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Groups > de.sci.electronics > #358749
| From | Eric Bruecklmeier <u@5i7.de> |
|---|---|
| Newsgroups | de.sci.electronics |
| Subject | Re: Ubesat |
| Date | 2025-01-10 05:43 +0100 |
| Organization | 5i7 |
| Message-ID | <lubmrdF3kj1U1@mid.individual.net> (permalink) |
| References | <678033A1.49E70E53@hrz.tu-chemnitz.de> |
Am 09.01.2025 um 21:37 schrieb Hans-Juergen Schneider: > Hallo Leute, > > es stellt sich mir die Frage, wozu diese Datenblattangabe der Basis- > Emitter-Sättigungsspannung für irgendwas wichtig sein sollte. > Natürlich steht das häufig mit drin, wird aber doch meistens > geflissentlich überlesen. Selbst die entsprechenden Diagramme. > Hat das jemand eine Erklärung? > > MfG > hjs Das ist die Basis-Emitter-Spannung, die den Transistor bei den angegebenen Bedingungen (z.B. IC = 100mA /IB = 5mA ) in Sättigung bringt.
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Ubesat Hans-Juergen Schneider <echo@hrz.tu-chemnitz.de> - 2025-01-09 21:37 +0100
Re: Ubesat Eric Bruecklmeier <u@5i7.de> - 2025-01-10 05:43 +0100
Re: Ubesat Hans-Juergen Schneider <echo@hrz.tu-chemnitz.de> - 2025-01-10 17:41 +0100
Re: Ubesat Rafael Deliano <Rafael_Deliano@arcor.de> - 2025-01-10 18:20 +0100
Re: Ubesat Hans-Juergen Schneider <echo@hrz.tu-chemnitz.de> - 2025-01-10 21:21 +0100
Re: Ubesat Axel Berger <Spam@Berger-Odenthal.De> - 2025-01-11 00:11 +0100
Re: Ubesat Axel Berger <Spam@Berger-Odenthal.De> - 2025-01-11 00:09 +0100
Re: Ubesat Eric Bruecklmeier <nil@nil.nil> - 2025-01-11 09:20 +0100
Re: Ubesat Rolf Bombach <rolfnospambombach@invalid.invalid> - 2025-01-15 01:01 +0100
Re: Ubesat Eric Bruecklmeier <u@5i7.de> - 2025-01-15 08:13 +0100
Re: Ubesat Leo Baumann <ib@leobaumann.de> - 2025-01-10 06:14 +0100
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