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Groups > de.sci.electronics > #367392
| From | Bernd Laengerich <Bernd.Laengerich@web.de> |
|---|---|
| Newsgroups | de.sci.electronics |
| Subject | Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F |
| Date | 2026-04-24 14:24 +0200 |
| Message-ID | <n515oeFlvodU1@mid.individual.net> (permalink) |
| References | (1 earlier) <n4mllsFm6f2U1@mid.individual.net> <n4pvu3F3kvuU1@mid.individual.net> <n4rdn2FfpqiU1@mid.individual.net> <10sfduf$3m9q3$2@dont-email.me> <n50ts8Fc6niU1@mid.individual.net> |
Am 24.04.2026 um 12:10 schrieb Peter Heitzer: > IBTD > Für EEPROM werden höhere Werte für Schreibzyklen angegeben. Bei EEPROM AT28C010: High Reliability CMOS Technology: – Endurance: 10,000 or 100,000 cycles – Data retention: 10 years FLASH AT29F010: Minimum 100,000 program/erase cycles guaranteed Ich sehe da keinen großen Unterschied, wenn man vergleichbare Bausteine vergleicht.
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Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Josef Möllers <josef@invalid.invalid> - 2026-04-20 14:49 +0200
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Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Josef Möllers <josef@invalid.invalid> - 2026-04-22 15:18 +0200
Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Eric Bruecklmeier <u@5i7.de> - 2026-04-22 16:12 +0200
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Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Bernd Laengerich <Bernd.Laengerich@web.de> - 2026-04-24 14:24 +0200
Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Bernd Laengerich <Bernd.Laengerich@web.de> - 2026-04-24 14:26 +0200
Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Eric Bruecklmeier <u@5i7.de> - 2026-04-24 17:25 +0200
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Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Eric Bruecklmeier <u@5i7.de> - 2026-04-26 10:32 +0200
Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Eric Bruecklmeier <u@5i7.de> - 2026-04-26 13:09 +0200
Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Josef Möllers <josef@invalid.invalid> - 2026-04-25 10:46 +0200
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Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F Eric Bruecklmeier <u@5i7.de> - 2026-04-24 12:16 +0200
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