keine
> Erfahrung mit der Dimensionierung von solchen Schaltungen. Ich habe
> jetzt einfach mal ein paar Werte reingeschrieben, die ich dahabe.
>
> Transistoren brauchen keinen Pullup-Widerstand, richtig?

Das ist schon ok so, nur die 10R durch einen 10..12 mal so hehen Wert
ersetzen, der BC558 kann keine 1,2A schalten.

Gruß
Gerd

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#208519

FromJoerg <news@analogconsultants.com>
Date2016-05-25 09:08 -0700
Message-ID<dqm105F38vuU1@mid.individual.net>
In reply to#208517
On 2016-05-25 08:47, Gerd Kluger wrote:
> Am 25.05.2016 um 16:51 schrieb Manuel Reimer:
>> Hallo,
>>
>> ich möchte nach ein bestehendes N-Kanal-Mosfet ein weiteres
>> nachschalten. Ich dachte an folgende Schaltung:
>>
>>
>>                                            ____  15A
>>               ,----------------------o----|----|---,
>>               |                      |     ‾‾‾‾    |
>>               |                      o             |
>>             |<                     Last            o +
>>    ,--------|  BC 558C               o            12V
>>    |        |\                       |             o -
>>   ,-,         |                 | |--'             |
>>   | | 15K     |       ____      | |<-, IRLB3813PBF |
>>   | |         o------|____|-----' |--|             |
>>   '-'         |       10R            |             |
>>    |         ,-,                     |             |
>>    |         | | 100K                |             |
>> \           | |                     |             |
>>   \          '-'                     |             |
>>    |          |                      |             |
>>    '----------o----------------------o-------------'
>>
>>


Ich sehe da aber keinen zweiten FET :-)


>> An Stelle des Tasters schaltet das vorhandene Mosfet. Der Transistor
>> soll das N-Kanal-Mosfet gegen Positiv schalten. Ich hoffe ich habe mich
>> nicht beim grundlegenden Aufbau vertan.
>>
>> Kann bitte jemand über die Bauteilewerte schauen? Ich habe keine
>> Erfahrung mit der Dimensionierung von solchen Schaltungen. Ich habe
>> jetzt einfach mal ein paar Werte reingeschrieben, die ich dahabe.
>>
>> Transistoren brauchen keinen Pullup-Widerstand, richtig?
>

Doch, von der Basis des BC558 nach Emitter wurde ich nochmals 15k oder 
so legen. Sonst kann es passieren, dass wenige Mikroampere Leckstrom im 
Taster oder drumherum die Last teilweise schalten und der FET abraucht.

Auch die Last ueberlegen. Ist die weit weg? Kann sie abgeklemmt werden? 
  Gegebenenfalls sollte einer Diode ueber der Last sitzen, Kathode nach 
oben zur Versorgungsspannung, besonders wenn die Last einen induktiven 
Anteil hat. Wenn man die Last abklemmen kann und das nicht unter 
ESD-Schutz stattfindet, noch einen ESD Schutz, z.B. eine Zenerdiode 
ueber den FET. Manche haben auch Avalanche Rating, aber darauf verlasse 
ich mich nie.


> Das ist schon ok so, nur die 10R durch einen 10..12 mal so hehen Wert
> ersetzen, der BC558 kann keine 1,2A schalten.
>

Der BC558 versucht das nur fuer einen kurzen Moment, dann Du hast nur 
die Gate Kapazitaet des FET. Man kann aber den Wert auf 100ohm setzen, 
duerfte in der Schaltgeschwindigkeit kaum einen Unterschied machen, 
zumal der BC558 hier weniger als 1mA Basisstrom bekommt.

-- 
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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#208527

FromManuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de>
Date2016-05-25 20:05 +0200
Message-ID<ni4phj$8uu$1@news.albasani.net>
In reply to#208519
On 05/25/2016 06:08 PM, Joerg wrote:
> Doch, von der Basis des BC558 nach Emitter wurde ich nochmals 15k oder
> so legen. Sonst kann es passieren, dass wenige Mikroampere Leckstrom im
> Taster oder drumherum die Last teilweise schalten und der FET abraucht.

