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Absicht?

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Contents

  Absicht? Reinhard Zwirner <reinhard.zwirner@t-online.de> - 2021-05-07 19:46 +0200
    Re: Absicht? Carla Schneider <carla_sch@yahoo.com> - 2021-05-08 16:55 +0200
      Re: Absicht? Joerg <news@analogconsultants.com> - 2021-05-08 09:03 -0700
        Re: Absicht? Hans-Juergen Schneider <echo@hrz.tu-chemnitz.de> - 2021-05-09 10:08 +0200
          Re: Absicht? Hans-Juergen Schneider <echo@hrz.tu-chemnitz.de> - 2021-05-10 10:19 +0200
          Re: Absicht? Joerg <news@analogconsultants.com> - 2021-05-09 12:33 -0700
        Re: Absicht? Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2021-05-10 12:37 +0200
          Re: Absicht? Joerg <news@analogconsultants.com> - 2021-05-10 10:33 -0700
            Re: Absicht? Sebastin Wolf <invaild@invaild.net> - 2021-05-10 19:50 +0200

#304713 — Absicht?

Hi,

unter

dieser <https://byjus.com/physics/mosfet/> (Achtung: Nur über
Nicht-EU-Proxy erreichbar!)

Webadresse eine5r (offenbar) Fortbildungsinstitution erreicht man
auch Informationen zu MOSFETs. Dort ist u. a. zu lesen:

"What is a MOSFET?

Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors commonly known as
MOSFETs are electronic devices used to switch or amplify voltages in
circuits. It is a _current_ controlled device and is constructed by
_three_ terminals. The terminals of MOSFET are named as follows:

 -   Source
 -   Gate
 -   Drain
 -   Body"
(Unterstreichungen durch mich)

Was ist davon zu halten?

Fragt

Reinhard

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#304758

Reinhard Zwirner wrote:
> 
> Hi,
> 
> unter
> 
> dieser <https://byjus.com/physics/mosfet/> (Achtung: Nur über
> Nicht-EU-Proxy erreichbar!)
> 
> Webadresse eine5r (offenbar) Fortbildungsinstitution erreicht man
> auch Informationen zu MOSFETs. Dort ist u. a. zu lesen:
> 
> "What is a MOSFET?
> 
> Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors commonly known as
> MOSFETs are electronic devices used to switch or amplify voltages in
> circuits. It is a _current_ controlled device and is constructed by
> _three_ terminals. The terminals of MOSFET are named as follows:
> 
>  -   Source
>  -   Gate
>  -   Drain
>  -   Body"
> (Unterstreichungen durch mich)
> 
> Was ist davon zu halten?

Der Body ist normalerweise nicht extra herausgefuehrt sondern
mit Source verbunden:

https://courses.engr.illinois.edu/ece110/sp2021/content/courseNotes/files/?MOSFETs

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#304760

On 5/8/21 7:55 AM, Carla Schneider wrote:
> Reinhard Zwirner wrote:
>>
>> Hi,
>>
>> unter
>>
>> dieser <https://byjus.com/physics/mosfet/> (Achtung: Nur über
>> Nicht-EU-Proxy erreichbar!)
>>
>> Webadresse eine5r (offenbar) Fortbildungsinstitution erreicht man
>> auch Informationen zu MOSFETs. Dort ist u. a. zu lesen:
>>
>> "What is a MOSFET?
>>
>> Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors commonly known as
>> MOSFETs are electronic devices used to switch or amplify voltages in
>> circuits. It is a _current_ controlled device and is constructed by
>> _three_ terminals. The terminals of MOSFET are named as follows:
>>
>>   -   Source
>>   -   Gate
>>   -   Drain
>>   -   Body"
>> (Unterstreichungen durch mich)
>>
>> Was ist davon zu halten?


-> Murks :-)

In der Tabelle weiter oben hatten sie es noch richtig.

https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-2/insulated-gate-field-effect-transistors-mosfet/

Zitat "The MOSFET, like the FET, is a voltage controlled device"

> 
> Der Body ist normalerweise nicht extra herausgefuehrt sondern
> mit Source verbunden:
> 
> https://courses.engr.illinois.edu/ece110/sp2021/content/courseNotes/files/?MOSFETs
> 

Ausser beim SD5400 oder aehnlichen Arrays und wehe, wenn man vergisst ...

-- 
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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#304775

Joerg wrote:
> 
> On 5/8/21 7:55 AM, Carla Schneider wrote:
> > Reinhard Zwirner wrote:
> >>
> >> Hi,
> >>
> >> unter
> >>
> >> dieser <https://byjus.com/physics/mosfet/> (Achtung: Nur über
> >> Nicht-EU-Proxy erreichbar!)
> >>
> >> Webadresse eine5r (offenbar) Fortbildungsinstitution erreicht man
> >> auch Informationen zu MOSFETs. Dort ist u. a. zu lesen:
> >>
> >> "What is a MOSFET?
> >>
> >> Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors commonly known as
> >> MOSFETs are electronic devices used to switch or amplify voltages in
> >> circuits. It is a _current_ controlled device and is constructed by
> >> _three_ terminals. The terminals of MOSFET are named as follows:
> >>
> >>   -   Source
> >>   -   Gate
> >>   -   Drain
> >>   -   Body"
> >> (Unterstreichungen durch mich)
> >>
> >> Was ist davon zu halten?
> 
> -> Murks :-)
> 
> In der Tabelle weiter oben hatten sie es noch richtig.
> 
> https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-2/insulated-gate-field-effect-transistors-mosfet/
> 
> Zitat "The MOSFET, like the FET, is a voltage controlled device"
> 
> >
> > Der Body ist normalerweise nicht extra herausgefuehrt sondern
> > mit Source verbunden:
> >
> > https://courses.engr.illinois.edu/ece110/sp2021/content/courseNotes/files/?MOSFETs
> >
> 
> Ausser beim SD5400 oder aehnlichen Arrays und wehe, wenn man vergisst ...

