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Groups > de.sci.physik > #138496 > unrolled thread
| Started by | Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> |
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| First post | 2021-08-10 10:53 +0000 |
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Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-08-10 10:53 +0000
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-08-10 14:48 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-10 16:22 +0200
Re: Farad Holger <invalid@invalid.invalid> - 2021-08-21 14:30 +0200
Re: Farad Oliver Jennrich <oliver.jennrich@gmx.net> - 2021-08-10 15:35 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-08-10 16:31 +0000
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-08-11 01:20 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-08-11 11:10 +0000
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-08-11 13:41 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-12 19:11 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-11 13:49 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-08-11 12:33 +0000
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-08-11 14:49 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-11 21:11 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-08-12 08:37 +0000
Re: Farad Gernot Griese <ggriese@gmx.de> - 2021-08-12 10:56 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-08-12 10:12 +0000
Re: Farad Gernot Griese <ggriese@gmx.de> - 2021-08-12 13:07 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-12 21:15 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-14 18:35 +0200
Re: Farad Gernot Griese <ggriese@gmx.de> - 2021-08-14 18:37 +0200
Re: Farad Fritz <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-08-14 18:55 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-14 23:02 +0200
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-08-16 10:40 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-18 23:22 +0200
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-08-19 10:09 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-12 21:01 +0200
Re: Farad Gernot Griese <ggriese@gmx.de> - 2021-08-12 21:29 +0200
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-08-13 01:24 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-13 03:30 +0200
Re: Farad Gernot Griese <ggriese@gmx.de> - 2021-08-13 08:54 +0200
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-08-13 09:45 +0200
Re: Farad Gernot Griese <ggriese@gmx.de> - 2021-08-13 09:47 +0200
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-08-13 13:10 +0200
Re: Farad Gernot Griese <ggriese@gmx.de> - 2021-08-13 13:16 +0200
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-08-13 14:10 +0200
Re: Farad Ernst Sauer <Ernst.Sauer@kabelmail.de> - 2021-08-13 16:51 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-14 23:05 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-15 09:00 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-18 23:58 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-19 10:19 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-19 23:09 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-20 07:21 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-21 22:54 +0200
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-08-21 23:17 +0200
Modelle (was: Farad) Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-09-03 00:03 +0200
Re: Modelle (was: Farad) Hermann Riemann <nospam.ng@hermann-riemann.de> - 2021-09-03 10:56 +0200
Re: Modelle Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-09-03 12:21 +0200
Re: Modelle Hermann Riemann <nospam.ng@hermann-riemann.de> - 2021-09-03 17:59 +0200
Re: Modelle Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-09-04 20:36 +0200
Re: Modelle Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-09-04 01:38 +0200
Re: Modelle Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-09-04 07:21 +0200
Re: Modelle Hermann Riemann <nospam.ng@hermann-riemann.de> - 2021-09-05 17:21 +0200
Re: Modelle Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-09-10 23:01 +0200
Re: Modelle Fritz <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-09-14 15:25 +0200
Re: Modelle Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-09-15 22:07 +0200
Re: Modelle Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-09-04 21:01 +0200
Re: Modelle Fritz <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-09-10 08:49 +0200
Re: Modelle Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-09-04 01:41 +0200
Re: Modelle Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-09-04 02:23 +0200
Re: Modelle (was: Farad) Reinhardt Behm <rbehm@hushmail.com> - 2021-09-06 09:30 +0800
Re: Modelle Hermann Riemann <nospam.ng@hermann-riemann.de> - 2021-09-06 08:45 +0200
Re: Modelle Reinhardt Behm <rbehm@hushmail.com> - 2021-09-06 15:18 +0800
Re: Modelle Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-09-06 11:13 +0200
Re: Modelle Thomas Heger <ttt_heg@web.de> - 2021-12-02 07:09 +0100
Re: Modelle Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-02 09:46 +0100
Re: Modelle Fritz <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-09-03 17:15 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-12 20:54 +0200
Re: Farad Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-08-14 21:15 +0200
Re: Farad Thomas Heger <ttt_heg@web.de> - 2021-09-15 07:19 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-09-27 22:12 +0200
Re: Farad Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-09-30 02:04 +0200
Re: Farad Fritz <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-10-06 09:44 +0200
Re: Farad Thomas Heger <ttt_heg@web.de> - 2021-10-09 06:46 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-10-31 11:24 +0000
Re: Farad Thomas Heger <ttt_heg@web.de> - 2021-11-05 07:10 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-11-05 09:08 +0100
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-11-09 17:06 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-11-09 17:09 +0100
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-11-09 13:31 +0100
Re: Farad Fritz <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-10-06 09:42 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-11 01:29 +0200
Re: Farad Thomas Heger <ttt_heg@web.de> - 2021-09-10 07:27 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-09-10 12:37 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-09-10 18:47 +0200
Re: Farad Thomas Heger <ttt_heg@web.de> - 2021-09-11 07:14 +0200
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-09-11 16:26 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-09-11 22:12 +0200
Re: Farad Thomas Heger <ttt_heg@web.de> - 2021-09-13 08:43 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-09-11 22:15 +0200
Re: Farad Thomas Heger <ttt_heg@web.de> - 2021-09-13 08:29 +0200
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-09-14 16:47 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-10-31 10:38 +0000
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-10-31 12:21 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-10-31 15:00 +0000
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-10-31 22:37 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-01 10:56 +0000
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-11-02 10:37 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-04 07:50 +0000
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-11-09 17:08 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-10-31 20:18 +0100
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-10-31 23:12 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-11-01 13:27 +0100
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-11-01 14:13 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-11-01 16:17 +0100
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-11-01 21:09 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-11-01 22:22 +0100
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-11-02 02:08 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-11-02 07:40 +0100
Re: Farad Kurt <kurt.bindl@t-online.de> - 2021-10-06 22:45 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-10-31 11:39 +0000
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-10 15:53 +0200
Re: Farad Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> - 2021-08-10 16:40 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-10 21:03 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-08-11 11:21 +0000
Re: Farad Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-08-14 07:49 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-08-16 12:54 +0000
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-14 18:48 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-04 07:46 +0000
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-04 08:05 +0000
Re: Farad Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-08-14 07:21 +0200
Re: Farad Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-08-14 15:03 +0200
Re: Farad Fritz <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-08-14 17:03 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-14 18:51 +0200
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-08-14 18:43 +0200
Re: Farad Thomas 'PointedEars' Lahn <PointedEars@web.de> - 2021-08-14 07:38 +0200
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-26 08:07 +0000
Re: Farad Reinhardt Behm <rbehm@hushmail.com> - 2021-11-26 13:23 +0000
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-26 16:32 +0000
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-11-26 18:24 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-27 13:34 +0000
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-11-27 15:49 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-27 17:12 +0000
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-11-27 19:36 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-28 19:05 +0000
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-11-28 21:29 +0100
Re: Farad Fritz <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-11-29 08:52 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-11-29 19:33 +0000
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-02 18:30 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-12-07 12:18 +0000
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-07 13:35 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-12-07 14:54 +0000
Re: Farad Fritz <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-12-10 16:39 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-10 17:05 +0100
Re: Farad Fritz - Till Eulenspiegel und Trollfuetterer <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-12-10 17:41 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-10 18:17 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-07 17:31 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-12-07 18:51 +0000
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-07 22:04 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-12-08 08:03 +0000
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-12-08 08:13 +0000
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-08 11:08 +0100
Re: Farad Fritz - Till Eulenspiegel und Trollfuetterer <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-12-10 16:42 +0100
Re: Farad Fritz - Till Eulenspiegel und Trollfuetterer <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-12-10 16:41 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-09 15:36 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-12-10 15:24 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-10 17:52 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-10 18:16 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-12-16 08:32 +0000
