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Re: Missbrauchter Transistor

From Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com>
Newsgroups de.sci.electronics
Subject Re: Missbrauchter Transistor
Date 2016-04-27 15:54 +0200
Message-ID <dobup2F15jmU1@mid.individual.net> (permalink)
References <572066C1.19650F1@hrz.tu-chemnitz.de> <h_1Uy.7792$Sk5.5819@fx45.am4>

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Chris Jones schrieb:

> (Als Diode...) Es schuetzt Q2 B-E vor Eingangsspannung >>12V. Wenn mann 
> erlaubt, dass B-E durchbricht, kann es zu Beschaedigung fuehren. 
> (Geraeuschfaktor wird schlechter oder andere probleme.).

Dann bricht B-E von Q2 aber eher durch als B-C von Q1. Zudem wäre dann 
Q2 noch durch R3 geschützt.

DoDi

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Missbrauchter Transistor Hans-Jürgen Schneider <echo@hrz.tu-chemnitz.de> - 2016-04-27 09:14 +0200
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        Re: Missbrauchter Transistor Hans-Jürgen Schneider <echo@hrz.tu-chemnitz.de> - 2016-04-28 09:00 +0200
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          Re: Missbrauchter Transistor Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2016-04-30 04:53 +0200
            Re: Missbrauchter Transistor Wolfgang Schmidt <wolfgang.schmidt.mail@t-online.de> - 2016-04-30 08:40 +0200
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            Re: Missbrauchter Transistor Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2016-04-30 22:51 +0200

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