Path: csiph.com!fu-berlin.de!uni-berlin.de!individual.net!not-for-mail From: Joerg Newsgroups: de.sci.electronics Subject: Re: Kleiner, bedrahteter Fototransistor Date: Thu, 24 Nov 2016 07:38:31 -0800 Lines: 27 Message-ID: References: Mime-Version: 1.0 Content-Type: text/plain; charset=UTF-8; format=flowed Content-Transfer-Encoding: 8bit X-Trace: individual.net Tp4J1+3Vc1k2Ba5S+d6NzA6cp1rDm0Cfp083zGMA7OHs5Cpdxf Cancel-Lock: sha1:WipUkT9kZ3hNZPY8TcxY8pI0XjI= User-Agent: Mozilla/5.0 (Windows; U; Windows NT 5.1; en-US; rv:1.8.1.6) Gecko/20070728 Thunderbird/2.0.0.6 Mnenhy/0.7.6.666 In-Reply-To: Xref: csiph.com de.sci.electronics:217299 On 2016-11-23 19:25, Hans-Peter Diettrich wrote: > Joerg schrieb: > >> Ge-Transistoren haben einige weitere Vorteile wie Betrieb mit sehr >> niedrigen Spannungen. Ok, geht auch mit manchen JFETs, aber ich weiss >> nicht, warum Ge-Transistoren so gut wie komplett vom Markt >> verschwunden sind. Ge-Dioden gibt (gab?) es ja zumindest noch aus Asien. > > Vermutlich ist die Fertigung deutlich aufwendiger. Integration wie bei > Si ist mit Ge nicht möglich, vielleicht wegen instabiler Oxidschicht. > Die alten OC hatten einen Träger mit dem Basis-Anschluß, und links und > recths einen kleinen und einen großen Knubbel für E und C. Kein > Vergleich mit Si, mit quasi gedruckten Zonen und Metallisierung. > Das lag grossenteils an den damaligen Fertigungsmethoden. Mesa-Transistoren wie AF139 und dessen Nachfolger wurden nicht mehr so gebaut. Ein Problem bei Germanium-Halbleitern sind ein eingeschraenkterer Temperaturbereich und Leckstroeme. Die Oxydschicht ist in der Tat auch nicht ganz einfach, aber prozessmaessig machbar. -- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/