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-16 12:51 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-16 13:03 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-12-16 13:10 +0000
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-16 15:26 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-12-16 15:44 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-17 02:37 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-17 06:09 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-12-18 13:49 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-18 15:10 +0100
Re: Farad Kurt <kurt.bindl@t-online.de> - 2021-12-18 16:45 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-18 17:02 +0100
Re: Farad Kurt <kurt.bindl@t-online.de> - 2021-12-18 18:19 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-18 18:29 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-12-19 11:07 +0100
Re: Farad Kurt <kurt.bindl@t-online.de> - 2021-12-19 13:33 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-19 13:36 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-12-19 14:10 +0100
Re: Farad Kurt <kurt.bindl@t-online.de> - 2021-12-19 14:26 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-12-19 14:37 +0100
Re: Farad Kurt <kurt.bindl@t-online.de> - 2021-12-19 15:17 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-19 15:33 +0100
Re: Farad Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> - 2021-12-19 15:28 +0000
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-19 16:43 +0100
Re: Farad Mein Vater war ein Wandersmann <wanderer@devnullmail.com> - 2021-12-19 12:49 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-12-18 18:53 +0100
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Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-23 03:38 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-23 09:14 +0100
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-12-24 15:02 +0100
Re: Farad Fritz - Till Eulenspiegel und Trollfuetterer <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-12-25 17:09 +0100
Re: Farad "Siegfrid Breuer" <point@tipota.de> - 2021-12-25 18:09 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-25 18:41 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-25 18:49 +0100
Re: Farad "Fupp-Eliminator" <fupp-eliminator@tipota.de> - 2021-12-25 18:56 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-25 20:17 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-25 20:29 +0100
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-12-25 23:08 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-26 00:38 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-12-26 09:17 +0100
Re: Farad Gerrit Heitsch <gerrit@laosinh.s.bawue.de> - 2021-12-26 09:19 +0100
Re: Farad Axel Berger <Spam@Berger-Odenthal.De> - 2021-12-26 13:30 +0100
Re: Farad Gerrit Heitsch <gerrit@laosinh.s.bawue.de> - 2021-12-26 13:40 +0100
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-12-27 00:55 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-26 14:00 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-12-26 21:13 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-27 12:18 +0100
Re: Farad Marte Schwarz <marte.schwarz@gmx.de> - 2021-12-27 13:38 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-27 14:39 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-12-27 20:55 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-12-28 17:03 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-28 17:08 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-12-29 12:30 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-29 13:54 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2022-01-01 12:41 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2022-01-01 12:52 +0100
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2022-01-02 12:05 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2022-01-02 19:30 +0100
Re: Farad Thomas Heger <ttt_heg@web.de> - 2022-01-02 06:13 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2022-01-02 11:49 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2022-01-02 12:01 +0100
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2022-01-02 12:28 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2022-01-02 14:52 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2022-01-02 14:58 +0100
Re: Farad Psychiater <psychiater@klinik.tv> - 2022-01-02 16:48 +0100
Re: Farad Fritz - Till Eulenspiegel und Trollfuetterer <mogined@nurfuerspam.de> - 2022-01-02 17:33 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-12-28 18:39 +0100
Re: Farad Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-12-29 12:28 +0100
Re: Farad Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> - 2021-12-29 16:52 +0100
Re: Farad Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-12-27 00:39 +0100
Re: Farad Fritz - Till Eulenspiegel und Trollfuetterer <mogined@nurfuerspam.de> - 2021-12-29 14:44 +0100
Re: Farad Kurt <kurt.bindl@t-online.de> - 2021-12-21 12:21 +0100
Re: Farad Tante Emma <invalid@invalid.invalid> - 2021-12-21 13:20 +0100
Re: Farad Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-12-21 14:28 +0100
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| From | Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-19 15:28 +0000 |
| Message-ID | <slrnsrujs9.bek.jko@IONNOKEFKO.johannes-koehler.de> |
| In reply to | #139565 |
On 2021-12-19, Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> wrote: > Am 19.12.2021 um 15:17 schrieb Kurt: >> Die heutige Physik beruht auf Annahmen die nichts mit der Realität zu >> tun haben. > > Du lebst schon lange außerhalb der Realität, tief in deiner wirren Wahnwelt. Manche nennen es dann auch das Leben. Meine die Realität... Für diese Leute sprichst du Unsinn um andere zu demütigen. Meine die wirre Wahnwelt. Weil "tief drinnen" impliziert bei dir dann sozusagen das man fest steckt. Wollte nur mitdenken, weil dem "aussichtslosen wirren Wahn" läst sich immer entkommen. "Also... Kopf hoch" - kefko
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| From | Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> |
|---|---|
| Date | 2021-12-19 16:43 +0100 |
| Message-ID | <spnjv8$11vq$1@gioia.aioe.org> |
| In reply to | #139566 |
Am 19.12.2021 um 16:28 schrieb Johannes Koehler: > On 2021-12-19, Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> wrote: >> Am 19.12.2021 um 15:17 schrieb Kurt: >>> Die heutige Physik beruht auf Annahmen die nichts mit der Realität zu >>> tun haben. >> >> Du lebst schon lange außerhalb der Realität, tief in deiner wirren Wahnwelt. > > Manche nennen es dann auch das Leben. Meine die Realität... Für diese > Leute sprichst du Unsinn um andere zu demütigen. Meine die wirre > Wahnwelt. Weil "tief drinnen" impliziert bei dir dann sozusagen das > man fest steckt. > > Wollte nur mitdenken, weil dem "aussichtslosen wirren Wahn" läst sich > immer entkommen. "Also... Kopf hoch" Kurt ist schon seit vielen Jahren komplett übergeschnappt.
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| From | Mein Vater war ein Wandersmann <wanderer@devnullmail.com> |
|---|---|
| Date | 2021-12-19 12:49 +0100 |
| Message-ID | <spn64a$1pbrg$1@news.mixmin.net> |
| In reply to | #139545 |
Am 18.12.2021 um 16:45 schrieb Kurt: > Am 18.12.2021 um 15:10 schrieb Tante Emma: >> Die freien Elektronen in der >> n-Schicht wandern bei Spannung in Sperrichtung zur Kathode, die >> sogenannten Löcher in der p-Schicht zur Anode. > > Was sind die sog. Löcher? Was wandert da? Wer´s als erster roch, dem kroch es aus dem Loch. Martin
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| From | Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-18 18:53 +0100 |
| Message-ID | <j26lgdFbbepU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #139544 |
Herr Bruns schrieb:
> Am 18.12.21 um 13:49 schrieb Dieter Heidorn:
>> Sebastin Wolf schrieb:
>>> Am 17.12.2021 um 02:37 schrieb Holger Bruns:
>>>> Am 16.12.21 um 15:44 schrieb Dieter Heidorn:
>>>>
>>>>> 2. In einer Diode ist _kein_ solches Dielekrikum wie beim Platten-
>>>>> kondensator vorhanden - auch wenn Herr Bruns sich das
>>>>> fälschlich so vorstellen mag.
>>>>
>>>> Eine Sperrschicht ist ein Isolator,
>>>> weil dort die Ladungsträger durch die in Sperrichtung angelegte Spannung
>>>> quasi abgesaugt wurden. Sie hinterlassen also ein mehr oder weniger
>>>> ladungsträgerfreie Zone, die wie ein Isolator wirkt und unter dem
>>>> Einfluß der Spannung selbst polarisiert wird. Damit kann man sie als
>>>> Dielektrikum sehen.
>
> Eigentlich ist dieses Thema für mich durch. Von Ionen ist keine Rede,
> ein Dielektrikum in einem Folienkondensator beispielsweise wird ja auch
> nicht ionisiert.
Was auch niemand behauptet hat. Vielmehr wurde von mir auf die Tatsache
hingewiesen, dass ein Dielektrikum im Kondensator durch das Feld im
Kondensator polarisiert wird. Was Polarisation bedeutet, kannst du z.B.
hier nachlesen:
https://de.wikipedia.org/wiki/Dielektrikum#Polarisation_eines_Dielektrikums
Solche Vorgänge finden in der Sperrschicht des pn-Übergangs nicht statt.
Deine Aussage vom 09.12.2021 15:36:
> Als Dielektrikum dient die Sperrschicht,
und deine Aussage vom 17.12.2021 02:37
> Eine Sperrschicht ist ein Isolator,
> weil dort die Ladungsträger durch die in Sperrichtung angelegte Spannung
> quasi abgesaugt wurden. Sie hinterlassen also ein mehr oder weniger
> ladungsträgerfreie Zone, die wie ein Isolator wirkt und unter dem
-----------------------
> Einfluß der Spannung selbst polarisiert wird.
-----------------
> Damit kann man sie als Dielektrikum sehen.
-----------
sind also unsinnig.
> In einer Diode ohne angelegte Spannung befinden sich
> freie Ladungsträger im pn-Übergang
Das ist missverständlich ausgedrückt, weil du hier von der
Raumladungszone der Sperrschicht absiehst, die auch ohne angelegte
Spannung vorhanden ist - siehe z.B.
https://de.wikipedia.org/wiki/P-n-%C3%9Cbergang
https://de.wikipedia.org/wiki/P-n-%C3%9Cbergang#p-n-%C3%9Cbergang_im_Gleichgewicht
Die Verhältnisse beim pn-Übergang entsprechen erkennbar nicht den
Verhältnissen in einem Kondensator mit Dielektrikum: geladene Elektroden
und polarisiertes Dielektrikum dazwischen. Beim pn-Übergang dagegen sind
die Verhältnisse so:
im Bereich der Sperrschicht liegen im p-Bereich negativ ionisierte
ortsfeste Akzeptoratome vor, im n-Bereich liegen positiv ionisierte
ortsfeste Donatoratome vor. Nix mit "polarisiertem Dielektrikum"
dazwischen... sondern zwei direkt aneinander grenzende Raumladungszonen
unterschiedlichen Ladungsvorzeichens.
> Diese freien Ladungsträger können
> wandern, wenn eine Spannung angelegt wird.
Sie "wandern" auch ohne angelegte Spannung. Der Vorgang nennt sich
Diffusion: freie Elektronen des n-Gebiets diffundieren in das p-Gebiet
und ionisieren dort Akzeptoratome; umgekehrt diffundieren Löcher des
p-Gebiets in das n-Gebiet und ionisieren dort Donatoratome. So entsteht
die Raumladungszone (oder Verarmungszone oder Sperrschicht) aus
ionisierten Donatoren bzw. Akzeptoren.
> Die freien Elektronen in der
> n-Schicht wandern bei Spannung in Sperrichtung zur Kathode, die
> sogenannten Löcher in der p-Schicht zur Anode. In diesem Fall entsteht
> an der Sperrschicht also eine von freien Ladungsträgern verarmte Zone,
Die bestand auch schon ohne Vorspannung. Mit Spannung wird sie - je nach
Richtung der Spannung - vergrößert oder verkleinert. Und die
Raumladungszonen bestehen nach wie vor aus ionisierten Donatoren bzw.
Akzeptoren - siehe
https://de.wikipedia.org/wiki/P-n-%C3%9Cbergang#p-n-%C3%9Cbergang_im_Gleichgewicht
Falls dir wikipedia als Quelle nicht genügt: Ich hatte dir bereits ein
eingeführtes gutes Lehrbuch zur Festkörperphysik empfohlen:
Ibach, Lüth: Festkörperphysik (7. Auflage)
Im Abschnitt "12.6 Der p-n-Übergang und der Metall/Halbleiter-Schottky-
Kontakt" sind die Vorgänge und Verhältnisse beim pn-Übergang sehr
ausführlich dargestellt. Ein Blick in dieses Buch, mein lieber Holger,
wird dich sicher nicht dümmer machen.
