Path: csiph.com!news.swapon.de!fu-berlin.de!uni-berlin.de!individual.net!not-for-mail From: Hanno Foest Newsgroups: de.sci.electronics Subject: Re: Halbleiteralterung Date: Wed, 28 Feb 2018 00:03:55 +0100 Lines: 15 Message-ID: References: <1nkohwx.9fgdlbnffwjiN%R.Kiefer.SPAEM@gmx.de> Mime-Version: 1.0 Content-Type: text/plain; charset=utf-8; format=flowed Content-Transfer-Encoding: 8bit X-Trace: individual.net rvdVooqD3tWvqMbpPZqrwAx3Dux2p/mj7xU95mFubBjGQLotO0 Cancel-Lock: sha1:GBD/AL4uN1S+CUmpQPqNlVsD9v4= User-Agent: Mozilla/5.0 (X11; Linux x86_64; rv:52.0) Gecko/20100101 Thunderbird/52.6.0 In-Reply-To: Content-Language: de-DE-1901 Xref: csiph.com de.sci.electronics:241507 Am 27.02.2018 um 22:53 schrieb Rolf Bombach: >> Es gibt ja sowas wie Elektromigration: >> https://de.wikipedia.org/wiki/Elektromigration > > Ist das nicht nur ein Problem bei wirklich hohen Stromdichten? Die können punktuell auftreten, etwa wenn aufgrund von Prozeß- oder Maskenproblemen, oder Staub etc. irgendeine Leiterbahn auf dem Chip eine Einkerbung hat. Falls an der Schnürstelle die Stromdichte hoch genug ist für Elektromigration, setzt ein selbstverstärkener Effekt ein: Die Stelle wird dünner, wodurch sich die Stromdichte und damit die Elektromigration weiter steigert. Hanno