Wie ich schon geschrieben habe, gibt es im "Finalen Produkt" den Taster 
nicht mehr. Der untere Anschluss wird mit Litze verlängert und an eine 
vorhandene Baugruppe angeschlossen, die ihrerseits auch mit einem 
N-Mosfet gegen GND schaltet.

Trotzdem schadet die zusätzliche Sicherheit natürlich nicht und einen 
Widerstand mehr sollte ich schon unterbringen können. Danke für den Tipp.

Faktisch hat das aber doch zur Folge, dass die 2 x 15K wie ein 
Spannungsteiler wirken. Eigentlich muss man doch die Basis gegen GND 
ziehen zum Schalten. Wenn ich noch einmal 15K draufbaue ziehe ich aber 
gegen 6V. Wäre das nicht kontraproduktiv?

> Auch die Last ueberlegen. Ist die weit weg?

Nein. 150 Watt Heizung wenigen Zentimeter entfernt.

> Kann sie abgeklemmt werden?

Nur wenn man sie von der Schraubklemme abschraubt.

>> Das ist schon ok so, nur die 10R durch einen 10..12 mal so hehen Wert
>> ersetzen, der BC558 kann keine 1,2A schalten.
>
> Der BC558 versucht das nur fuer einen kurzen Moment, dann Du hast nur
> die Gate Kapazitaet des FET. Man kann aber den Wert auf 100ohm setzen,
> duerfte in der Schaltgeschwindigkeit kaum einen Unterschied machen,
> zumal der BC558 hier weniger als 1mA Basisstrom bekommt.

Werde ich machen.

Gruß

Manuel

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#208532

FromJoerg <news@analogconsultants.com>
Date2016-05-25 11:59 -0700
Message-ID<dqmb0rF5a2sU1@mid.individual.net>
In reply to#208527
On 2016-05-25 11:05, Manuel Reimer wrote:
> On 05/25/2016 06:08 PM, Joerg wrote:
>> Doch, von der Basis des BC558 nach Emitter wurde ich nochmals 15k oder
>> so legen. Sonst kann es passieren, dass wenige Mikroampere Leckstrom im
>> Taster oder drumherum die Last teilweise schalten und der FET abraucht.
>
> Wie ich schon geschrieben habe, gibt es im "Finalen Produkt" den Taster
> nicht mehr. Der untere Anschluss wird mit Litze verlängert und an eine
> vorhandene Baugruppe angeschlossen, die ihrerseits auch mit einem
> N-Mosfet gegen GND schaltet.
>
> Trotzdem schadet die zusätzliche Sicherheit natürlich nicht und einen
> Widerstand mehr sollte ich schon unterbringen können. Danke für den Tipp.
>
> Faktisch hat das aber doch zur Folge, dass die 2 x 15K wie ein
> Spannungsteiler wirken. Eigentlich muss man doch die Basis gegen GND
> ziehen zum Schalten. Wenn ich noch einmal 15K draufbaue ziehe ich aber
> gegen 6V. Wäre das nicht kontraproduktiv?
>

Macht nichts, BJT wie der BC558 werden ja durch einen Basisstrom 
geschaltet und die Basis wird nie unter 11.3V gehen. Dabei fliesst schon 
ordentlich was.

Einen Spannungsteiler gibt das aufgrund des BE Diodenstreckeneffekts 
nicht, denn egal ob der zweite 15k drin ist oder nicht, hast Du immer 
11.3V/15kohm -> 750uA. Es erhoeht aber die Kosten um einen Cent oder so 
und daher gibt es "pre-biased" Transistoren, die diese beiden 
Widerstaende bereits integriert haben.


>> Auch die Last ueberlegen. Ist die weit weg?
>
> Nein. 150 Watt Heizung wenigen Zentimeter entfernt.
>

Dann braucht man nichts gross an Schutz.


>> Kann sie abgeklemmt werden?
>
> Nur wenn man sie von der Schraubklemme abschraubt.
>

Dann wiederum doch. Falls das Hein vonne Werft mit seinen Sport-Tretern 
auf Linoleumboden macht.