Dieter Heidorn
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| From | Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-19 10:13 +0000 |
| Message-ID | <slrnsru1ds.11f.jko@IONNOKEFKO.johannes-koehler.de> |
| In reply to | #139549 |
Mich valued Newsgroup! kurz vorweg, weil ich so auf Antipathie gestoßen bin mit meinen Vorstellungen hier bei euch in der Gruppe, bzw. sogar mit der Bewertung abgehandelt wurde "Das richtige kann ich nie verstehen..." Meine Postings sind immer unter einer Frage im Hintergrund zu lesen "Kann/Darf man sich das so vorstellen?" Ich will die Newsgroup sozusagen nutzen als eigenständiger Erwachsener nicht wie als abhängiges Kind in der Schule etwas lernen zu müssen, sondern eigenständig und autodidaktisch zu lernen. Ich sehe mich aber im Größenverhältniss schon als Schüler vor Lehrern... On 2021-12-18, Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> wrote: > Herr Bruns schrieb: >> Eigentlich ist dieses Thema für mich durch. Von Ionen ist keine Rede, >> ein Dielektrikum in einem Folienkondensator beispielsweise wird ja auch >> nicht ionisiert. > > Was auch niemand behauptet hat. Vielmehr wurde von mir auf die Tatsache > hingewiesen, dass ein Dielektrikum im Kondensator durch das Feld im > [...] > Solche Vorgänge finden in der Sperrschicht des pn-Übergangs nicht statt. > Deine Aussage vom 09.12.2021 15:36: > >> Als Dielektrikum dient die Sperrschicht, > > und deine Aussage vom 17.12.2021 02:37 > >> Eine Sperrschicht ist ein Isolator, >> weil dort die Ladungsträger durch die in Sperrichtung angelegte Spannung >> quasi abgesaugt wurden. Sie hinterlassen also ein mehr oder weniger >> ladungsträgerfreie Zone, die wie ein Isolator wirkt und unter dem > ----------------------- >> Einfluß der Spannung selbst polarisiert wird. > ----------------- >> Damit kann man sie als Dielektrikum sehen. > ----------- > sind also unsinnig. Da sich die Diode im Bezug zur Stromstärke konstant verhält im Gegensatz zum Widerstand der sich zur Spannung konstant verhält, deutet das doch darauf hin das der Ladungsausgleich(=Spannungsausgleich) den Kondensatoreffekt erzeugt? ... Durch die verarmte Sperrschicht (pn Übergang). Wenn ich in einer Schaltung einen Widerstand parallel schalte bleibt die Gesamtspannung gleich wenn ich eine Diode parallel schalte die Gesamtstromstärke? Beim Kondensator mit Dielektrikum findet der Ladungsausgleich(=Stromausgleich) doch durch den Stromabfall statt wenn man die Stromquelle trennt. Er verhält sich sozusagen auch wie der Widerstand konstant zu der Spannung, damit meine ich er verändert die Spannung nicht sonder die Stromstärke... >> In einer Diode ohne angelegte Spannung befinden sich >> freie Ladungsträger im pn-Übergang > > Das ist missverständlich ausgedrückt, weil du hier von der > Raumladungszone der Sperrschicht absiehst, die auch ohne angelegte > Spannung vorhanden ist - siehe z.B. Raumladungszone ist doch die Sperrschicht? > im Bereich der Sperrschicht liegen im p-Bereich negativ ionisierte > ortsfeste Akzeptoratome vor, im n-Bereich liegen positiv ionisierte > ortsfeste Donatoratome vor. Nix mit "polarisiertem Dielektrikum" > dazwischen... sondern zwei direkt aneinander grenzende Raumladungszonen > unterschiedlichen Ladungsvorzeichens. In dem Buch das ich lese, ist die Raumladungszone die Grenzschicht (Übergang) zwischen dem N dotierten Halbleiter und P dotierten Halbleiter + der durch Diffusion entstandene Diffusionraum. Sozusagen einfach statt zweifach, die Diode kennzeichnet doch auch einen PN Übergang statt zwei. >> Diese freien Ladungsträger können >> wandern, wenn eine Spannung angelegt wird. > > Sie "wandern" auch ohne angelegte Spannung. Der Vorgang nennt sich > Diffusion: freie Elektronen des n-Gebiets diffundieren in das p-Gebiet Darf man das nicht Ladungsausgleich nennen das Prinzip der Diffusion? - kefko
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| From | Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-19 13:49 +0100 |
| Message-ID | <j28o3kFnc8nU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #139552 |
Johannes Koehler schrieb:
>
> Meine Postings sind immer unter einer Frage im Hintergrund
> zu lesen "Kann/Darf man sich das so vorstellen?"
>
Dazu habe ich mich ja auch geäußert. Ich habe versucht, dir diese Frage
zu beantworten, indem ich relativ ausführlich zwei Fälle dargestellt
habe:
1. ebener Plattenkondensator mit Dielektrikum zwischen den Platten
2. pn-Übergang in einer Halbleiterdiode mit Raumladungszone (auch
Sperrschicht oder Verarmungszone genannt).
Dabei habe ich versucht dir klar zu machen, dass diese Anordnungen und
die Abläufe in ihnen unterschiedlich sind, der Begriff der Kapazität
aber vom Wesen her gleich verwendet wird: gespeicherte Ladung bezogen
auf die Spannung.
> Ich will die Newsgroup sozusagen nutzen als eigenständiger
> Erwachsener nicht wie als abhängiges Kind in der Schule etwas lernen
> zu müssen, sondern eigenständig und autodidaktisch zu lernen.
Das steht dir selbstverständlich frei. Ich habe mit meinen Beispielen
versucht zu zeigen, dass nach meiner Auffassung deine Vorstellungen
damit nicht kompatibel sind. Niemand zwingt sich, das zu akzeptieren.
>> [Es] wurde von mir auf die Tatsache
>> hingewiesen, dass ein Dielektrikum im Kondensator durch das Feld im
>> [...]
>> Solche Vorgänge finden in der Sperrschicht des pn-Übergangs nicht statt.
>> [Holgers] Aussage vom 09.12.2021 15:36:
>>
>>> Als Dielektrikum dient die Sperrschicht,
>>
>> und [s]eine Aussage vom 17.12.2021 02:37
>>
>>> Eine Sperrschicht ist ein Isolator,
>>> weil dort die Ladungsträger durch die in Sperrichtung angelegte Spannung
>>> quasi abgesaugt wurden. Sie hinterlassen also ein mehr oder weniger
>>> ladungsträgerfreie Zone, die wie ein Isolator wirkt und unter dem
>> -----------------------
>>> Einfluß der Spannung selbst polarisiert wird.
>> -----------------
>>> Damit kann man sie als Dielektrikum sehen.
>> -----------
>> sind also unsinnig.
>
> Da sich die Diode im Bezug zur Stromstärke konstant verhält im Gegensatz
> zum Widerstand der sich zur Spannung konstant verhält,
Dieser (Halb-)Satz ergibt keinen Sinn.
* Bei einem ohmschen Widerstand ist der Widerstandswert R konstant.
Legt man eine Spannung U an, so stellt sich die Stromstärke
I = U/R
ein. Die Stromstärke ist proportional zur Spannung: I ~ U, oder anders
ausgedrückt: Der Zusammenhang von Strom und Spannung ist linear.
* Der Strom, der bei einer angelegten Spannung durch eine Diode fließt,
hängt nicht-linear von der Spannung ab:
I_D = I_S * ( exp(U_D/(n*U_T) - 1 )
(Erklärung siehe
https://de.wikipedia.org/wiki/Diode#Ideale_Diode_/_Shockley-Gleichung )
Dementsprechend ist der Widerstand der Diode nicht konstant und hängt
nicht-linear von der Spannung ab. Hier kann nur ein differentieller
Widerstandswert angegeben werden:
r_D = dU_D/dI_D
Weiteres dazu kannst du hier finden:
https://de.wikipedia.org/wiki/Diode#Differentieller_Widerstand
> deutet das doch
> darauf hin das der Ladungsausgleich(=Spannungsausgleich) den Kondensatoreffekt
> erzeugt?
Falls du mit "Kondensatoreffekt" die Entstehung der Kapazität der
Sperrschicht meinen solltest, ist das wie folgt zu erklären:
Bringst du einen p-dotierten Halbleiter in Kontakt mit einem n-dotierten
Halbleiter, ohne zunächst eine äußere Spannung anzuschließen, so
diffundieren freie Elektronen des n-Gebiets in das p-Gebiet und
ionisieren dort Akzeptoratome; umgekehrt diffundieren Löcher des
p-Gebiets in das n-Gebiet und ionisieren dort Donatoratome. So entsteht
die Raumladungszone (oder Verarmungszone oder Sperrschicht) aus
ionisierten Donatoren bzw. Akzeptoren. Das hatte ich dir bereits einmal
aufgezeichnet:
p n
----------------------------------------
| | | | |
| | | | |
o---| |[-] | [+]| |---o
| | | | |
| | | | |
----------------------------------------
|d_p | d_n|
(Dicke der Raumladungsschichten
im p- bzw. n-Gebiet)
Zwischen den unterschiedlich geladenen Raumladungsschichten bildet sich
eine Spannung aus, die sogenannte Diffusionsspannung.
Schließt man nun eine äußere Spannung an, vergrößert oder verkleinert
sich die Ausdehnung der Sperrschicht - je nach Richtung der angelegten
Spannung.
Die Raumladungszonen bestehen also aus ionisierten Donatoren bzw.
