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Groups > de.sci.electronics > #367392
| Path | csiph.com!fu-berlin.de!uni-berlin.de!individual.net!not-for-mail |
|---|---|
| From | Bernd Laengerich <Bernd.Laengerich@web.de> |
| Newsgroups | de.sci.electronics |
| Subject | Re: Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F |
| Date | Fri, 24 Apr 2026 14:24:46 +0200 |
| Lines | 16 |
| Message-ID | <n515oeFlvodU1@mid.individual.net> (permalink) |
| References | <n2flacF8t28U1@mid.individual.net> <n4mllsFm6f2U1@mid.individual.net> <n4pvu3F3kvuU1@mid.individual.net> <n4rdn2FfpqiU1@mid.individual.net> <10sfduf$3m9q3$2@dont-email.me> <n50ts8Fc6niU1@mid.individual.net> |
| Mime-Version | 1.0 |
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| Content-Transfer-Encoding | 8bit |
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| In-Reply-To | <n50ts8Fc6niU1@mid.individual.net> |
| Xref | csiph.com de.sci.electronics:367392 |
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Am 24.04.2026 um 12:10 schrieb Peter Heitzer: > IBTD > Für EEPROM werden höhere Werte für Schreibzyklen angegeben. Bei EEPROM AT28C010: High Reliability CMOS Technology: – Endurance: 10,000 or 100,000 cycles – Data retention: 10 years FLASH AT29F010: Minimum 100,000 program/erase cycles guaranteed Ich sehe da keinen großen Unterschied, wenn man vergleichbare Bausteine vergleicht.
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