>>> Das ist schon ok so, nur die 10R durch einen 10..12 mal so hehen Wert
>>> ersetzen, der BC558 kann keine 1,2A schalten.
>>
>> Der BC558 versucht das nur fuer einen kurzen Moment, dann Du hast nur
>> die Gate Kapazitaet des FET. Man kann aber den Wert auf 100ohm setzen,
>> duerfte in der Schaltgeschwindigkeit kaum einen Unterschied machen,
>> zumal der BC558 hier weniger als 1mA Basisstrom bekommt.
>
> Werde ich machen.
>

Und den 100k auf 5-10k senken, waere fuer zackigeres Abschalten besser, 
wie Gernot schrieb.

-- 
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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#208565

FromStefan <df9bi@arcor.de>
Date2016-05-26 14:00 +0200
Message-ID<ni6oge$219$1@news.albasani.net>
In reply to#208532
Am 25.05.2016 um 20:59 schrieb Joerg:
> On 2016-05-25 11:05, Manuel Reimer wrote:
>> On 05/25/2016 06:08 PM, Joerg wrote:
>>> Doch, von der Basis des BC558 nach Emitter wurde ich nochmals 15k oder
>>> so legen. Sonst kann es passieren, dass wenige Mikroampere Leckstrom im
>>> Taster oder drumherum die Last teilweise schalten und der FET abraucht.
>>

Könnte man nicht anstelle des PNP Transistors auch einen NPN einsetzen?

Also vom Gate des FETs einen Pull-Up nach +12V, den NPN vom Gate nach GND.

An die Basis des NPN-Transistors einen Pull-up und dann wie gehabt den 
Schalter nach GND.

Schalter geschlossen -> NPN sperrt -> FET leitet

Ich hätte dann nur noch 2 Pull-Up Widerstände und würde die Basis des 
NPN Transistors niederohmig ansteuern.

Kriechströme am Schalter etc. wären dann vernachlässigbar.

Hätte das irgendwelche Nachteile?

Gruß

Stefan

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#208570

FromJoerg <news@analogconsultants.com>
Date2016-05-26 08:21 -0700
Message-ID<dqoij7Fiq0gU1@mid.individual.net>
In reply to#208565
On 2016-05-26 05:00, Stefan wrote:
> Am 25.05.2016 um 20:59 schrieb Joerg:
>> On 2016-05-25 11:05, Manuel Reimer wrote:
>>> On 05/25/2016 06:08 PM, Joerg wrote:
>>>> Doch, von der Basis des BC558 nach Emitter wurde ich nochmals 15k oder
>>>> so legen. Sonst kann es passieren, dass wenige Mikroampere Leckstrom im
>>>> Taster oder drumherum die Last teilweise schalten und der FET abraucht.
>>>
>
> Könnte man nicht anstelle des PNP Transistors auch einen NPN einsetzen?
>
> Also vom Gate des FETs einen Pull-Up nach +12V, den NPN vom Gate nach GND.
>
> An die Basis des NPN-Transistors einen Pull-up und dann wie gehabt den
> Schalter nach GND.
>
> Schalter geschlossen -> NPN sperrt -> FET leitet
>
> Ich hätte dann nur noch 2 Pull-Up Widerstände und würde die Basis des
> NPN Transistors niederohmig ansteuern.
>
> Kriechströme am Schalter etc. wären dann vernachlässigbar.
>
> Hätte das irgendwelche Nachteile?
>

Geht auch, tauscht jedoch die Logik im Schalter um. Aber da haettest Du 
mindestens einen Cent gespart :-)

-- 
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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#208572

FromStefan <df9bi@arcor.de>
Date2016-05-26 20:58 +0200
Message-ID<ni7h0v$i0k$1@news.albasani.net>
In reply to#208570
Am 26.05.2016 um 17:21 schrieb Joerg:
> On 2016-05-26 05:00, Stefan wrote:
>> Am 25.05.2016 um 20:59 schrieb Joerg:
>>> On 2016-05-25 11:05, Manuel Reimer wrote:
>>>> On 05/25/2016 06:08 PM, Joerg wrote:

>> Ich hätte dann nur noch 2 Pull-Up Widerstände und würde die Basis des
>> NPN Transistors niederohmig ansteuern.
>>
>> Kriechströme am Schalter etc. wären dann vernachlässigbar.
>>
>> Hätte das irgendwelche Nachteile?
>>
>
> Geht auch, tauscht jedoch die Logik im Schalter um. Aber da haettest Du
> mindestens einen Cent gespart :-)
>

Ich denke nicht, dass sich die Logik umdreht. In beiden Fällen leitet 
der FET wenn der Schalter geschlossen wird, oder ?

Gruß

Stefan

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#208573

FromJoerg <news@analogconsultants.com>
Date2016-05-26 12:04 -0700
Message-ID<dqovkpFldtjU1@mid.individual.net>
In reply to#208572
On 2016-05-26 11:58, Stefan wrote:
> Am 26.05.2016 um 17:21 schrieb Joerg:
>> On 2016-05-26 05:00, Stefan wrote:
>>> Am 25.05.2016 um 20:59 schrieb Joerg:
>>>> On 2016-05-25 11:05, Manuel Reimer wrote:
>>>>> On 05/25/2016 06:08 PM, Joerg wrote:
>
>>> Ich hätte dann nur noch 2 Pull-Up Widerstände und würde die Basis des
>>> NPN Transistors niederohmig ansteuern.
>>>
>>> Kriechströme am Schalter etc. wären dann vernachlässigbar.
>>>
>>> Hätte das irgendwelche Nachteile?
>>>
>>
>> Geht auch, tauscht jedoch die Logik im Schalter um. Aber da haettest Du
>> mindestens einen Cent gespart :-)
>>
>
> Ich denke nicht, dass sich die Logik umdreht. In beiden Fällen leitet
> der FET wenn der Schalter geschlossen wird, oder ?
>

Stimmt. Irgendwie bin ich heute nicht ganz fit. Poison Oak hat mich voll 
geplaettet :-(

-- 
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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#208520

FromEric Brücklmeier <usenet@nerdcraft.de>
Date2016-05-25 18:32 +0200
Message-ID<dqm2d5F3h6sU1@mid.individual.net>
In reply to#208517
Am 25.05.2016 um 17:47 schrieb Gerd Kluger:

> Das ist schon ok so, nur die 10R durch einen 10..12 mal so hehen Wert
> ersetzen, der BC558 kann keine 1,2A schalten.

was er hier ja auch nur Sekundenbruchteile täte - das kann er schon ab...




-- 
http://www.headless-brewing.com/

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#208528

FromManuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de>
Date2016-05-25 20:06 +0200
Message-ID<ni4pic$8uu$2@news.albasani.net>
In reply to#208517
On 05/25/2016 05:47 PM, Gerd Kluger wrote:
> Das ist schon ok so, nur die 10R durch einen 10..12 mal so hehen Wert
> ersetzen, der BC558 kann keine 1,2A schalten.

Danke für den Tipp.

Nur das ich es auch verstehe: In einer früheren Diskussion habe ich 
gelernt, dass ein FET wie ein Kondensator zu betrachten ist. Beim Laden 
des selbigen habe ich für einen sehr kurzen Zeitabschnitt faktisch einen 
Kurzschluss. Richtig?

Gruß

Manuel

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#208533

FromJoerg <news@analogconsultants.com>
Date2016-05-25 12:08 -0700
Message-ID<dqmbglF5ds1U1@mid.individual.net>
In reply to#208528
On 2016-05-25 11:06, Manuel Reimer wrote:
> On 05/25/2016 05:47 PM, Gerd Kluger wrote:
>> Das ist schon ok so, nur die 10R durch einen 10..12 mal so hehen Wert
>> ersetzen, der BC558 kann keine 1,2A schalten.
>
> Danke für den Tipp.
>
> Nur das ich es auch verstehe: In einer früheren Diskussion habe ich
> gelernt, dass ein FET wie ein Kondensator zu betrachten ist. Beim Laden
> des selbigen habe ich für einen sehr kurzen Zeitabschnitt faktisch einen
> Kurzschluss. Richtig?
>

Aber nur ganz kurz, selbst bei diesem dicken FET sind es weniger als 0.01uF.