Akzeptoren. Die Ladung Q_sc der Raumladungszonen wird in Bezug zur
Spannung gesetzt um die Kapazität zu erhalten:
C_sc = |dQ_sc/dU|
Da der Zusammenhang nicht-linear ist, muss wieder ein differentieller
Zusammenhang verwendet werden.
> Wenn ich in einer
> Schaltung einen Widerstand parallel schalte bleibt die Gesamtspannung gleich
Wenn du mit "Gesamtspannung" die Spannung einer angeschlossenen Quelle
meinst: ja - solange die Quelle als "ideal" angesehen werden kann.
> wenn ich eine Diode parallel schalte die Gesamtstromstärke?
Nein, da der Gesamtwiderstand der Schaltung bei gleicher Spannung der
angeschlossenen Quelle verändert wird.
Für eine genauere Analyse müsstest du eine konkrete Schaltung angeben.
> Beim Kondensator
> mit Dielektrikum findet der Ladungsausgleich(=Stromausgleich) doch durch den
> Stromabfall statt wenn man die Stromquelle trennt.
* Ein Kondensator wird mit einer Spannungsquelle geladen - eine
Stromquelle ist etwas anderes.
* Während des Ladevorgangs nimmt die Stromstärke zeitlich nicht-linear
ab, und bei vollständig geladenem Kondensator ist I = 0.
(Den zeitlichen Verlauf des Ladevorgangs hatte ich dir in meinem
posting vom 26.11.2021 18:24 detailliert vorgerechnet.)
* Trennst du nach erfolgter Aufladung des Kondensators die
Spannungsquelle ab, dann findet kein "Ladungsausgleich" statt.
Der Kondensator behält die in ihm gespeicherte Ladung.
> Er verhält
> sich sozusagen auch wie der Widerstand konstant zu der Spannung,
Das muss man schon genauer formulieren:
* R (beim ohmschen Widerstand) und C (bei Kondensatoren mit Elektroden
und Dielektrikum) sind konstante Größen.
* Bei angelegter Spannung U stellt sich beim Widerstand die Stromstärke
I = U/R , also I ~ U ein.
* Beim Kondensator wird die Ladung
Q = C*U , also Q ~ U aufgebracht.
Der Widerstand beeinflusst die Stromstärke, die Kapazität des
Kondensators beeinflusst die aufgebrachte Ladungsmenge.
>>> In einer Diode ohne angelegte Spannung befinden sich
>>> freie Ladungsträger im pn-Übergang
>>
>> Das ist missverständlich ausgedrückt, weil du hier von der
>> Raumladungszone der Sperrschicht absiehst, die auch ohne angelegte
>> Spannung vorhanden ist - siehe z.B.
>
> Raumladungszone ist doch die Sperrschicht?
>
Ja - und in der befinden sich praktisch keine freien Ladungsträger
(abgesehen von der vernachlässigbaren intrinsischen Ladungs-
trägerkonzentration). Deswegen habe ich Holgers Aussage "In einer Diode
ohne angelegte Spannung befinden sich freie Ladungsträger im
pn-Übergang" kritisiert und darauf hingewiesen, dass sie falsch ist.
>> im Bereich der Sperrschicht liegen im p-Bereich negativ ionisierte
>> ortsfeste Akzeptoratome vor, im n-Bereich liegen positiv ionisierte
>> ortsfeste Donatoratome vor. Nix mit "polarisiertem Dielektrikum"
>> dazwischen... sondern zwei direkt aneinander grenzende Raumladungszonen
>> unterschiedlichen Ladungsvorzeichens.
>
> In dem Buch das ich lese, >
Titel? Verfasser?
> ist die Raumladungszone die Grenzschicht
> (Übergang) zwischen dem N dotierten Halbleiter und P dotierten Halbleiter
> + der durch Diffusion entstandene Diffusionraum.
>
> Sozusagen einfach statt zweifach, die Diode kennzeichnet doch auch
> einen PN Übergang statt zwei.
>
Die Raumladungszone beim pn-Übergang besteht aber aus zwei Anteilen.
Ich wiederhole noch einmal, was ich bereits oben schrieb:
Beim pn-Übergang diffundieren freie Elektronen des n-Gebiets in das
p-Gebiet und ionisieren dort Akzeptoratome; umgekehrt diffundieren
Löcher des p-Gebiets in das n-Gebiet und ionisieren dort Donatoratome.
So entsteht die Raumladungszone (oder Verarmungszone oder Sperrschicht)
aus ionisierten Donatoren bzw. Akzeptoren.
p n
----------------------------------------
| | | | |
| | | | |
o---| |[-] | [+]| |---o
| | | | |
| | | | |
----------------------------------------
|d_p | d_n|
(Dicke der Raumladungsschichten
im p- bzw. n-Gebiet)
Wenn dir meine bescheidene ASCII-Grafik nicht genügt, so kannst du hier
bessere Bildchen dazu finden:
https://de.wikipedia.org/wiki/P-n-%C3%9Cbergang#p-n-%C3%9Cbergang_im_Gleichgewicht
>>> Diese freien Ladungsträger können
>>> wandern, wenn eine Spannung angelegt wird.
>>
>> Sie "wandern" auch ohne angelegte Spannung. Der Vorgang nennt sich
>> Diffusion: freie Elektronen des n-Gebiets diffundieren in das p-Gebiet
>
> Darf man das nicht Ladungsausgleich nennen das Prinzip der
> Diffusion?
Du kannst es nennen, wie es dir beliebt... Es hat sich nur als sinnvoll
erwiesen, diese Ladungsbewegung als Diffusionsstrom zu bezeichnen, da es
auch anders hervorgerufene elektrische Ströme gibt, z.B. den Feldstrom,
also die durch ein elektrisches Feld bewirkte Bewegung von Ladungs-
trägern. Der tritt auch beim pn-Übergang auf: Die durch Diffusion der
freien Ladungsträger entstehenden Raumladungsgebiete rufen ein
elektrisches Feld hervor, das einen Feldstrom bewirkt, welcher der
Richtung des Diffusionsstroms entgegengesetzt ist. So entsteht letztlich
ein Gleichgewichtszustand, und die Raumladungsgebiete nehmen ihre
endgültige Breite an. Erst mit einer äußeren Spannung kann diese
verändert werden.
Dieter Heidorn
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| From | Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-19 13:59 +0000 |
| Message-ID | <slrnsruelk.9hb.jko@IONNOKEFKO.johannes-koehler.de> |
| In reply to | #139557 |
On 2021-12-19, Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> wrote: >> Ich will die Newsgroup sozusagen nutzen als eigenständiger >> Erwachsener nicht wie als abhängiges Kind in der Schule etwas lernen >> zu müssen, sondern eigenständig und autodidaktisch zu lernen. > > Das steht dir selbstverständlich frei. Ich habe mit meinen Beispielen > versucht zu zeigen, dass nach meiner Auffassung deine Vorstellungen > damit nicht kompatibel sind. Niemand zwingt sich, das zu akzeptieren. Ok, dann ist dieses Prinzip für die Newsgroup sozusagen legitim. Damit meine ich das Usenet als Netzwerk zu nutzen im Process, etwas zu lernen. Falsch und richtig zu akzeptieren... Natürlich gerne und jederzeit. Nur muss sich das dann auch beweisen. Das heißt, wenn ich mir als Schüler durch Literatur eine Vorstellung von einer Theorie erarbeite, finde ich diese Mentalität -> "falsch weil diese konkreten Worte richtig sind", damit gemeint das Wissen nach Definition, nicht weiterführend und auch hinsichtlich geistiger und psychischer Gesundheit (-> Wahnsinn durch Verwirrung) manchmal schwierig... Wenn ein Lehrer demnach diese "Schüler" Vorstellung (die durch Zeit und geistig Leistung auch hart erarbeitet sein kann, sozusagen ein Fundament für Selbstbewusstsein) einfach in den Papierkorb wirft, ohne sie durch einen konkreten Beweis zu widerlegen, indirekt damit dem Schüler den Eindruck vermittelt seine Gedankengänge interessieren nicht, einen schlechten Unterricht. Außer... Der Lehrer ist jemand der sich als Wissenschaftler durch eine eigene Theorie eine Reputation erarbeitet hat, und ich will als Schüler konkret über diese "seine" Theorie lernen. Demnach nach einer Theorie ausschließende Gedanken nachvollziehen lernen... Dann finde ich die Mentalität in Orndung weil der Lehrer nicht Meister einer ihm aber fremden Theorie ist. Eine gute Theorie hat doch immer mehrerer stimmige Erklärungen. >> Da sich die Diode im Bezug zur Stromstärke konstant verhält im Gegensatz >> zum Widerstand der sich zur Spannung konstant verhält, > > Dieser (Halb-)Satz ergibt keinen Sinn. Ich hab gelesen das die Diode bei gleichem (konstanten) Strom die Spannung verändert wenn man eine weitere parallel dazuschaltet, der Widerstand allerdings die Spannung nicht verändert, bei Parallelschaltung, voraussgesetzt die Quelle (=Strom und Spannung) kann mehr Strom liefern... > meinst: ja - solange die Quelle als "ideal" angesehen werden kann. In der Theorie die ich bisher gelesen hab ist Spannung und Strom immer aus einer Quelle wobei beide nach oben begrenzt sind. Den Begriff ideal ist für mich synonym zu theoretisch. Beides, Strom und Spannung kann man durch entsprechende Bauteile vorgeben (regeln), und