https://www-user.tu-chemnitz.de/~heha/basteln/Konsumg%C3%BCter/DDR-Halbleiter/smy50.gif
https://www-user.tu-chemnitz.de/~heha/basteln/Konsumg%C3%BCter/DDR-Halbleiter/smy52.gif

MfG
hjs

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#304790

Joerg wrote:
> 
> On 5/9/21 1:08 AM, Hans-Juergen Schneider wrote:
> > Joerg wrote:
> >>
> >> On 5/8/21 7:55 AM, Carla Schneider wrote:
> 
> [...]
> 
> >>> Der Body ist normalerweise nicht extra herausgefuehrt sondern
> >>> mit Source verbunden:
> >>>
> >>> https://courses.engr.illinois.edu/ece110/sp2021/content/courseNotes/files/?MOSFETs
> >>>
> >>
> >> Ausser beim SD5400 oder aehnlichen Arrays und wehe, wenn man vergisst ...
> >
> > https://www-user.tu-chemnitz.de/~heha/basteln/Konsumg%C3%BCter/DDR-Halbleiter/smy50.gif
> > https://www-user.tu-chemnitz.de/~heha/basteln/Konsumg%C3%BCter/DDR-Halbleiter/smy52.gif
> >
> 
> Waren die von Siliconix abgekupfert? :-)

Das könnte dann ja wohl höchstens Telefunken gewesen sein. 
Aber nein. Es gibt Vergleichstypen von GI. Abgekupfert ist das nicht. 
Weil die Jungs damals das Problem hatten, dem Si überhaupt die nötige 
Reinheit zu verpassen. 

> Mit solchen FETs als monolithische Arrays kann man sehr schoene Sachen
> in Richtung Kompensation bauen. Phasenschieber oberhalb 100MHz und so.

Man wollte vermutlich nicht länger auf die Erfindung des 1G3157 warten. 

MfG
hjs

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#304792

On 5/9/21 1:08 AM, Hans-Juergen Schneider wrote:
> Joerg wrote:
>>
>> On 5/8/21 7:55 AM, Carla Schneider wrote:

[...]

>>> Der Body ist normalerweise nicht extra herausgefuehrt sondern
>>> mit Source verbunden:
>>>
>>> https://courses.engr.illinois.edu/ece110/sp2021/content/courseNotes/files/?MOSFETs
>>>
>>
>> Ausser beim SD5400 oder aehnlichen Arrays und wehe, wenn man vergisst ...
> 
> https://www-user.tu-chemnitz.de/~heha/basteln/Konsumg%C3%BCter/DDR-Halbleiter/smy50.gif
> https://www-user.tu-chemnitz.de/~heha/basteln/Konsumg%C3%BCter/DDR-Halbleiter/smy52.gif
> 

Waren die von Siliconix abgekupfert? :-)

Mit solchen FETs als monolithische Arrays kann man sehr schoene Sachen 
in Richtung Kompensation bauen. Phasenschieber oberhalb 100MHz und so.

-- 
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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#304812

Joerg schrieb:
> 
> Zitat "The MOSFET, like the FET, is a voltage controlled device"

Auch bei 100 MHz?
Schon klar, der eigentliche Prozess im Innern ist Feld-gesteuert.

Ich gebe nur zu bedenken, dass solche Verkürzungen selten was
nützen. Ein BJT ist ja auch ein spannungsgesteuertes Element,
nur ist die Ansteuerung via Spannung dermassen heikel, dass
man lieber über den Dreckeffekt des Eingangsstroms rechnet.
Meistens, aber nicht immer.

-- 
mfg Rolf Bombach

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#304845

On 5/10/21 3:37 AM, Rolf Bombach wrote:
> Joerg schrieb:
>>
>> Zitat "The MOSFET, like the FET, is a voltage controlled device"
> 
> Auch bei 100 MHz?
> Schon klar, der eigentliche Prozess im Innern ist Feld-gesteuert.
> 

Ja, und Strom entsteht nur durch Kapazitaeten. Wenn Elektronen vom Gate 
illegal in den Kanal einwandern, ist was faul :-)


> Ich gebe nur zu bedenken, dass solche Verkürzungen selten was
> nützen. Ein BJT ist ja auch ein spannungsgesteuertes Element,
> nur ist die Ansteuerung via Spannung dermassen heikel, dass
> man lieber über den Dreckeffekt des Eingangsstroms rechnet.
> Meistens, aber nicht immer.
> 

Der BJT ist aber im Prinzip ueber die Stromverstaerkung definiert. Wenn 
kein Basisstrom fliesst, dann fliesst ausser einem winzigen Leckstrom 
auch kein Kollektorstrom.

-- 
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

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#304847

Am 10.05.2021 um 19:33 schrieb Joerg:
> Wenn Elektronen vom Gate illegal in den Kanal einwandern, ist was faul :-)

In der Tat, das dürfen die nämlich ganz legal.

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