Das Laden dieser Kapazitaet wird jetzt durch zwei Groessen bestimmt. Zum 
einen durch den 10ohm Widerstand. Dann dadurch, dass der BC558 nur 750uA 
Basisstrom bekommt. Nehmen wir eine Stromverstaerkung von 600 an, 
schafft er theoretisch knapp ein halbes Ampere. Was jedoch ueber dessen 
Grenze liegt, mehr als 200mA bringt er nicht aufs Parkett.

-- 
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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#208523

FromGernot Fink <g.fink@gmx.net>
Date2016-05-25 19:25 +0200
Message-ID<do3h1d-ei4.ln1@garv.home>
In reply to#208510
In article <ni4e4r$i52$1@news.albasani.net>,
	Manuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de> writes:
>   |         | | 100K                |             |
> Kann bitte jemand über die Bauteilewerte schauen? Ich habe keine 

Ich denke die 100K sind etwas daneben.
Sie verursachen ein sehr sehr langsames abschalten des Transistors.

Ich hätte hier maximal. 1K gewählt.

Wenn auch die Abschaltzeit eine Rolle spielt solltest du die ganze Schaltung
überdenken.

Gernot

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#208525

FromRafael Deliano <rafael_deliano@arcor.de>
Date2016-05-25 19:49 +0200
Message-ID<ni4obl$b96$1@dont-email.me>
In reply to#208523
> Wenn auch die Abschaltzeit eine Rolle spielt solltest du die ganze Schaltung
> überdenken.

CD4069 spendieren. Oder irgend ein CD40xx der invertiert
und in der Wühlkiste liegt.

MfG  JRD

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#208526

FromManuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de>
Date2016-05-25 19:56 +0200
Message-ID<ni4p0l$7mk$1@news.albasani.net>
In reply to#208523
On 05/25/2016 07:25 PM, Gernot Fink wrote:
> Ich denke die 100K sind etwas daneben.
> Sie verursachen ein sehr sehr langsames abschalten des Transistors.

Das vorgeschaltete Mosfet hat auch diese Vorschaltung. Folglich sollte 
auch das schon verlangsamt abschalten. Das weiter zu bedämpfen macht 
wohl keinen Sinn.

> Ich hätte hier maximal. 1K gewählt.

Hat diese doch deutliche Reduzierung irgendwelche Nachteile?

> Wenn auch die Abschaltzeit eine Rolle spielt solltest du die ganze Schaltung
> überdenken.

Macht sie nicht und die bereits vorhandene "elektronische Dämpfung" ist 
vermutlich gewollt. Das Ding steuert eine Heizung und die soll 
vergrößert werden, weshalb ich ein besseres, besser gekühltes Mosfet 
außen anflanschen will.

Gruß

Manuel

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#208548

FromGernot Fink <g.fink@gmx.net>
Date2016-05-25 22:11 +0200
Message-ID<dgdh1d-lb5.ln1@garv.home>
In reply to#208526
In article <ni4p0l$7mk$1@news.albasani.net>,
	Manuel Reimer <Manuel.Nulldevice@nurfuerspam.de> writes:
>> Ich hätte hier maximal. 1K gewählt.
> Hat diese doch deutliche Reduzierung irgendwelche Nachteile?
> 
> Macht sie nicht und die bereits vorhandene "elektronische Dämpfung" ist 
> vermutlich gewollt. Das Ding steuert eine Heizung und die soll 

Der Nachteil ist dass der 1K Widerstand bei 12V etwa 0.14 Watt verheizt.
Ich finde es halt ein großes missverhältnis geschätzte 5000 mal schneller
einzuschalten als auszuschalten.

Wenn es wirklich keine Rolle spielt würde den Gatevorwiderstand und den
pulldown etwa gleich groß machen. Dann hast du 2:1

2.2K währe dann meine Wahl.