die Schaltung kann diese vorgaben ggf. verändern. >> wenn ich eine Diode parallel schalte die Gesamtstromstärke? > > Nein, da der Gesamtwiderstand der Schaltung bei gleicher Spannung der > angeschlossenen Quelle verändert wird. Der Widerstand an der Diode ist doch ab der "Durchbruchspannung" zu vernachlässigen? Nach Prinzip... Die Diode verändert durch ihr Wirkprinzip doch primär die Spannung statt den Stromfluß. > * Während des Ladevorgangs nimmt die Stromstärke zeitlich nicht-linear > ab, und bei vollständig geladenem Kondensator ist I = 0. > (Den zeitlichen Verlauf des Ladevorgangs hatte ich dir in meinem > posting vom 26.11.2021 18:24 detailliert vorgerechnet.) Die Schaltungssenke ab Kondensator hat doch nach dem Ladevorgang auch noch einen Strom... >>>> In einer Diode ohne angelegte Spannung befinden sich >>>> freie Ladungsträger im pn-Übergang >>> >>> Das ist missverständlich ausgedrückt, weil du hier von der >>> Raumladungszone der Sperrschicht absiehst, die auch ohne angelegte >>> Spannung vorhanden ist - siehe z.B. >> >> Raumladungszone ist doch die Sperrschicht? >> > > Ja - und in der befinden sich praktisch keine freien Ladungsträger > (abgesehen von der vernachlässigbaren intrinsischen Ladungs- > trägerkonzentration). Deswegen habe ich Holgers Aussage "In einer Diode > ohne angelegte Spannung befinden sich freie Ladungsträger im > pn-Übergang" kritisiert und darauf hingewiesen, dass sie falsch ist. > >>> im Bereich der Sperrschicht liegen im p-Bereich negativ ionisierte >>> ortsfeste Akzeptoratome vor, im n-Bereich liegen positiv ionisierte >>> ortsfeste Donatoratome vor. Nix mit "polarisiertem Dielektrikum" >>> dazwischen... sondern zwei direkt aneinander grenzende Raumladungszonen >>> unterschiedlichen Ladungsvorzeichens. >> >> In dem Buch das ich lese, > > > Titel? Verfasser? Formelsammlungen aus Physik der Fachoberschule -> Gerhart, Karsten Halbleiterbauelemente -> Paul, Bernstein, Reisch, Göbel Inspiriert war das von dem Arduino Board. Wollte in Zukunft mal einen Addierer mit Transistoren aufbauen, und über den Arduino Clock dann ein Schaltwerk. Den Arduino sozusagen als Watchdog für selstgebaute TTL, RDL Raster. Aber nur eine Freizeitbeschäftigung... - kefko
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| From | Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-19 17:42 +0100 |
| Message-ID | <spnnd1$ul6$1@solani.org> |
| In reply to | #139563 |
Johannes Koehler schrieb:
> On 2021-12-19, Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> wrote:
> Ich hab gelesen das die Diode bei gleichem (konstanten) Strom die
> Spannung verändert wenn man eine weitere parallel dazuschaltet,
Deine Aussagen sind unklar, weil du die Voraussetzungen, die du dir
denkst, nicht benennst. Meine vorige Aussage dazu war: Wenn du die
Spannung der angeschlossenen Spannungsquelle meinst, dann ändert die
sich nicht bei Veränderung der Schaltung, an die sie angeschlossen ist.
Wenn du aber z.B. so etwas aufbaust:
Spannungsquelle - ohmscher Widerstand - Diode --|
| |
-------------------------------------------
dann ändern sich die Teilspannungen (Spannungsabfälle) am Widerstand
und der Diode, wenn du etwas weiteres anbaust.
> der Widerstand
> allerdings die Spannung nicht verändert, bei Parallelschaltung,
Auch hier: Die Spannung einer Spannungsquelle wird dadurch nicht
verändert, dass du zu einem Widerstand in der Schaltung einen weiteren
Widerstand parallel schaltest. Was sich ändert, ist die Teilspannung,
die zuerst über dem Einzelwiderstand und danach an der Parallelschaltung
zweier Widerstände abfällt.
>> meinst: ja - solange die Quelle als "ideal" angesehen werden kann.
>
> In der Theorie die ich bisher gelesen hab ist Spannung und Strom immer
> aus einer Quelle wobei beide nach oben begrenzt sind. Den Begriff ideal
> ist für mich synonym zu theoretisch.
Der Begriff hat durchaus praktische Bedeutung. Näheres kannst du hier
nachlesen:
https://de.wikipedia.org/wiki/Spannungsquelle#Ideale_und_reale_Spannungsquellen
https://de.wikipedia.org/wiki/Stromquelle_%28Schaltungstheorie%29#Ideale_Stromquelle
> Beides, Strom und Spannung kann
> man durch entsprechende Bauteile vorgeben (regeln), und die Schaltung
> kann diese vorgaben ggf. verändern.
>
Du kannst durch Änderungen einer Schaltung die Strom- und
Spannungverteilung in der Schaltung ändern - nicht aber die Spannung
einer idealen Spannungsquelle und nicht die Stromstärke einer idealen
Stromquelle. Bei realen Quellen wird man so vorgehen, dass bei Betrieb
in einer Schaltung die Abweichung vom idealen Verhalten nicht oder nur
in geringem Maße auftritt.
> Der Widerstand an der Diode ist doch ab der "Durchbruchspannung" zu
> vernachlässigen?
>
Im Regelfall wird eine Halbleiterdiode aber nicht im Durchbruchbereich
betrieben. Für spezielle Anwendungen siehe:
https://de.wikipedia.org/wiki/Diode#Durchbruch
> Nach Prinzip... Die Diode verändert durch ihr Wirkprinzip doch primär
> die Spannung statt den Stromfluß.
>
>> * Während des Ladevorgangs nimmt die Stromstärke zeitlich nicht-linear
>> ab, und bei vollständig geladenem Kondensator ist I = 0.
>> (Den zeitlichen Verlauf des Ladevorgangs hatte ich dir in meinem
>> posting vom 26.11.2021 18:24 detailliert vorgerechnet.)
>
> Die Schaltungssenke ab Kondensator hat doch nach dem Ladevorgang
> auch noch einen Strom...
>
a) Was soll denn eine "Schaltungssenke" sein?
b) Das Verhalten eines Kondensators und den zeitlichen Verlauf der
Stromstärke beim Aufladen kannst du selber experimentell überprüfen:
Baue dir eine solche Schaltung auf, wie ich sie in meinem posting vom
26.11.2021 18:24 dargestellt habe. Wenn du nach Abschluss der
Aufladung den Schalter S öffnest, dann ist der Stromkreis unter-
brochen, und es fließt kein Strom mehr.
Hinweis: die sogenannte Zeitkonstante tau = R*C lässt die Zeitdauer
des Ladevorgangs abschätzen (etwa 5 tau). Zahlenbeispiel:
R = 100 kOhm, C = 4,7 myF: tau = 0,47 s.
>>>>> In einer Diode ohne angelegte Spannung befinden sich
>>>>> freie Ladungsträger im pn-Übergang
>>>>
>>>> Das ist missverständlich ausgedrückt, weil du hier von der
>>>> Raumladungszone der Sperrschicht absiehst, die auch ohne angelegte
>>>> Spannung vorhanden ist - siehe z.B.
>>>
>>> Raumladungszone ist doch die Sperrschicht?
>>
>> Ja - und in der befinden sich praktisch keine freien Ladungsträger
>> (abgesehen von der vernachlässigbaren intrinsischen Ladungs-
>> trägerkonzentration). Deswegen habe ich Holgers Aussage "In einer Diode
>> ohne angelegte Spannung befinden sich freie Ladungsträger im
>> pn-Übergang" kritisiert und darauf hingewiesen, dass sie falsch ist.
>>
>>>> im Bereich der Sperrschicht liegen im p-Bereich negativ ionisierte
>>>> ortsfeste Akzeptoratome vor, im n-Bereich liegen positiv ionisierte
>>>> ortsfeste Donatoratome vor. Nix mit "polarisiertem Dielektrikum"
>>>> dazwischen... sondern zwei direkt aneinander grenzende Raumladungszonen
>>>> unterschiedlichen Ladungsvorzeichens.
>>>
>>> In dem Buch das ich lese,
>>
>> Titel? Verfasser?
>
> Formelsammlungen aus Physik der Fachoberschule -> Gerhart, Karsten
> Halbleiterbauelemente -> Paul, Bernstein, Reisch, Göbel
>
Danke. Gefunden habe ich:
* Paul: Elektronische Halbleiterbauelemente (Teubner)
* Reisch: Halbleiter-Bauelemente (Springer)
* Göbel: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik (Springer)
* Bernstein: Elektronik im Alltag" (Leipzig 1985)
Und wie ich sehe, schreibt Göbel (6. Auflage, 2019) in den Abschnitten
2.1 und 2.2 nichts anderes, als ich es hier getan habe.
> Inspiriert war das von dem Arduino Board. Wollte in Zukunft mal einen
> Addierer mit Transistoren aufbauen, und über den Arduino Clock
> dann ein Schaltwerk. Den Arduino sozusagen als Watchdog für selstgebaute
> TTL, RDL Raster. Aber nur eine Freizeitbeschäftigung...
Da bist du in einer Newsgroup wie de.sci.electronics besser aufgehoben.
Hier in dsp geht's meistens mehr um physikalische Grundlagen als um
technische Anwendungen. Bei deinem Vorhaben werden dir Ingenieure besser
helfen können als reine Physiker.
