Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F

From	Josef Möllers <josef@invalid.invalid>
Newsgroups	de.sci.electronics
Subject	Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F
Date	2026-04-25 10:46 +0200
Message-ID	<n53daiFn5poU1@mid.individual.net> (permalink)
References	(2 earlier) <n4pvu3F3kvuU1@mid.individual.net> <n4rdn2FfpqiU1@mid.individual.net> <10sfduf$3m9q3$2@dont-email.me> <n50ts8Fc6niU1@mid.individual.net> <n515oeFlvodU1@mid.individual.net>

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On 24.04.26 14:24, Bernd Laengerich wrote:
> Am 24.04.2026 um 12:10 schrieb Peter Heitzer:
> 
>> IBTD
>> Für EEPROM werden höhere Werte für Schreibzyklen angegeben. Bei
> 
> EEPROM AT28C010:
> High Reliability CMOS Technology:
> – Endurance: 10,000 or 100,000 cycles
> – Data retention: 10 years
> 
> FLASH AT29F010:
> Minimum 100,000 program/erase cycles
> guaranteed
> 
> Ich sehe da keinen großen Unterschied, wenn man vergleichbare Bausteine 
> vergleicht.

Ist es nicht so,daß man Flash-ROM nur pageweise beschreiben kann, 
EEPROMs aber zellenweise? Zumindest beim ATmega328P kann man einzelne 
Bytes in's EEPROM schreiben.

Zusätzlich muß man Flash-ROM erst einmal löschen um es neu zu 
beschreiben, bzw einzelne Bits von 1 auf 0, jedoch nicht umgekehrt 
beschreiben?

Sooo tief stecke ich da nicht 'drin, die Doku suggeriert das aber.

Josef

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            Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Josef Möllers <josef@invalid.invalid> - 2026-04-25 10:46 +0200
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