Gernot

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#208562

FromHans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com>
Date2016-05-26 12:44 +0200
Message-ID<dqo422FfrvmU1@mid.individual.net>
In reply to#208526
Manuel Reimer schrieb:
> On 05/25/2016 07:25 PM, Gernot Fink wrote:

>> Wenn auch die Abschaltzeit eine Rolle spielt solltest du die ganze 
>> Schaltung
>> überdenken.
> 
> Macht sie nicht und die bereits vorhandene "elektronische Dämpfung" ist 
> vermutlich gewollt. Das Ding steuert eine Heizung und die soll 
> vergrößert werden, weshalb ich ein besseres, besser gekühltes Mosfet 
> außen anflanschen will.

Die Anstiegs- und Abfallzeiten sind deshalb von Interesse, weil der FET 
(oder was auch immer als Schalter verwendet wird) zwischen dem Ein und 
Aus Zustand sehr viel Leistung verbraten muß, in der Spitze 1/4 der 
Leistung der angeschlossenen ohmschen Last (U/2*I/2) - also fast 40W bei 
einer 150W Heizung, bei der erweiterten Heizung entsprechend mehr. Das 
Problem ist dabei nicht die Kühlung des FET, die muß nur für die 
Leistung im eingeschalteten Zustand ausgelegt werden. Beim Schalten hat 
die Wärme aber kaum Zeit, vom Chip über das Gehäuse nach außen 
abzuwandern, und der FET kann innen drin verschmoren (hotspots...), ohne 
daß man außen eine Änderung der Temperatur des Kühlkörpers feststellen 
kann. Deshalb sollte der FET so schnell wie möglich zwischen Ein und Aus 
hin und her geschaltet werden.

Bei induktiver Last sieht das noch schlimmer aus, allerdings nur beim 
Abschalten. Beim Einschalten fließt da kaum Strom, weil die Induktivität 
den Stromanstieg begrenzt. Beim Abschalten hingegen fließt der vorherige 
(volle) Strom weiter, während die Spannung (ohne Dämpfung) weit über die 
Betriebsspannung ansteigt. Das nur der Vollständigkeit halber, bei einer 
Heizung (ohmsche Last) sieht das anders aus (siehe oben).

DoDi

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#208545

FromKai-Martin <kmk@lilalaser.de>
Date2016-05-26 04:26 +0200
Message-ID<ni5mt4$nbd$1@gwaiyur.mb-net.net>
In reply to#208510
Manuel Reimer wrote:

> ich möchte nach ein bestehendes N-Kanal-Mosfet ein weiteres
> nachschalten.

Ich bin meistens zu faul um mir Gedanken um Basis-Strom und hfe zu 
machen. Für Invertierung nehme ich daher eine Reihenschaltung von  
kleinem MOSFET und Widerstand.


     12V
      o
      |
    Wider
    stand
      |
      o-------------invertiert
      |
   ||_|
   ||_
in_|| |
      |
      |
     _|_ 
     GND


---<)kaimartin(>---

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#208571

FromJoerg <news@analogconsultants.com>
Date2016-05-26 08:26 -0700
Message-ID<dqoit7FiscvU1@mid.individual.net>
In reply to#208545
On 2016-05-25 19:26, Kai-Martin wrote:
> Manuel Reimer wrote:
>
>> ich möchte nach ein bestehendes N-Kanal-Mosfet ein weiteres
>> nachschalten.
>
> Ich bin meistens zu faul um mir Gedanken um Basis-Strom und hfe zu
> machen. Für Invertierung nehme ich daher eine Reihenschaltung von
> kleinem MOSFET und Widerstand.
>
>
>       12V
>        o
>        |
>      Wider
>      stand
>        |
>        o-------------invertiert
>        |
>     ||_|
>     ||_
> in_|| |
>        |
>        |
>       _|_
>       GND
>
>

Das geht noch dekadenter, hier sparst Du auch den Widerstand:

http://rohmfs.rohm.com/en/products/databook/datasheet/ic/logic_switch/standard_logic/bu4s584g2-e.pdf

-- 
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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