Dieter Heidorn
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| From | Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-22 09:20 +0000 |
| Message-ID | <slrnss5re5.1d4.jko@IONNOKEFKO.johannes-koehler.de> |
| In reply to | #139568 |
On 2021-12-19, Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> wrote:
> Deine Aussagen sind unklar, weil du die Voraussetzungen, die du dir
> denkst, nicht benennst. Meine vorige Aussage dazu war: Wenn du die
> Spannung der angeschlossenen Spannungsquelle meinst, dann ändert die
> sich nicht bei Veränderung der Schaltung, an die sie angeschlossen ist.
>
> Wenn du aber z.B. so etwas aufbaust:
>
> Spannungsquelle - ohmscher Widerstand - Diode --|
> | |
> -------------------------------------------
>
> dann ändern sich die Teilspannungen (Spannungsabfälle) am Widerstand
> und der Diode, wenn du etwas weiteres anbaust.
Erstmal vielen Dank das ihr versucht meine Vorstellungen nachzuvollziehen.
(Ist ja doch auch immer Zeit und Aufwand mit fragwürdigen Nutzen :) )
Ich bin in einem Lernprozess bzw. in einer ähnlichen Entwicklung.
D.h. Aussagen klar auf den Punkt zu bringen entwickelt sich...
Beside... Der Ausgangspunkt für diesen (Lern)Prozess war in der Informatik
mit einer IHK Ausbildung und meinem Interesse als Jugendlicher am
PC und seinen Komponenten angestossen. Dabei war mir aufgefallen bzw.
hab ich erlebt das wenn man "sich von Neugier treiben lässt", sozusagen
auf dem Weg von A nach B schnell ein Weg von A nach Z wird, mit vielen
neuen tiefgreifenden Theorien z.B. wie die "Festkörperphyisk"...
Werde das dann mal auf die Liste der Bücher "für irgendwann nach B" setzen.
Das B momentan ist in meinem Fall die physikalischen Grundlagen zu
erarbeiten, um beim Auseinandersetzen mit Schaltungen oder Komponenten
wie dem Arduino "mitdenken zu können".
de.sci.electric ist dennoch ein guter Tipp. Werde mich da gleich mal
reinlinken...
Nur... In den Theorien über die Grundlagen der Schaltungstechnik
("electric") kommt man eben ohne das Verständnis einiger physikalischer
Vorgänge auch nicht so richtig weiter. Daher bin ich dann bei euch
gestrandet... Das Interesse liegt aber weiter eher bei dem digitalen
elektronischen Wissen. Wobei ich beim Lesen von R.Paul schon mit
konkreter "echter" Physik angestoßen bin.
Aber... Um wieder an den Ursprung anzuknüpfen. Im Thread wird
Ionsierung mit dem Entstehen von Donatoren UND Akzeptoren
beschrieben. Allerdings ist mir der Begriff der Ionisierung
bisher nur beim Entstehen von Elektronen (Donatoren) im
n-Material begegnet?
>> Die Schaltungssenke ab Kondensator hat doch nach dem Ladevorgang
>> auch noch einen Strom...
>
> a) Was soll denn eine "Schaltungssenke" sein?
Im Bezug zur Maße spricht man doch von der "Senke" ab dem
Widerstand den ich betrachte dachte ich?
Lohnt es sich eigentlich sich in die Physik der Halbleiter tiefergreifend
(~Festkörperphysik) einzuarbeiten z.B. wenn man Schaltungen aufbauen
will die weiterführend sind. Zum Beispiel weil man dann genauer
einschätzen kann welche Typ Diode (z.B. ~Material) für den Schaltunstyp
am geeignetesten ist, oder kommt man da mit Zuordnungstabellen zwischen
den Bauteilen auch schon ohne den "Physiker" Stempel zu seinem
Ziel?
- kefko
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| From | Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> |
|---|---|
| Date | 2021-12-22 10:29 +0100 |
| Message-ID | <spur5q$ua9$1@gioia.aioe.org> |
| In reply to | #139646 |
Am 22.12.2021 um 10:20 schrieb Johannes Koehler: > Lohnt es sich eigentlich sich in die Physik der Halbleiter tiefergreifend > (~Festkörperphysik) einzuarbeiten z.B. wenn man Schaltungen aufbauen > will die weiterführend sind. Zum Beispiel weil man dann genauer > einschätzen kann welche Typ Diode (z.B. ~Material) für den Schaltunstyp > am geeignetesten ist, oder kommt man da mit Zuordnungstabellen zwischen > den Bauteilen auch schon ohne den "Physiker" Stempel zu seinem > Ziel? Kommt ganz darauf an in welcher Liga man spielen will. In der Regel bekommt man das von den Herstellern in Form von Datenblättern und Anwendungsvorschlägen vorgekaut, und kann damit durchaus produktiv arbeiten.
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| From | Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-22 16:46 +0100 |
| Message-ID | <j2gviaFap9oU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #139646 |
Johannes Koehler schrieb:
> On 2021-12-19, Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> wrote:
> de.sci.electric ist dennoch ein guter Tipp.
Die Gruppe heißt de.sci.electronics (wirst du aber wohl schon selbst
gemerkt haben).
> Nur... In den Theorien über die Grundlagen der Schaltungstechnik
> ("electric") kommt man eben ohne das Verständnis einiger physikalischer
> Vorgänge auch nicht so richtig weiter. Daher bin ich dann bei euch
> gestrandet... Das Interesse liegt aber weiter eher bei dem digitalen
> elektronischen Wissen. Wobei ich beim Lesen von R.Paul schon mit
> konkreter "echter" Physik angestoßen bin.
>
Ja, der geht schon recht intensiv zur Sache. Für Anfänger halte ich aber
das Buch von H. Göbel für geeigneter.
> Aber... Um wieder an den Ursprung anzuknüpfen. Im Thread wird
> Ionsierung mit dem Entstehen von Donatoren UND Akzeptoren
> beschrieben. Allerdings ist mir der Begriff der Ionisierung
> bisher nur beim Entstehen von Elektronen (Donatoren) im
> n-Material begegnet?
>
Du hattest erwähnt, dass du das Buch von H. Göbel: "Einführung in die
Halbleiter-Schaltungstechnik" liest. In der mir vorliegenden Ausgabe von
2019 findest du im Abschnitt "1.1.4 Dotierte Halbleiter" Darstellungen
zu den Zusammenhängen in n-dotierten und in p-dotierten Halbleitern.
Kurzversion dazu:
* Im n-dotierten Halbleiter werden (4-wertige) Si-Atome durch 5-wertige
Phosphor-Atome ersetzt. Die P-Atome benötigen nur 4 ihrer äußeren
Elektronen um Bindungen mit Si-Atomen zu bilden. Das fünfte löst sich
vom P-Atomrumpf ab und ist frei beweglich. Das P-Atom ist also dann
positiv ionisiert und hat ein Elektron abgegeben - daher nennt man es
"Donator".
* Im p-dotierten Halbleiter werden SI-Atome durch 3-wertige Bor-Atome
ersetzt. Es nimmt Elektronen auf, um die Bindung zu den Si-Atomen zu
vervollständigen. Es ist dann negativ ionisiert und hat ein Elektron
aufgenommen - daher nennt man es "Akzeptor". Das einem Si-Atom "ent-
nommene" Elektron hinterlässt ein positiv ionisiertes Si-Atom, und
die Elektronenfehlstelle wird als Loch bezeichnet. Dieses Loch kann
ein Elektron eines anderen Si-Atoms aufnehmen, sodass die Elektronen-
Fehlstelle - das Loch - weiter wandert. Es verhält sich wie wie ein
positiver Ladungsträger, der sich im Halbleiterkristall bewegt.
>>> Die Schaltungssenke ab Kondensator hat doch nach dem Ladevorgang
>>> auch noch einen Strom...
>>
>> a) Was soll denn eine "Schaltungssenke" sein?
>
> Im Bezug zur Maße spricht man doch von der "Senke" ab dem
> Widerstand den ich betrachte dachte ich?
>
Die Begriffe "Stromquelle" und "Stromsenke" sind gebräuchlich. In der
Schaltung zur Aufladung eines Kondensators, um die es in unserem
Gespräch ging, liegt aber keine Stromquelle vor:
R S C
_____ / | |
|----|_____|-->--o |-----| |----|
| ---> I(t) | | |
| o U_R(t) ---> |
U | U_C(t) |
v o |
| |
|--------------------------------|
> Lohnt es sich eigentlich sich in die Physik der Halbleiter tiefergreifend
> (~Festkörperphysik) einzuarbeiten z.B. wenn man Schaltungen aufbauen
> will die weiterführend sind. Zum Beispiel weil man dann genauer
> einschätzen kann welche Typ Diode (z.B. ~Material) für den Schaltunstyp
> am geeignetesten ist, >
Nach meiner Meinung sollte man schon ein gewisses Grundverständnis der
Gegebenheiten und Abläufe in Halbleiter-Bauelementen haben, wenn man das
Verhalten einer Schaltung verstehen oder gar eine eigene Schaltung
entwickeln will.
> oder kommt man da mit Zuordnungstabellen zwischen
> den Bauteilen auch schon ohne den "Physiker" Stempel zu seinem
> Ziel?
>
Auch ohne tieferes Verständnis kann man durchaus "nach Rezept" etwas
zusammenbauen. Es liegt letztlich bei dir, was du erreichen möchtest,
und wie tief du in die Materie einsteigen möchtest. Physiker musst du
jedenfalls nicht sein, um elektronische Schaltungen aufzubauen...
