Path: csiph.com!newsfeed.xs4all.nl!newsfeed7.news.xs4all.nl!fu-berlin.de!uni-berlin.de!individual.net!not-for-mail From: Hans-Peter Diettrich Newsgroups: de.sci.electronics Subject: Re: Ursache fuer Defekt Date: Sun, 10 May 2020 14:40:37 +0200 Lines: 45 Message-ID: References: <5EB6681A.99D1597F@hrz.tu-chemnitz.de> <5dijkwgmys26.dlg@ID-425.user.individual.de> Mime-Version: 1.0 Content-Type: text/plain; charset=utf-8; format=flowed Content-Transfer-Encoding: quoted-printable X-Trace: individual.net 7nKVK96QwiEea1nFqw9o1gYADOV4q+FBBjjbzoSywhASTBugb+ Cancel-Lock: sha1:BBqPhURRfyRHaa9M3KOdq+Q4QKU= User-Agent: Mozilla/5.0 (Windows NT 5.1; rv:52.0) Gecko/20100101 Thunderbird/52.9.1 In-Reply-To: <5dijkwgmys26.dlg@ID-425.user.individual.de> Xref: csiph.com de.sci.electronics:280541 Am 10.05.2020 um 11:54 schrieb Christian Treffler: > Hans-Peter Diettrich schrieb: >=20 >>> Jede Temperatur=C3=A4nderung ist Stress f=C3=BCr Bauteile, egal welch= er Art. >>> Sind es Transistoren dann besteht jedes davon aus drei Schichten und >>> somit zwei =C3=9Cberg=C3=A4ngen unterschiedlichen Materials pro Baute= il. >> >> Wieviele Fremdatome treiben sich bei Transistoren im hochreinen Silizi= um >> herum? Und die sollen zu Schichten mit unterschiedlichen thermischen >> Eigenschaften f=C3=BChren? Abgesehen davon, hochintegrierte Schaltkreise sind nicht bipolar aufgebau= t. > Bei ICs werden die Verbindungen zwischen den Transistoren =C3=BCber > Aluminium-Leiterbahnen hergestellt. 8 Lagen mit Silizium-Oxid als > Isolator und Wolfram als Durchkontaktierung sind keine Seltenheit. Und > das stammt nur aus meinen Erfahrungen mit Microcontrollern f=C3=BCr die= > Automobil-Industrie. Ich will nicht wissen, wie es bei CPUs f=C3=BCr Co= mputer > aussieht. Dort sollen es bis zu 20 Lagen insgesamt sein, sagt Wikipedia. > Andererseits scheinen Delamination (Abl=C3=B6sen von verschiedenen Schi= chten > mit Leitungs-Unterbrechungen als Folge) w=C3=A4hrend der Qualifikation = in der > Auto-Industrie eher selten Probleme zu bereiten. Ich habe als > Qualit=C3=A4ts-Ingenieur schon ICs zur=C3=BCck bekommen, bei denen im F= eld durch > Delamination Durchkontaktierungen abrissen. Da war aber ein Problem in > der Fertigung Grundursache f=C3=BCr die mangelnde Haftung der Oxid-Schi= cht. Unter Temperaturproblemen w=C3=BCrde ich auch eher Hotspots verstehen, di= e=20 einen Kristall verziehen k=C3=B6nnen. DoDi