Dieter Heidorn
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| From | Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-23 13:59 +0000 |
| Message-ID | <slrnss9058.11d.jko@IONNOKEFKO.johannes-koehler.de> |
| In reply to | #139648 |
On 2021-12-22, Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> wrote: > Johannes Koehler schrieb: > Du hattest erwähnt, dass du das Buch von H. Göbel: "Einführung in die > Halbleiter-Schaltungstechnik" liest. In der mir vorliegenden Ausgabe von > [...] Nein... Konkret lese ich Quer d.h. mehrere Theorien zum gleichen Sachverhalt. Das Zentrum ist momentan aber der Bernstein. Göbel hab ich noch nicht integriert ins Querlesen... >>>> Die Schaltungssenke ab Kondensator hat doch nach dem Ladevorgang >>>> auch noch einen Strom... >>> >>> a) Was soll denn eine "Schaltungssenke" sein? >> >> Im Bezug zur Maße spricht man doch von der "Senke" ab dem >> Widerstand den ich betrachte dachte ich? >> > > Die Begriffe "Stromquelle" und "Stromsenke" sind gebräuchlich. In der > Schaltung zur Aufladung eines Kondensators, um die es in unserem > Gespräch ging, liegt aber keine Stromquelle vor: Ok, nachdem der Strom "fließt" ist wahrscheinlich die Senke dem Flußprinzip entnommen :) Aber die Diode zieht ja durchaus auch Spannung so wie ich das verstanden hab, d.h. mit einer Diode in der Schaltung könnte man dann doch auch Senke auf die Schaltung beziehen _lustig_ >> Lohnt es sich eigentlich sich in die Physik der Halbleiter tiefergreifend >> (~Festkörperphysik) einzuarbeiten z.B. wenn man Schaltungen aufbauen >> will die weiterführend sind. Zum Beispiel weil man dann genauer >> einschätzen kann welche Typ Diode (z.B. ~Material) für den Schaltunstyp >> am geeignetesten ist, > > > Nach meiner Meinung sollte man schon ein gewisses Grundverständnis der > Gegebenheiten und Abläufe in Halbleiter-Bauelementen haben, wenn man das > Verhalten einer Schaltung verstehen oder gar eine eigene Schaltung > entwickeln will. Zwei konkrete Fragen die mir entstanden sind, vielleicht hat jemand Lust eine nachvollziehbare Erklärung zu geben: 1) In der Theorie wird die Abhängigkeit von der Breite der Raumladungszone zu der Dotierung des Halbleitermaterials in der P und N Schicht so beschrieben, das die Raumladungszone umso schmaler wird/ist umso stärker die Dotierung ist. Mein logisches Verständnis steht da im Widerspruch: Umso mehr negativ geladene Elektronen an der Grenze zum N-Material und umso mehr positiv geladene Elektronen an der Grenze zum P-Material entstehen - durch die höhere Dotierung -, umso höher müsste doch die entstehende negative Spannung an der Grenze [P-Material]->[PN-Schicht] und umgekehrt sein. Ein höhere Spannung in der Raumladungszone impliziert dann doch auch eine höherer Durchbruchspannung. Nachdem Bernstein aber *auch* schreibt: "Eine Raumladungszone mit geringer Breite enthält daher genügend Raumladung, um den freien Elektronen aus dem N-Material und den Löchern aus dem P-Material das Diffundieren durch den PN-Übergang zu erschweren." _Zitat_ Würde das nach meiner Logik auch dem Definitierten widersprechen da "genügend" Raumladung in Bezug zu weniger freien Elektronen und Löchern steht. 2) Bei der Beschreibung von Z-Dioden die immer in Sperrichtung betrieben werden, wird beschrieben das höhere Spannungsquellen durch Reihenschaltung ausgeglichen werden. Das kann ich in einem Versuch natürlich auch selber mal ausprobieren aber grundsätzlich dachte ich das Dioden im Gegensatz zum Widerstand in der Parallelschaltung das Spannungspotential ändern (vergrößern)... 3) Wenn die Z-Diode im dynamischen Durchbruchsbereich deklariert wird, bedeutet "Dynamik" hier das die Diode ab einer gewissen Durchbruchs Spannung bis zu ihrer Zerstörungs Spannung, sozusagen als Spannungsenke von der Quelle, das Spannungspotential an der Quelle erhöht? Bzw... Gibt es eigentlich Spannungsquellen die variabel auf die Schaltung reagieren können wie der Strom? Dann würde nach meinem Verständnis ab der Durchbruchspannung, die Z-Diode die Spannung erhöhen und nur bis zu ihrem Maximum ohne die Zerstörungs Spannung zu erreichen aufgrund der Leistungsfähigkeit (W) der PN Schicht? - kefko PS: Ich dachte Internet Akronyme beschreiben immer den einen Zustand das man jemanden nur virtuell kennt. Daher empfinde ich es als komisch wenn Leute meine reallen Namen Posten... Nur wegen den Sympathiewerten in Form von Scorings :)
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| From | Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-23 20:02 +0100 |
| Message-ID | <j2jvecFsdigU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #139654 |
Johannes Koehler schrieb:
> On 2021-12-22, Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> wrote:
>> Johannes Koehler schrieb:
> Ok, nachdem der Strom "fließt" ist wahrscheinlich die Senke dem
> Flußprinzip entnommen :) Aber die Diode zieht ja durchaus auch
> Spannung so wie ich das verstanden hab,
>
Da musst du etwas falsch verstanden haben. Spannungen werden nicht
"gezogen".
> d.h. mit einer Diode
> in der Schaltung könnte man dann doch auch Senke auf die
> Schaltung beziehen
>
Nein. Zur "Stromsenke" kannst du dich hier schlauer machen:
https://de.wikipedia.org/wiki/Elektronische_Last
> Zwei konkrete Fragen die mir entstanden sind, vielleicht hat jemand Lust
> eine nachvollziehbare Erklärung zu geben:
>
> 1) In der Theorie wird die Abhängigkeit von der Breite der
> Raumladungszone zu der Dotierung des Halbleitermaterials in der P und N
> Schicht so beschrieben, das die Raumladungszone umso schmaler
> wird/ist umso stärker die Dotierung ist.
>
So ist es. Mach' dir die Abläufe noch einmal klar, wenn p-dotierter
Halbleiter und n-dotierter Halbleiter in Kontakt gebracht werden und
ein pn-Übergang entsteht:
* Vom n-Gebiet diffundieren Elektronen in das p-Gebiet und hinterlassen
im n-Gebiet positiv ionierte Donatoratome,
* vom p-Gebiet diffundieren Löcher in das n-Gebiet und hinterlassen
im p-Gebiet negativ ionisierte Akzeptoratome.
* Die im p-Gebiet entstehende negative Raumladung behindert das weitere
Diffundieren von Elektronen aus dem n-Gebiet in das p-Gebiet, und
* die im n-Gebiet entstehende positive Raumladung behindert das weitere
Diffundieren von Löchern aus dem p-Gebiet in das n-Gebiet.
* Die Raumladungen rufen ein elektrisches Feld hervor, das Feldströme
von Elektronen und Löchern bewirkt, die in entgegengesetzter Richtung
zu den Diffusionsströmen verlaufen.
* Es bildet sich schließlich ein Gleichgewichtsgewichtszustand aus, und
in dem muss der pn-Übergang in seiner Gesamtheit elektrisch neutral
sein.
(Bei R. Paul findest du Beschreibung und Bild auf Seite 103/104.)
Die Bedingung für die Neutralität lässt sich in guter Näherung wie
folgt angeben:
N_A * x_p = N_D * x_n
N_A: Akzeptorkonzentration im p-Gebiet
x_p: Dicke der negativen Raumladungszone im p-Gebiet
N_D: Donatorenkonzentration im n-Gebiet
x_n: Dicke der positiven Raumladungszone im n-Gebiet
Wenn so dotiert wird, dass N_A = N_D ist, dann kannst du daraus
ablesen, dass auch x_p = x_n wird.
Wird z.B. N_A größer als N_D gewählt, dann ist bei neutralem
pn-Übergang x_p kleiner als x_n:
x_p = (N_D/N_A) * x_n < x_p
> Mein logisches Verständnis steht da im Widerspruch:
>
> Umso mehr negativ geladene Elektronen an der Grenze zum N-Material
> und umso mehr positiv geladene Elektronen an der Grenze zum P-Material
> entstehen
Es gibt keine "positiven Elektronen". (Es gibt zwar Antiteilchen zu den
Elektronen, die sogenannten Positronen, aber das ist eine ganz andere
Geschichte, und hat mit Halbleiterbauelementen nichts zu tun.)
Bei p-dotierten Halbleitern sind die positiven Ladungsträger lediglich
die Elektronenfehlstellen die entstehen, wenn z.B. 3-wertige Bor-Atome
in das Si-Gitter dotiert werden.
> Nachdem Bernstein aber *auch* schreibt:
>
> "Eine Raumladungszone mit geringer Breite enthält daher genügend
> Raumladung, um den freien Elektronen aus dem N-Material und den
> Löchern aus dem P-Material das Diffundieren durch den PN-Übergang
> zu erschweren." _Zitat_
>
In dem oben genannten Sinne. Die Neutralitätsbedingung
N_A * x_p = N_D * x_n
kann auch für eine kleine Breite x_p der Raumladungszone erfüllt sein,
wenn die Akzeptorenkonzentration N_A groß genug ist.
> Würde das nach meiner Logik auch dem Definitierten widersprechen
Da ist kein Widerspruch.
> PS: Ich dachte Internet Akronyme beschreiben immer den einen Zustand
> das man jemanden nur virtuell kennt. Daher empfinde ich es als komisch
> wenn Leute meine reallen Namen Posten...
Das machen Newsreader von allein - es wird deine e-mail-Adresse
verwendet und der Absendername angegeben, wenn auf dein posting
geantwortet wird.
Ich hab' auch ein PS:
Da es hier längere Zeit schon nicht mehr um "Farad" geht, wäre es
sinnvoll, wenn du einen neuen Thread zu deinen Halbleiter-Fragen
beginnen würdest.
Dieter Heidorn
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| From | Johannes Koehler <jko@johannes-koehler.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-23 19:20 +0000 |
| Message-ID | <slrnss9j04.c8j.jko@IONNOKEFKO.johannes-koehler.de> |
| In reply to | #139655 |
On 2021-12-23, Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> wrote: > Da musst du etwas falsch verstanden haben. Spannungen werden nicht > "gezogen". Und wenn ein Bauteil die Spannung in der Schaltung erhöht, ohne sie selbst zu erzeugen? Dachte die Diode macht das im dynamischen Bereich (über der Sperrspannung) durch das Sättigungsverhalten... >> PS: Ich dachte Internet Akronyme beschreiben immer den einen Zustand >> das man jemanden nur virtuell kennt. Daher empfinde ich es als komisch >> wenn Leute meine reallen Namen Posten... > > Das machen Newsreader von allein - es wird deine e-mail-Adresse > verwendet und der Absendername angegeben, wenn auf dein posting > geantwortet wird. Nein... Meinte die Post bei denen meine Name angesprochen wurde und nicht die durch den Newsreade gesetzte Emailadresse... > Ich hab' auch ein PS: > > Da es hier längere Zeit schon nicht mehr um "Farad" geht, wäre es > sinnvoll, wenn du einen neuen Thread zu deinen Halbleiter-Fragen > beginnen würdest. Ich les mir das Post nochmal genau durch... Aber nach Weihnachten :) schöne Weihnachtstage! - kefko
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| From | Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-23 21:40 +0100 |
| Message-ID | <j2k566Ftgf6U1@mid.individual.net> |
| In reply to | #139656 |
Johannes Koehler schrieb: > On 2021-12-23, Dieter Heidorn <d.heidorn@t-online.de> wrote: >> Da musst du etwas falsch verstanden haben. Spannungen werden nicht >> "gezogen". > > Und wenn ein Bauteil die Spannung in der Schaltung erhöht, ohne sie > selbst zu erzeugen? Dachte die Diode macht das im dynamischen Bereich > (über der Sperrspannung) durch das Sättigungsverhalten... > Die Diffusionsspannung, die über dem pn-Übergang abfällt, ist von außen nicht messbar. Anders gesagt: Eine Diode kann nicht wegen der Diffusionsspannung als Spannungsquelle aufgefasst werden. Dioden sind wegen ihrer nicht-linearen Kenlinie etwas unangenehm... Vielleicht hilft dir diese Quelle weiter, was das Anwenden von Dioden in Schaltungen angeht: https://studylibde.com/doc/2514765/arbeitspunkt-einer-diode > Ich les mir das Post nochmal genau durch... Aber nach Weihnachten > :) > > schöne Weihnachtstage! > - kefko > Danke, die wünsche ich dir auch - und bleib' gesund. Dieter Heidorn
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| From | Hans-Peter Diettrich <DrDiettrich1@aol.com> |
|---|---|
| Date | 2021-12-24 01:07 +0100 |
| Message-ID | <j2khaqF15ugU2@mid.individual.net> |
| In reply to | #139657 |
On 12/23/21 9:40 PM, Dieter Heidorn wrote: > Die Diffusionsspannung, die über dem pn-Übergang abfällt, ist von außen > nicht messbar. Anders gesagt: Eine Diode kann nicht wegen der > Diffusionsspannung als Spannungsquelle aufgefasst werden. Da bin ich etwas anderer Ansicht. Bei meinen ersten Gehversuchen mit bipolaren Transistoren vor über 50 Jahren hat mich eine negative Spannung verblüfft, die aus einem offenen Beinchen (Emitter?) eines ordinären Si-Transistors ausgetreten ist. Worauf dieser Effekt beruht und ob er mit heutigen Transistoren noch nachvollziehbar ist, entzieht sich meiner Kenntnis. Ein Festkörperphysiker sollte aber eine Erklärung liefern können, sonst taugt mir diese ganze Theorie nichts. DoDi
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| From | Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> |
|---|---|
| Date | 2021-12-24 02:36 +0100 |
| Message-ID | <sq3866$1cjo$2@gioia.aioe.org> |
| In reply to | #139659 |
Am 24.12.2021 um 01:07 schrieb Hans-Peter Diettrich: > On 12/23/21 9:40 PM, Dieter Heidorn wrote: > >> Die Diffusionsspannung, die über dem pn-Übergang abfällt, ist von außen >> nicht messbar. Anders gesagt: Eine Diode kann nicht wegen der >> Diffusionsspannung als Spannungsquelle aufgefasst werden. > > Da bin ich etwas anderer Ansicht. Bei meinen ersten Gehversuchen mit > bipolaren Transistoren vor über 50 Jahren hat mich eine negative > Spannung verblüfft, die aus einem offenen Beinchen (Emitter?) eines > ordinären Si-Transistors ausgetreten ist. > > Worauf dieser Effekt beruht und ob er mit heutigen Transistoren noch > nachvollziehbar ist, entzieht sich meiner Kenntnis. Ein > Festkörperphysiker sollte aber eine Erklärung liefern können, sonst > taugt mir diese ganze Theorie nichts. Ist ganz einfach: Du hast Mist gemessen.
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| From | Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> |
|---|---|
| Date | 2021-12-24 14:53 +0100 |
| Message-ID | <sq4jd5$2og$1@dont-email.me> |
| In reply to | #139660 |
Sebastin Wolf schrieb: > Am 24.12.2021 um 01:07 schrieb Hans-Peter Diettrich: >> On 12/23/21 9:40 PM, Dieter Heidorn wrote: >> >>> Die Diffusionsspannung, die über dem pn-Übergang abfällt, ist von außen >>> nicht messbar. Anders gesagt: Eine Diode kann nicht wegen der >>> Diffusionsspannung als Spannungsquelle aufgefasst werden. >> >> Da bin ich etwas anderer Ansicht. Bei meinen ersten Gehversuchen mit bipolaren Transistoren vor über 50 Jahren hat mich eine negative Spannung verblüfft, die aus einem offenen Beinchen (Emitter?) >> eines ordinären Si-Transistors ausgetreten ist. >> >> Worauf dieser Effekt beruht und ob er mit heutigen Transistoren noch nachvollziehbar ist, entzieht sich meiner Kenntnis. Ein Festkörperphysiker sollte aber eine Erklärung liefern können, sonst >> taugt mir diese ganze Theorie nichts. > > Ist ganz einfach: Du hast Mist gemessen. Er hat richtig gemessen. Der Effekt ist bekannt, womöglich aber nicht dir. -- mfg Rolf Bombach
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| From | Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> |
|---|---|
| Date | 2021-12-24 15:03 +0100 |
| Message-ID | <sq4k04$o2i$1@gioia.aioe.org> |
| In reply to | #139662 |
Am 24.12.2021 um 14:53 schrieb Rolf Bombach: > Sebastin Wolf schrieb: >> Am 24.12.2021 um 01:07 schrieb Hans-Peter Diettrich: >>> On 12/23/21 9:40 PM, Dieter Heidorn wrote: >>> >>>> Die Diffusionsspannung, die über dem pn-Übergang abfällt, ist von außen >>>> nicht messbar. Anders gesagt: Eine Diode kann nicht wegen der >>>> Diffusionsspannung als Spannungsquelle aufgefasst werden. >>> >>> Da bin ich etwas anderer Ansicht. Bei meinen ersten Gehversuchen mit >>> bipolaren Transistoren vor über 50 Jahren hat mich eine negative >>> Spannung verblüfft, die aus einem offenen Beinchen (Emitter?) eines >>> ordinären Si-Transistors ausgetreten ist. >>> >>> Worauf dieser Effekt beruht und ob er mit heutigen Transistoren noch >>> nachvollziehbar ist, entzieht sich meiner Kenntnis. Ein >>> Festkörperphysiker sollte aber eine Erklärung liefern können, sonst >>> taugt mir diese ganze Theorie nichts. >> >> Ist ganz einfach: Du hast Mist gemessen. > > Er hat richtig gemessen. Der Effekt ist bekannt, womöglich aber nicht dir. Monopolare Spannung ist bekannt?
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| From | Gernot Griese <ggriese@gmx.de> |
|---|---|
| Date | 2021-12-24 07:09 +0100 |
| Message-ID | <j2l6g7F4rphU1@mid.individual.net> |
| In reply to | #139659 |
Am 24.12.21 um 01:07 schrieb Hans-Peter Diettrich: > On 12/23/21 9:40 PM, Dieter Heidorn wrote: > >> Die Diffusionsspannung, die über dem pn-Übergang abfällt, ist von außen >> nicht messbar. Anders gesagt: Eine Diode kann nicht wegen der >> Diffusionsspannung als Spannungsquelle aufgefasst werden. > > Da bin ich etwas anderer Ansicht. Bei meinen ersten Gehversuchen mit > bipolaren Transistoren vor über 50 Jahren hat mich eine negative > Spannung verblüfft, die aus einem offenen Beinchen (Emitter?) eines > ordinären Si-Transistors ausgetreten ist. > > Worauf dieser Effekt beruht und ob er mit heutigen Transistoren noch > nachvollziehbar ist, entzieht sich meiner Kenntnis. Ein > Festkörperphysiker sollte aber eine Erklärung liefern können, sonst > taugt mir diese ganze Theorie nichts. > Photoeffekt. Transistoren mit Glasgehäuse konnte man sogar als Photodioden einsetzen, wenn man den Schutzlack abgekratzt hat. Gernot -- Denkt man, dümmer ging's nicht mehr Kommt ein Politiker daher
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